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摘要：本发明提供了一种三氧化钨半导体纳米线材料及制备方法，所述三氧化钨半导体纳米线材料的制备方法，包括如下步骤：将阳离子表面活性剂加入到有机溶剂中，制得含有阳离子表面活性剂的有机溶液；将氯化钨加入至所述含有阳离子表面活性剂的有机溶液，制得反应溶液；将所述反应溶液加热进行水热反应；离心，洗涤，真空干燥。本发明有效提高了三氧化钨纳米线的合成效率以及纳米线的尺寸均一性，有利于提升三氧化钨半导体纳米线材料的光学、光电学以及电学性能，在非均相催化、气体传感等领域具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种三氧化钨半导体纳米线材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将阳离子表面活性剂加入到有机溶剂中，制得含有阳离子表面活性剂的有机溶液；步骤B：将氯化钨加入至所述含有阳离子表面活性剂的有机溶液，制得反应溶液；步骤C：将所述反应溶液加热进行水热反应；步骤D：离心，洗涤，真空干燥。
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