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摘要：本发明提供了一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法，包括对碳化硅晶圆的正面进行正面工艺加工，在碳化硅晶圆的正面贴膜。采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，去除碳化硅晶圆正面的薄膜，得到去除氧化物后晶圆。对去除氧化物后晶圆的背面进行减薄，得到减薄后晶圆。由于在碳化硅晶圆的正面贴膜，可以防止在去除氧化物的过程中腐蚀掉正面膜层。在减薄加工之前，先去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以降低减薄工艺的磨损比。相比于采用研磨的方式去除碳化硅晶圆背面的氧化物，采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以提高去除氧化物的效率，避免碳化硅晶圆产生较大的翘曲。
主权项：1.一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法，其特征在于，包括：对碳化硅晶圆的正面进行正面工艺加工；在所述碳化硅晶圆的正面贴膜；采用腐蚀法去除所述碳化硅晶圆背面的氧化物；去除所述碳化硅晶圆正面的薄膜，得到去除氧化物后晶圆；对所述去除氧化物后晶圆的背面进行减薄，得到减薄后晶圆。
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百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法
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