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摘要：本公开的各实施例涉及具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离；在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。
主权项：1.一种用于在相同的反应室中执行的碳化硅SiC晶片的生产工艺，包括：在支撑件上形成所述支撑件上的第一SiC层；将所述支撑件与所述第一SiC层分离；以及在所述第一SiC层上生长第二SiC层，其中生长所述第二SiC层包括：将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入所述反应室，以在所述第二SiC层中生成第一应力；将具有与所述第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入所述反应室，以在所述第二SiC层中生成与所述第一应力相对的第二应力；以及从晶种SiC层至少部分地去除所述支撑件，其中所述第一电导性为N型，所述第二电导性为P型，所述第一应力为压缩型，并且所述第二应力为拉伸型。
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百度查询： 意法半导体股份有限公司 具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法
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