Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 自动驾驶冗余控制系统及方法
    自动驾驶冗余控制系统及方法_苏州挚途科技有限公司_202311425996.6
    本申请公开了一种自动驾驶冗余控制系统及方法。其中，该系统包括：互为冗余的第一主控制单元和第二主控制单元，多组互为冗余的第一子控制单元和第二子控制单元，以及仲裁单元，第一主控制单元控制所有第一子控制单元构成第一控制链路，控制所有第二子控制单元...
    2025-06-30
  • 一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备
    一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备_上海山科机器人有限公司_202311422465.1
    本发明实施例提供了一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备，涉及自主作业设备技术领域领域。控制方法包括：基于接收到的来源于目标控制器的故障信号和/或检测到出现的故障，确定所述自主作业设备所发生故障的当前故障类型，所述目标控制器至少包括：自主...
    2025-06-30
  • 一种BM-less面板制作方法及显示面板
    一种BM-less面板制作方法及显示面板_成都九天画芯科技有限公司_202311419246.8
    本发明公开了一种BM‑less面板制作方法，包括：在玻璃基板上依次形成金属膜层和整面阻挡层；在所述阻挡层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成多晶硅有源层图形，得到第一晶体管的沟道区、第一源漏极和第二源漏极；在有源层上整面形成栅极绝缘层；在所述栅...
    2025-06-30
  • 一种门玻璃冲洗装置及滚筒洗衣机
    一种门玻璃冲洗装置及滚筒洗衣机_苏州三星电子有限公司_202311422218.1
    一种门玻璃冲洗装置，包括有进水阀、冲洗管路和喷嘴，进水阀与喷嘴通过冲洗管路连通，并以进水阀至喷嘴方向定义为进水方向，反之则为回流方向，还包括有防回流料盒和单向阀，防回流料盒设置在进水阀和喷嘴之间且具有一与冲洗管路连通的冲洗管道，冲洗管道内沿...
    2025-06-30
  • 一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法
    一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法_有研稀土新材料股份有限公司_202311422377.1
    本发明公开了一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法，包括如下步骤：依次采用第一浸取剂溶液和第二浸取剂溶液对离子型稀土矿进行浸出，得到稀土浸出液；采用有机萃取剂对稀土浸出液进行离心萃取，得到负载稀土有机相和含铝萃余液；对含铝萃余液进行调配，得...
    2025-06-30
  • 一种分体式井下供电电缆输送结构
    一种分体式井下供电电缆输送结构_中国石油集团渤海钻探工程有限公司_202311417076.X
    本发明涉及井下供电电缆输送技术领域，尤其涉及一种分体式井下供电电缆输送结构，旨在解决因电缆表面附着泥沙、杂质导致电缆出现打滑的现象，影响电缆正常输送的问题。本发明包括输送单元和清理单元；输送单元包括电缆盘，电缆盘可绕自身轴线转动以释放电缆；...
    2025-06-30
  • 一种双轨道式焊接装置
    一种双轨道式焊接装置_合肥常青机械股份有限公司_202311417323.6
    本发明提供一种双轨道式焊接装置，涉及焊接技术领域，包括整体结构和辅助结构，所述辅助结构位于整体结构的底部两侧前后位置；所述整体结构包括底板，所述底板的顶部固定连接有若干个均匀分布的第一框架，所述第一框架的内表面中心处固定安装有电动滑台，所述...
    2025-06-30
  • 一种新型加氢催化剂及其制备方法
    一种新型加氢催化剂及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202311420249.3
    一种新型加氢催化剂及其制备方法，属于催化剂技术领域。包括如下步骤：1）取海泡石于去离子水中浸泡，沉降，除杂，得物质a；2）将物质a与偏钛酸混匀，加扩孔剂、粘合剂和水，成型，干燥，焙烧，得载体b；3）配制钴盐和镍盐的混合溶液，加钼盐、络合剂和...
