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摘要:本文讨论的磁性隧道结MTJ结构的实施方式采用了铬Cr、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述的组合的一或多个层的种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用,与该种晶层接触的第一钉扎层可含有钴的单层,或可含有钴与钴及铂Pt、铱Ir、镍Ni或钯Pd的双层的组合。第二钉扎层可为与第一钉扎层相同的成分和配置,或与之不同的成分或配置。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持期望的磁特性。
主权项:1.一种器件,包含:磁性隧道结堆叠,包含:种晶层,接触缓冲层,其中所述种晶层包含铬Cr;第一钉扎层,接触所述种晶层,其中所述第一钉扎层包含多个双层,其中所述多个双层中的各双层包含:第一夹层及第二夹层,所述第一夹层由钴Co形成,且所述第二夹层由铂Pt、铱Ir、镍Ni或钯Pd形成;耦合层,接触所述第一钉扎层;第二钉扎层,接触所述耦合层,结构阻挡层,接触所述第二钉扎层;磁性参考层,接触所述结构阻挡层;隧道势垒层,接触所述磁性参考层;和磁性存储层,接触所述隧道势垒层。
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