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摘要：本申请公开了一种二极管转移方法以及二极管转移装置，所述二极管转移方法包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层以及受热膨胀层；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热升高所述受热膨胀层的温度，所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距。本申请的技术效果在于，实现二极管扩大间距并有序排列的巨量转移目标。
主权项：1.一种二极管转移方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一拾取装置，所述拾取装置上设置有柔性电路层，所述柔性电路层远离所述拾取装置的一侧设置有受热膨胀层，所述柔性电路层与所述拾取装置电连接，用于控制所述拾取装置通断电，升温前的所述柔性电路层远离所述拾取装置的一侧形成有第一凹凸面，升温前的所述柔性电路层靠近所述拾取装置的一侧形成有第一平面，所述第一凹凸面到所述第一平面的距离为第一厚度；所述拾取装置拾取二极管芯片；以及加热升高所述受热膨胀层的温度，所述受热膨胀层膨胀后带动所述柔性电路层延伸，拉大所述二极管芯片之间的间距，升温后的所述柔性电路层远离所述拾取装置的一侧形成有第二凹凸面，升温后的所述第二凹凸面靠近所述拾取装置的一侧形成有第二平面，所述第二凹凸面到所属第二平面的距离为第二厚度；所述第二厚度小于所述第一厚度。
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百度查询： TCL华星光电技术有限公司 二极管转移方法以及二极管转移装置
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