龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种存储装置，存储装置包括读取晶体管和写入晶体管，读取晶体管包括第一栅极、第一栅介质层、第一沟道、第一漏极和第一源极，第一沟道至少形成在容置孔侧壁的部分区域，第一漏极和第一源极均与第一沟道连接，第一栅介质层至少覆盖第一沟道，第一栅极形成在容置孔内且位于第一栅介质层远离第一沟道一侧；写入晶体管包括第二沟道和第二源极，第二沟道至少部分位于容置孔内，第二源极与第二沟道连接。读取晶体管和写入晶体管的沟道在同一容置孔中，与使用在同一平面上的两个水平沟道的薄膜晶体管连接的存储单元相比，减小了存储单元占用面积，提高了晶体管的集成密度。
主权项：1.一种存储装置，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的至少一层存储器件层，所述存储器件层包括：绝缘层，包括竖直方向层叠设置的第一绝缘层和第二绝缘层；至少一存储单元，所述存储单元包括读取晶体管和写入晶体管，所述读取晶体管包括第一栅极、第一栅介质层、第一沟道、第一漏极和第一源极，所述第一绝缘层靠近所述第二绝缘层一侧设置有容置孔，所述第一沟道至少形成在所述容置孔侧壁的部分区域，所述第一漏极和所述第一源极间隔设置在所述容置孔外，所述第一漏极位于所述第一源极远离所述第二绝缘层一侧，所述第一漏极和所述第一源极均与所述第一沟道连接，所述第一栅介质层至少覆盖所述第一沟道，所述第一栅极形成在所述容置孔内且位于所述第一栅介质层远离所述第一沟道一侧；所述写入晶体管包括第二栅极、第二栅介质层、第二沟道和第二源极，所述第二沟道至少部分位于所述容置孔内，所述第二沟道的漏极端与所述第一栅极连接，所述第二源极与所述第二沟道连接，所述第二栅极形成在所述第二沟道远离所述第一栅介质层一侧，所述第二栅介质层形成在所述第二栅极与所述第二沟道之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市昇维旭技术有限公司 存储装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号