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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2022-01-26
公开（公告）日：2024-12-20
公开（公告）号：CN119173042A
专利技术分类：..具有单元选择晶体管的，例如，NAND[2023.01]
专利摘要：本申请涉及半导体存储器装置。一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：在基板上的栅极层叠物，该栅极层叠物包括在垂直方向上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，其穿过栅极层叠物并且具有突出到栅极层叠物上方的上端部；存储器层，其围绕沟道结构的侧壁；以及源极层，其形成在栅极层叠物上。沟道结构包括在沟道结构的中央区域中在垂直方向上延伸的芯绝缘层以及围绕芯绝缘层的侧壁的沟道层，沟道层形成为在垂直方向上低于芯绝缘层和存储器层。
专利权项：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：在基板上的栅极层叠物，所述栅极层叠物包括在垂直方向上交替层叠的层间绝缘层和导电图案；沟道结构，所述沟道结构穿过所述栅极层叠物并且具有突出到所述栅极层叠物上方的上端部；存储器层，所述存储器层围绕所述沟道结构的侧壁；以及源极层，所述源极层形成在所述栅极层叠物上，其中，所述沟道结构包括：芯绝缘层，所述芯绝缘层在所述沟道结构的中央区域中在所述垂直方向上延伸；以及沟道层，所述沟道层围绕所述芯绝缘层的侧壁，所述沟道层在所述垂直方向上比所述存储器层低，其中，所述源极层被形成为多层结构。
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置
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