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摘要：本发明涉及微波组件封装技术领域，公开了一种局部物理性能可调的微波件封装外壳加工方法，包括以下步骤：步骤S1:根据设计图纸进行三维建模，形成外壳模型；步骤S2:在外壳模型上划分装配区；步骤S3:采用封装材料结合粉末冶金的方式制造封装坯体；封装坯体包括具有至少一个装配区的壳体本体、以及设置在装配区上的热沉；封装材料包括用于加工制造壳体本体的铝合金、用于加工制造热沉的硅铝合金和铝基碳化硅复合材料；步骤S4:对封装坯体进行精加工，获得封装体；步骤S5:对封装体进行表面镀涂，获得微波件封装外壳。根据后续装配可靠性需求，在不同的部位设计不同的封装材料，从而实现复杂微波组件的高密度可靠封装。

主权项：1.一种局部物理性能可调的微波件封装外壳加工方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤S1:根据设计图纸进行三维建模，形成外壳模型；步骤S2:基于外壳模型，并根据微波件功能要求，在外壳模型上划分装配区；步骤S3:基于步骤S1和步骤S2，采用封装材料结合粉末冶金的方式制造封装坯体；所述封装坯体包括具有至少一个装配区的壳体本体、以及设置在装配区上的热沉；在不同的装配区设置不同的热沉；所述封装材料包括用于加工制造壳体本体的铝合金、用于加工制造热沉的硅铝合金和铝基碳化硅复合材料；所述硅铝合金为50SiAl或42SiAl，所述铝基碳化硅复合材料为50SiCAl；50SiAl为硅体积分数为50%的硅铝合金；42SiAl为硅体积分数为42%的硅铝合金；50SiCAl为碳化硅的体积分数为50%的铝基碳化硅复合材料；步骤S4:对封装坯体进行精加工，获得封装体；步骤S5:对封装体进行表面镀涂，获得微波件封装外壳；所述装配区包括LTCC电路装配区、氧化铝电路装配区、热耗低于10W的裸芯片装配区、热耗大于10W的裸芯片装配区、发热功率大于10W的氮化铝电路片装配区、多芯连接器钎焊区中的任一种或多种；所述LTCC电路装配区、氧化铝电路装配区、以及热耗低于10W的裸芯片装配区对应热沉的封装材料均为50SiAl或42SiAl；当采用50SiAl作为热沉时厚度大于等于0.8mm；当采用42SiAl作为热沉时厚度大于等于1.2mm；所述热耗大于10W的裸芯片装配区、发热功率大于10W的氮化铝电路片装配区对应热沉的封装材料均为50SiCAl；所述多芯连接器钎焊区对应热沉的封装材料为50SiAl或50SiCAl；采用50SiAl作为热沉包裹多芯连接器时，该热沉的体积不小于多芯连接器体积的2.2倍；当采用50SiCAl作为热沉包裹多芯连接器时，该热沉的体积不小于连接器体积的1.6倍；若所述硅铝合金与封装材料的体积百分比大于30%，所述壳体本体中安装部的封装材料为5A06铝合金。

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