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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日：2014-09-26
公开（公告）日：2020-07-10
公开（公告）号：CN111403472A
专利技术分类：...具有连接到1个通有待整流、放大或切换的电流的电极上去的半导体区域的；并且这样的电极又是包含3个或更多个电极的半导体器件的组成部分的[2006.01]
专利摘要：本申请公开沟槽栅极沟槽场板垂直MOSFET。在所描述的示例中，一种具有垂直漏极延伸MOS晶体管110的半导体器件100可以通过形成深沟槽结构104以定义晶体管110的至少一个垂直漂移区108而形成，使得每个垂直漂移区108在至少两个对侧上被深沟槽结构104限制。深沟槽结构104被间隔开以形成漂移区108的RESURF区域。沟槽栅极114被形成在衬底102中的沟槽内并位于垂直漂移区108上方。本体区118位于衬底102内并在垂直偏移区108上方。
专利权项：1.一种在半导体衬底中形成的垂直漏极延伸晶体管，其包括：在所述半导体衬底的表面上的多个区域，其中每个所述区域由第一封闭边界和与所述第一封闭边界间隔开的第二封闭边界限定，并且所述第一封闭边界由第一沟槽限定，并且所述第二封闭边界由第二沟槽限定，并且包括：第一导电类型的源区，其形成在所述半导体衬底的所述表面上，从所述第一封闭边界穿过所述第一封闭边界和所述第二封闭边界之间的整个区域水平延伸到所述第二封闭边界，并且在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间垂直延伸；第二导电类型的本体区，其形成在所述源区下方；以及所述第一导电类型的垂直定向漂移区，其形成在所述本体区下方，其中：所述第一沟槽包括在所述第一沟槽的侧面和底部上形成的绝缘衬层以及在所述绝缘衬层上形成并电连接到所述源区的导电材料；所述第二沟槽包括在所述第二沟槽的侧面和底部上形成的第一栅极介电层和在所述第二沟槽中的所述第一栅极介电层上形成的第一沟槽栅极；所述本体区接触所述第二沟槽的所述侧面处的所述第一栅极介电层；所述垂直定向漂移区接触所述第二沟槽的所述底部处的所述第一栅极介电层；并且所述第一沟槽比所述垂直定向漂移区的顶部深。
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