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摘要：本发明公开了一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法，本发明所述基底以SiSiO2片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述SiSiO2片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层。本发明所述制备方法，通过尿素在高温下发生氨解反应分解形成的氨气，不仅将氮元素掺杂进二维半导体材料中，还能够向二维半导体材料引入缺陷，通过改变基底能带结构和表面电势，调节基底与被吸附分子之间的电荷相互作用，从而增强SERS灵敏度。
主权项：1.一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底，其特征在于，该基底以SiSiO2片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述SiSiO2片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层；其中，以二氧化硅层为生长衬底，氮掺杂的二维半导体纳米材料层通过化学气相沉积法生长在二氧化硅层上。
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百度查询： 江南大学 一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法
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