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  • 本发明涉及一种输出压力可调的减压阀,其包含一级减压系统,二级减压系统,调压模块;一级减压系统,二级减压系统,调压模块分别设置在壳体的第一端口,壳体的第二端口,壳体的第三端口中;其特征在于,调压模块包含调压弹性体以及可旋转端盖;调压弹性体的内...
  • 本发明涉及一种高压气体用两级系统减压阀,其包含第一减压系统以及第二减压系统,第一减压系统容纳在阀体一端的第一腔体中,第二减压系统容纳在阀体的另一端第二腔体中;第一腔体与第二腔体通过中间内部通道连通;中间内部通道在远离第一腔体的方向上依次设有...
  • 根据本发明的实施方式的电池组包括:一个或多个第一电池模块,每个第一电池模块包括多个电池电芯;以及一个或多个第二电池模块,每个第二电池模块包括多个电池电芯,邻近相应的第一电池模块设置,其中,第一电池模块和第二电池模块具有不同的最大荷电状态(S...
  • 本发明的目的为提供一种光学薄膜,能够抑制在高温高湿下长时间使用时的初期密合性的降低,同时抑制因延伸等而易粘接层白化、光学特性降低。一种光学薄膜,其特征在于,具有含有丙烯酸系树脂作为主要成分的树脂薄膜、层叠在树脂薄膜一侧的表面而成的易粘接层的...
  • 本发明提供一种金属化膜,其中即便在树脂表面形成导电性薄膜层,接触电阻也低于表面电阻,能够不断裂地搬送等后续工序适性优异,并且与正极活性物质的密接力也优异。一种二次电池正极用金属化膜,在树脂膜的至少一个表面形成有铝金属层,并且利用ACOM‑T...
  • 本发明为一种热成型装置(100),其借助加热单元(110)来进行树脂制片材(S)的加热,并使用模具(200)来进行树脂制片材(S)的模具赋形,其中,树脂制片材(S)保持在配置于上部的第一腔室(101)与配置于下部的第二腔室(102)之间,该...
  • 本发明的课题在于开发包含TLR7/8双激动剂化合物的抗体药物复合体或其盐,提供用于在各种癌症的预防或治疗中使用的医药组合物。本发明人发现了具有TLR7/8双激动剂作用的化合物或其盐,对能够成为各种癌症的预防或治疗用医药组合物的有效成分的抗体...
  • 本发明公开了一种半导体外延片及其工艺方法,半导体外延片包括:衬底、位于衬底上的N型氮化物层、氮化物发光层及P型氮化物复合层。P型氮化物复合层包括P型氮化物种子层以及自下而上循环交替层叠生成的连接层和P型氮化物子层,P型氮化物种子层及P型氮化...
  • 本申请提供一种驱动背板、外延片及制备方法、显示模组、电子设备,涉及电子技术领域,用于提高显示模组中发光器件的效率。驱动背板,包括衬底、驱动电路层、反射层以及第一键合层,驱动电路层、反射层以及第一键合层依次设置在衬底的同一侧。反射层包括层叠设...
  • 本公开提出一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体层。半导体层具有相对的第一表面和第二表面。半导体层包括:源极区和栅极区。源极区包括N型源区、第一P型体层和载流子存储层。栅极区包括栅氧化层和多晶硅。多晶硅的侧壁和底部被栅氧化层包围。...
  • 一种半导体电力装置,包括有源区,有源区包括第一导电类型的漂移区;第二导电类型的体区,其中第二导电类型与第一导电类型相反;超级结区,其至少部分地布置在漂移区与体区之间,超级结区包括:第一导电类型的第一柱,第二导电类型的第二柱的至少一部分,第一...
  • 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法,所述半导体器件包括:衬底;第一掺杂区,位于衬底上,掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度;结隔离结构,包括第一埋藏区和与第一埋藏区直接接触的第二埋藏区,第一埋藏区位于第一掺杂区上,第二埋藏区位...
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法,其中,半导体结构的形成方法包括:提供一基底,在基底的表面自下而上依次形成栅氧化层和栅极结构,栅极结构暴露出栅氧化层的周边区域;对栅氧化层两侧的基底刻蚀以形成沟槽;对周边区域执行离子注入形成防扩散区域以防...
  • 本申请公开了一种上行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质,属于通信技术领域,本申请实施例的上行波束管理方法包括:终端向网络侧设备发送N个第一信号,第一信号用于确定目标上行传输的波束,N为正整数;其中,第一信号包括以下任一项:第一上行信号;...
  • 本申请公开了一种下行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质,属于通信技术领域,本申请实施例的下行波束管理方法包括:终端接收网络侧设备发送的N个第一信号,该第一信号用于确定目标下行传输的目标波束,N为正整数;其中,第一信号包括以下至少一项:第...
  • 本发明实施例提供了一种调试方法及终端设备,包括:调试端设备向运维平台发送针对终端设备的调试开启指令,调试信息代理服务器建立连接,订阅与调试响应相关的消息主题;应用管理服务器向终端设备转发调试开启指令;终端设备响应于调试开启指令,与调试信息代...
  • 本发明提供了一种包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:将富锂锰基前驱体与锂源进行混合和一次焙烧、粉碎过筛,得到富锂锰基一次粉碎料;将富锂锰基一次粉碎料与共沉淀反应原料液相混合,进行共沉淀反应,共沉淀反应原料包括...
  • 本发明公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件,所述半导体器件的制备方法包括:在碳化硅衬底上生长栅氧膜层;通过氮化退火工艺对所述栅氧膜层进行第一次退火处理;通过惰性气体退火工艺对所述栅氧膜层进行第二次退火处理。采用该制备方法可以有效减低界...
  • 本申请提供一种柔性显示面板以及显示装置,涉及显示技术领域,柔性显示面板包括背膜以及设置在背膜一侧的基板;柔性显示面板具有主体结构区、绑定区以及位于主体结构区与绑定区之间的弯折区,主体结构区包括显示区以及围绕显示区的封装区;基板包括第一金属层...
  • 本申请公开了一种串扰补偿效果的确定方法、装置、电子设备以及存储介质,涉及电子设备技术领域。该方法包括:获取已补偿图像,其中,已补偿图像通过对存在串扰跳变的图像进行串扰补偿获得,将已补偿图像中产生串扰跳变的区域确定为第一区域,并将已补偿图像中...
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