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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司

申请日：2024-12-31

公开（公告）日：2025-02-07

公开（公告）号：CN119403161A

专利技术分类：

专利摘要：本发明提供了一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；离子注入，形成低阻区；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+阱区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积绝缘介质；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成悬浮栅；重新形成阻挡层，刻蚀阻，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至P型阱区上侧面，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，降低栅漏电容，提高器件的开关速度，降低开关损耗。

专利权项：1.一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、通过对漂移层进行离子注入，形成低阻区；步骤3、形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，通过向低阻区进行离子注入，形成第一阱区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第二阱区，P+阱区包括第一阱区以及第二阱区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀漂移层以及低阻区，在所述低阻区内形成凹槽，淀积绝缘介质；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质，之后淀积金属，形成悬浮栅；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质层，形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层；步骤11、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至P型阱区上侧面，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备。

百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法