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申请/专利权人：苏州聚谦半导体有限公司
申请日：2023-07-12
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325253A
专利技术分类：
专利摘要：本发明公开了一种自对准双外延超结MOSFET及制造方法，包括：设于衬底上的半导体层，半导体层中设有沿半导体层表面分布的多个体区，每个体区中设有一个位于半导体层表面以下的源区；自对准设于每个源区上方的半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对第一侧墙之间穿设于半导体层中的超结沟槽；设于超结沟槽中并与体区相连的第一种导电类型的第一外延层和第二种导电类型的第二外延层；设于相邻两对第一侧墙之间的半导体层表面上的栅氧层和栅极。本发明能在减少光罩实现自对准的同时，对离子植入的范围进行准确调整，并可将漂移区直接改成本征半导体层，从而可在提高耐压的同时，降低导通电阻。
专利权项：1.一种自对准双外延超结MOSFET，其特征在于，包括：设于衬底上的半导体层，所述半导体层中设有沿所述半导体层表面分布的多个第二种导电类型的体区，每个所述体区中设有一个位于所述半导体层表面以下的第一种导电类型的源区；自对准设于每个所述源区上方的所述半导体层表面上的一对第一侧墙；自每对所述第一侧墙之间穿设于所述半导体层中的超结沟槽；设于所述超结沟槽内壁上的第一种导电类型的第一外延层，和设于所述第一外延层以内的所述超结沟槽中的第二种导电类型的第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层通过面向所述半导体层表面的顶部与所述体区相连；依次设于相邻两对所述第一侧墙之间的所述半导体层表面上并与所述源区形成部分交叠的栅氧层和栅极。
百度查询： 苏州聚谦半导体有限公司 自对准双外延超结MOSFET及制造方法
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