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申请/专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
摘要：本发明公开了一种正弦光栅耦合非周期DBR扩展腔的垂直腔面发射激光器，按照自下而上的顺序包括：N型电极、N型衬底、N型DBR、非周期DBR扩展层、有源区，氧化限制层，P型DBR、表面正弦光栅、P型电极。该激光器在传统氧化物限制型VCSEL中引入非周期性DBR扩展腔和表面正弦光栅耦合结构，压窄线宽，实现偏振调控，非周期DBR扩展腔能够有效增加VCSEL等效腔长，压窄线宽，降低发散角；表面正弦光栅可实现良好的偏振及模式过滤效果，提高VCSEL偏振抑制比和稳定性，同时可降低VCSEL内部的相位噪声及强度噪声，采用纳米压印工艺制备正弦光栅，较电子束曝光等方法，可大大降低制作成本，且适合批量化生产。
主权项：1.一种正弦光栅耦合非周期DBR扩展腔的垂直腔面发射激光器，其特征在于：包括自上而下设置的表面正弦光栅1，P型电极2，P型DBR3，绝缘层4，高Al组分氧化限制层5，有源区6，非周期DBR扩展腔7，N型DBR8，N型GaAs衬底9，氧化限制孔10，出光孔11，N型电极12，P型DBR3、高Al组分氧化限制层5、有源区6组成圆形台面，P型DBR的表面设有P型欧姆接触层；所述表面正弦光栅1位于器件最上层表面，P型电极2位于表面正弦光栅1的侧边，延伸到绝缘层4侧面外表面，P型DBR3位于表面正弦光栅1和P型电极2的下面；所述绝缘层4位于圆形台面的侧面和P型电极2之间，以及非周期DBR扩展腔7和P型电极2之间，两部分是相连的，并延伸到非周期DBR扩展腔7的上表面位置。
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