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摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体设备及其管体，管体内部为中空，管体内部用于容纳晶圆；管体的横截面面积由第一端至第二端逐渐增大，所述管体侧壁与水平面具有夹角；第一端为气体进入管体的一端，第二端为气体流出管体的一端，在管体垂直方向上，管体内各区域温度平衡。本申请中管体的横截面面积由第一端到第二端逐渐减小，气体进入管体后在第一端流速快，气体浓度低，随着气体在管体内向第二端流动，气体在第二端流速慢，气体浓度高，可以实现管体垂直方向上各个区域气体浓度均匀，从而来改善管体内不同位置的晶圆上沉积的膜层厚度的均匀性，无需对管体不同区域的温度进行较大的调整，从而使得管体内各个位置晶圆的热预算保持相近。
主权项：1.一种半导体设备的管体，其特征在于，所述管体内部为中空，所述管体内部用于容纳晶圆；所述管体的横截面面积由第一端至第二端逐渐增大，所述管体侧壁与水平面具有夹角，其中，所述第一端为气体进入所述管体的一端，所述第二端为气体流出所述管体的一端；在管体垂直方向上，所述管体内各区域温度平衡；所述夹角通过位于预设管体的第一端处监控晶圆上沉积膜层的厚度、位于所述预设管体的第二端处监控晶圆上沉积膜层的厚度、所述管体的高度、以及所述管体第一端横截面的半径和所述管体第二端横截面的半径两者中的任一个半径得到，所述预设管体为由预设管体第一端至预设管体第二端各处尺寸相同的管体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种半导体设备及其管体
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