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摘要：本发明提供用于形成能够形成所期望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、及使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。所述组合物为甲基丙烯酸类聚合物的侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，而且还包含有机溶剂的EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中不包含上述甲基丙烯酸类聚合物以外的聚合物。上述有机基团为具有被保护基取代的氨基或被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。
主权项：1.一种EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有甲基丙烯酸类聚合物以及有机溶剂，所述甲基丙烯酸类聚合物为甲基丙烯酸类聚合物在侧链具有被保护基取代的碱性有机基团，并且，所述EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物不包含所述甲基丙烯酸类聚合物以外的聚合物，所述有机基团为具有被保护基取代的氨基的酰氧基或具有被保护基取代的含氮杂环的酰氧基。
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百度查询： 日产化学株式会社 EUV抗蚀剂下层膜形成用组合物
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