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摘要：本公开内容提供一种鳍状电子沟道半导体器件、鳍状互补型半导体器件。所述半导体器件包括多个空穴沟道的III族氮化物器件和多个电子沟道的III族氮化物器件。其中所述空穴沟道的III族氮化物器件与所述电子沟道的III族氮化物器件对应设置。所述电子沟道的III族氮化物器件具有鳍状沟道，且可同时在所述化合物半导体层和所述氮化物半导体层的界面处形成二维空穴气和或二维电子气。本公开内容提供具有工艺简单、成本低廉、在单位面积上实现更高的沟道密度，具有高耐受电压、高功率和低导通电阻等高性能、安全、节能的常闭型电子和或空穴沟道III族氮化物晶体管。
主权项：1.一种鳍状电子沟道半导体器件，其特征在于，包括：一衬底，在垂直所述衬底的上表面外延生长鳍状的氮化物半导体层；所述氮化物半导体层包括第一和第二氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上形成第一化合物半导体层130，从而同时在所述第一化合物半导体层130和所述氮化物半导体层的界面处形成二维空穴气和或二维电子气；其中，所述第一和第二氮化物半导体层之间夹有P型掩埋层。
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百度查询： 广东致能科技有限公司 一种鳍状电子沟道半导体器件、鳍状互补型半导体器件
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