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摘要：本发明涉及具有电介质DBR的磷化铟VCSEL。更具体而言，公开了一种光电设备，该光电设备包括承载衬底22，其中下部分布式布拉格反射器DBR叠层24设置在该衬底的区域上并且包括交替的第一电介质层和半导体层。外延层组26,28,30,31,34设置在该下部DBR上方，其中该外延层组包含一种或多种III‑V半导体材料并且限定量子阱结构28和限制层31。上部DBR叠层38设置在该外延层组上方并且包括交替的第二电介质层和半导体层。将电极40,42耦接以将激励电流施加到该量子阱结构。
主权项：1.一种光电器件，包括：承载衬底；下部分布式布拉格反射器DBR叠层，下部DBR叠层设置在所述衬底的区域上并且包括交替的第一层；外延层组，所述外延层组设置在所述下部DBR叠层上方并且包括量子阱结构；上部DBR叠层，所述上部DBR叠层设置在所述外延层组上方并且包括交替的第二层；电极，所述电极被耦合以向所述量子阱结构施加激励电流，所述电极中的至少一个包括金属环，所述金属环靠近所述量子阱结构设置在所述DBR叠层中的至少一个的内侧；以及一个或多个金属通孔，所述一个或多个金属通孔穿过所述DBR叠层中的所述至少一个，以将所述DBR叠层中的所述至少一个的所述内侧处的所述金属环连接到所述DBR叠层中的所述至少一个的外侧上的电触点。
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百度查询： 苹果公司 具有电介质DBR的磷化铟VCSEL
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