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申请/专利权人：出光兴产株式会社
申请日：2023-05-25
公开（公告）日：2024-12-31
公开（公告）号：CN119234318A
专利技术分类：......薄膜晶体管[2006.01]
专利摘要：一种层叠结构10，具有以In为主成分的晶体氧化物半导体膜11和与所述晶体氧化物半导体膜11相接地层叠的绝缘膜12，所述晶体氧化物半导体膜11具有1个以上的如下区域：稀有气体浓度处于0.5at％以上且小于5at％的范围内并且在膜厚方向上以3nm以上连续的区域。
专利权项：1.一种层叠结构，其特征在于，具有：以In为主成分的晶体氧化物半导体膜；与所述晶体氧化物半导体膜相接地层叠的绝缘膜，所述晶体氧化物半导体膜具有1个以上的如下区域：稀有气体浓度处于0.5at％以上且小于5at％的范围内并且在膜厚方向上以3nm以上连续的区域。
百度查询： 出光兴产株式会社 层叠结构及薄膜晶体管
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