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摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体型场效应管及其制作方法，主要解决现有场效应管导通电阻过高、饱和电流过大的问题。该场效应管包括：衬底、两个外延层、沟槽、绝缘层、栅氧化层、屏蔽栅电极、极间隔离层、栅电极、三个注入区以及两个介质层；制作方法包括：首先通过外延生长技术在衬底上形成导电类型不同的第一、第二外延层，采用贯穿第二外延层延伸至第一外延层内的沟槽结构，然后在沟槽内依次生成绝缘层、栅氧化层、屏蔽栅电极、极间隔离层和栅电极，最后通过离子注入技术在第二外延层内形成第一注入区和两种不同导电类型的第二、第三注入区，并涂覆介质层。本发明有效提高了场效应晶体管的工作性能，具有导通电阻低、耐压性强的特点。
主权项：1.一种金属氧化物半导体型场效应管，其特征在于，包括：衬底、两个外延层、沟槽4、绝缘层5、栅氧化层6、屏蔽栅电极7、极间隔离层8、栅电极9、三个注入区以及两个介质层；其中衬底为硅锗合金衬底1，位于最下层；所述两个外延层分别为第一导电类型的第一外延层2和第二导电类型的第二外延层3，自下而上形成在硅锗合金衬底1上；所述沟槽4贯穿第二外延层3且延伸至第一外延层2中，沟槽4内部形成有屏蔽栅电极7和栅电极9；所述屏蔽栅电极7位于沟槽4下部，且与沟槽内壁之间有绝缘层5；屏蔽栅电极7上表面形成极间隔离层8，该隔离层之上为栅电极9，所述栅电极9与沟槽4内壁之间存在栅氧化层6；所述三个注入区均形成在第二外延层3中，分别为第一注入区10、第二注入区11和第三注入区12；其中第一注入区10形成在沟槽4之间；第二注入区11为第二导电类型，在第一注入区10上表面中间位置形成，且顶部与第二外延层3的上表面平齐；第三注入区12为第一导电类型，且位置远离第二注入区11；所述两个介质层分别为第二外延层3上表面涂覆的第一介质层13和第二介质层14,且第二介质层14位于第一介质层13之上。
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百度查询： 西安建筑科技大学 一种金属氧化物半导体型场效应管及其制作方法
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