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摘要：本发明提供了一种温差发电芯片及制备方法，所述芯片包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；第一基板和第二基板相对设置；其中，第一电极位于第一基板的下表面，第二电极位于第二基板的上表面；第一电极和第二电极之间设置有干个热电臂单元；其中，热电臂单元包括一个由P型热电材料制成的热电臂和一个由N型热电材料制成的热电臂；第一基板在每个热电臂相对的位置开设有槽孔；其中，第一基板朝向热端；太阳能吸收层位于第一基板和每个槽孔的上表面。本发明可以提高温差发电芯片在冷端和热端两端的温差，进而增强芯片发电效率。
主权项：1.一种温差发电芯片，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、太阳能吸收层和热电臂单元；所述第一基板和所述第二基板相对设置；其中，所述第一电极位于所述第一基板的下表面，所述第二电极位于所述第二基板的上表面；所述第一电极和所述第二电极之间设置有干个所述热电臂单元；其中，所述热电臂单元包括一个由P型热电材料制成的热电臂和一个由N型热电材料制成的热电臂；所述第一基板在每个所述热电臂相对的位置开设有槽孔；其中，所述第一基板朝向热端；所述太阳能吸收层位于所述第一基板和每个所述槽孔的上表面。
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百度查询： 深圳市大兆芯能科技有限公司 一种温差发电芯片及制备方法
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