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摘要：本申请公开了一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法，包括：S1：将晶圆浸泡在刻蚀溶液中，并持续预定的单位作业时长；其中，所述晶圆为表面形成有多晶硅层的晶圆；S2：将所述晶圆从所述刻蚀溶液中移出并持续预设时长，以去除所述晶圆表面的气泡；S3：以预设有的循环次数循环执行所述S1‑S2，以去除所述晶圆表面的多晶硅层。本申请通过上述方案，能够解决表面气泡带来的刻蚀均匀性不佳的问题，提高刻蚀完成后的晶圆表面的均匀性。
主权项：1.一种改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法，其特征在于，包括：S1：将晶圆浸泡在刻蚀溶液中，并持续预定的单位作业时长；其中，所述晶圆为表面形成有多晶硅层的晶圆；S2：将所述晶圆从所述刻蚀溶液中移出并持续预设时长，以去除所述晶圆表面的气泡；S3：以预设有的循环次数循环执行所述S1-S2，以去除所述晶圆表面的多晶硅层。
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百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善多晶硅湿法刻蚀均匀性的方法
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