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申请/专利权人：泰瑞达公司
申请日：2023-06-16
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119325562A
专利技术分类：.电路的测试，例如用信号故障寻测器（在准备运算或空闲时间期间内测试计算机入G06F11/22）[2006.01]
专利摘要：本公开的各方面涉及一种用于为逆变器配置中的功率晶体管提供具有可编程阻抗和负栅极‑源极电压Vgs的关断状态电路路径以防止栅极电压毛刺的电路及其操作方法。在当另一个互补功率晶体管接通或关断时的快速电压瞬变dVdt期间，由于跨处于关断状态的功率晶体管的栅极路径生成米勒电流，所以可能发生栅极电压毛刺。根据一个方面，使用负栅极‑源极电压来关闭功率晶体管可减轻当互补功率晶体管接通时由大电压瞬变引起的栅极电压尖峰，从而防止功率晶体管的寄生接通。根据另一方面，提供了具有可编程阻抗的关断状态电路路径，在互补功率晶体管接通之前，该关断状态电路路径可控地处于低阻抗状态，使得低阻抗关断状态电路路径防止功率晶体管的栅极电压毛刺。
专利权项：1.一种用于测试待测设备（DUT）的自动化测试装备（ATE），所述DUT包括第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极端子和源极端子，所述ATE包括：第一控制电路，所述第一控制电路被配置为驱动所述第一晶体管；第二控制电路，所述第二控制电路被配置为驱动第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极端子和源极端子，所述第二晶体管在逆变器配置中耦接到所述第一晶体管，每个控制电路包括：栅极线，所述栅极线被配置为连接到对应晶体管的所述栅极端子；源极线，所述源极线被配置为连接到对应晶体管的所述源极端子；第一电路路径和第二电路路径，所述第一电路路径和所述第二电路路径并联连接在所述栅极线与所述源极线之间，其中所述第一电路路径被配置为相对于所述源极线用正电压可切换地偏置所述栅极线，所述第二电路路径被配置为相对于所述源极线用负电压可切换地偏置所述栅极线，并且包括可编程电阻。
百度查询： 泰瑞达公司 用于降低碳化硅MOSFET栅极电压毛刺的方法
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