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摘要：本发明公开了一种改善超薄双抛硅片背面压伤及平整度的抛光方法。该抛光方法使用SPM‑23五联机系列有蜡抛光机对双抛硅片进行三次抛光，通过优化双面抛光片抛光工艺，由两次抛光变为三次抛光，并优化有蜡抛光机的贴片技术，制备出双面抛光片正反两面同样粗糙度、面状态一致的产品，从而解决了双抛硅片背面压伤及蜡残留问题，同时满足产品几何能力达到国际、国内领先水平，达到薄片产品TTV≤3μm的要求，得到有市场竞争力T≤250μm的超薄双抛硅片，获得的双面硅抛光片目检一次合格率稳定达到95％以上；同时解决了超薄双抛硅片几何能力差问题，使自动加工双抛硅片的难度降低，提高了双抛硅片的质量，提高了双抛硅片产品的良率。

主权项：1.一种改善超薄双抛硅片背面压伤及平整度的抛光方法，其特征在于：所述抛光方法是：使用SPM-23五联机系列有蜡抛光机对双抛硅片进行三次抛光，三次抛光包括如下步骤：A、第一次抛光A1、第一次抛光为双抛硅片正面抛光，首先对抛光前的双抛硅片进行厚度分选、分档，确保双抛硅片按厚度大小分档，便于抛光加工按厚度从大到小顺序上载；A2、贴片机使用黄蜡，双抛硅片贴片滴蜡量为1±0.2ml片，甩蜡转速为2500±50rpm，贴片机大气囊压力为15kpa；A3、采用SPM-23五联机系列有蜡抛光机依次进行粗一抛光加工、粗二抛光加工、粗三抛光加工、中抛抛光加工、精抛抛光加工，抛光机台转速：粗一、粗二、粗三的抛光机台大盘转速均为25±5rpm，中心导轮转速为55±5rpm；中抛、精抛的抛光机台大盘转速为20±5rpm，抛光头转速为20±5rpm；抛光头压力：粗一、粗二、粗三的抛光头压力根据设备状态和双抛硅片加工时的TAPER值在0-350kpa之间进行调节，中抛的抛光头压力为100kpa，精抛的抛光头压力为50kpa；粗一抛光、粗二抛光、粗三抛光的粗抛液流量为10±1Lmin，中抛抛光液流量为10±1Lmin，精抛抛光液流量为1.5±0.2Lmin；抛光时间：粗一、粗二、粗三抛光加工时间均为8—10min，中抛为8min,精抛为8min；B、第二次抛光B1、第二次抛光为双抛硅片反面抛光，确保反面抛光去除量，得到同双抛硅片正面抛光一致的面状态及粗糙度；B2、贴片机使用黄蜡，双抛硅片贴片滴蜡量为1±0.2ml片，甩蜡转速为2500±50rpm，贴片机大气囊压力为15kpa；B3、采用SPM-23五联机系列有蜡抛光机依次进行粗一抛光加工、粗二抛光加工、粗三抛光加工、中抛抛光加工、精抛抛光加工，抛光机台转速：粗一、粗二、粗三的抛光机台大盘转速均为25±5rpm，中心导轮转速为55±5rpm；中抛、精抛的抛光机台大盘转速为20±5rpm，抛光头转速为20±5rpm；粗一、粗二、粗三的抛光头压力根据设备状态和双抛硅片加工时的TAPER值在0-350kpa之间进行调节，中抛的抛光头压力为100kpa，精抛的抛光头压力为50kpa；粗一、粗二、粗三的粗抛光液流量为10±1Lmin，中抛抛光液流量为10±1Lmin，精抛抛光液流量为1.5±0.2Lmin；抛光时间：粗一、粗二、粗三抛光加工时间均为8—10min，中抛为8min,精抛为8min；C、对第二次抛光后的双抛硅片进行清洗，然后使用NAPSON几何测试机台对清洗后的双抛硅片进行TTV测试，根据测试数据进行分档；D、第三次抛光D1、第三次抛光为双抛硅片再一次正面抛光，对正面NAPSON几何测试机器手印记进行去除修复；D2、贴片机使用高粘度绿蜡，双抛硅片贴片滴蜡量为1.4±0.2ml片，甩蜡转速为1500±50rpm，贴片机大气囊压力为12kpa；D3、将贴完绿蜡的双抛硅片经过烤蜡膜烘箱，温度为240℃；D4、采用SPM-23五联机系列有蜡抛光机依次进行粗三抛光、中抛抛光、精抛抛光，抛光机台转速：粗三的抛光机台大盘转速为25±5rpm、中心导轮转速为55±5rpm，中抛、精抛的抛光机台大盘转速为20±5rpm、抛光头转速20±5rpm；粗三抛光液流量为10±1Lmin，中抛抛光液流量为10±1Lmin，精抛抛光液流量为1.5±0.2Lmin；粗三抛机台抛光头压力为0kpa，中抛机台抛光头压力为50kpa，精抛机台抛光头压力为50kpa；抛光时间：粗三抛光加工时间为1.5min，中抛为8min,精抛为8min；D5、最后隔片下载，防止双抛硅片蹭伤。

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