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摘要：本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：准备层叠体的工序，该层叠体具备半导体基材、配置于半导体基材的主面的电极及配置于主面且含有具有固化性的树脂材料的有机绝缘膜；使有机绝缘膜固化的工序；沿着切断预定线切断层叠体来获取至少一个集成电路要素的工序；及将获取到的集成电路要素与其他集成电路要素接合的工序。半导体装置的制造方法包括在使有机绝缘膜固化的工序之前去除有机绝缘膜中的与切断预定线对应的切断预定部分的至少一部分的工序。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其包括：准备层叠体的工序，所述层叠体具备半导体基材、配置于所述半导体基材的主面的电极及配置于所述主面且含有具有固化性的树脂材料的有机绝缘膜；使所述有机绝缘膜固化的工序；沿着切断预定线切断所述层叠体来获取至少一个集成电路要素的工序；及将获取到的集成电路要素与其他集成电路要素接合的工序，所述半导体装置的制造方法包括在使所述有机绝缘膜固化的工序之前去除所述有机绝缘膜中的与所述切断预定线对应的切断预定部分的至少一部分的工序。
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百度查询： 株式会社力森诺科 半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路要素的制造方法及集成电路要素
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