龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底间的热膨胀系数不同造成的外延生长开裂问题，本发明提供的方法技术难度小，生长出的单晶膜完整性高，适合工业化生产应用。
主权项：1.一种单晶厚膜异质外延生长的方法，其特征在于，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) 一种单晶厚膜异质外延生长的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号