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摘要：本申请提供一种基于LOD效应的标准单元版图设计方法，包括：步骤一，确定标准单元版图的设计参数；步骤二，确定标准单元的有源区及多晶硅布局；步骤三，确定标准单元需优化的目标时序弧；步骤四，确定PMOS晶体管设计方法和NMOS晶体管设计方法。在实现标准单元版图面积固定时，充分利用LOD效应对PNMOS影响的规律，能够针对性地提升标准单元中速度较慢的时序弧，从而提升标准单元的性能。
主权项：1.一种基于LOD效应的标准单元版图设计方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，确定标准单元版图的设计参数；步骤二，确定标准单元的有源区及多晶硅布局；步骤三，确定标准单元需优化的目标时序弧；步骤四，确定PMOS晶体管设计方法和NMOS晶体管设计方法。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 基于LOD效应的标准单元版图设计方法
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