    2025-06-30
  • 显示面板、显示面板制备方法及显示装置
    显示面板、显示面板制备方法及显示装置_成都辰显光电有限公司_202311436983.9
    本申请公开了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置，显示面板，包括：基板；像素电路层，设于基板一侧；发光元件，设于基板一侧，发光元件和像素电路层同层设置，且发光元件和像素电路层电连接。本发明实施例所提供的显示面板包括基板、像素电路层以及发...
    2025-06-30
  • 深紫外发光单元及消杀装置
    深紫外发光单元及消杀装置_中国科学院半导体研究所_202311430892.4
    本公开涉及一种深紫外发光单元，包括第一基板、发光部以及监测部。其中，第一基板的一侧表面设置有凹槽；发光部，设置于凹槽内，适用于向凹槽的外部输出深紫外光；以及监测部，设置于凹槽内，适用于探测由发光部输出的深紫外光。通过将发光部和监测部同时封装...
    2025-06-30
  • 太阳能电池及其制备方法和用电装置
    太阳能电池及其制备方法和用电装置_横店集团东磁股份有限公司_202311445920.X
    本申请提供一种太阳能电池及其制备方法和用电装置，太阳能电池的制备方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底的一侧表面上制备发射层；在所述衬底的另一侧表面上，利用等离子体增强化学气相沉积依次制备隧穿氧化硅层、本征硅层、第一掺杂多晶硅层以及第二掺杂...
    2025-06-30
  • 太阳能电池正面钝化层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池正面钝化层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202311443490.8
    本发明涉及一种太阳能电池正面钝化层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。太阳能电池正面钝化层的制备方法为：通入水蒸气对硅片的发射极进行吹扫和水汽氧化，得到二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面沉积钝化层；其中，所述水汽氧化的条件为：控制温度为30...
    2025-06-30
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_思特威(上海)电子科技股份有限公司_202311434853.1
    本发明描述了一种图像传感器的制作方法，包括：提供半导体衬底；使用光刻工艺在半导体衬底上形成第一光刻图形；基于第一光刻图形进行第一类型离子注入，以在半导体衬底内形成第一掺杂区；移除第一光刻图形；在半导体衬底上进行沟槽隔离工艺，以形成浅槽隔离区...
    2025-06-30
  • 光敏晶体管及显示面板
    光敏晶体管及显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202311433955.1
    本发明公开了一种光敏晶体管及显示面板。光敏晶体管包括有源层、栅极绝缘层以及第一透明电极层。有源层设置在衬底上，有源层形成有沟道区。栅极绝缘层设置在有源层上，并覆盖沟道区。第一透明电极层至少部分设置在栅极绝缘层上，以形成光敏晶体管的栅极，沟道...
    2025-06-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311438236.9
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；占位层，凸于基底，占位层沿第一方向延伸，且沿第二方向平行排布，第一方向垂直于第二方向；工作鳍部，位于占位层上；栅极结构，位于基底上，栅极结构横跨工作鳍部，并覆盖工作鳍部的部分顶部和部分侧壁，栅极结...
    2025-06-30
  • 半导体器件结构、形成方法和射频开关
    半导体器件结构、形成方法和射频开关_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202311431252.5
    本申请涉及半导体器件结构、形成方法和射频开关，该半导体器件结构包括衬底，位于衬底上的栅极结构，位于衬底内的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区均包括并排分布的至少两个子掺杂区，第一掺杂区和/或第二掺杂区中，...
    2025-06-30
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311429713.5
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，其包括形成有第一栅极结构的第一区及形成有第二栅极结构的第二区，第一栅极结构及第二栅极结构的顶部均设有硬掩模层；在第一栅极结构两侧的衬底中形成外延结构；形成刻蚀停止层覆盖衬底的表面、第一栅...
    2025-06-30
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311429711.6
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，其包括形成有第一栅极结构的第一区及形成有第二栅极结构的第二区；形成第一图形化的掩模覆盖衬底、第一栅极结构及第二栅极结构，并暴露部分高度的第二栅极结构；执行蚀刻工艺去除第二栅极结构上部分高...
    2025-06-30
  • 双向瞬态电压抑制器
    双向瞬态电压抑制器_力特半导体(无锡)有限公司_202311439795.1
    一种双向瞬态电压抑制器装置、结构及其相关方法。该装置包括衬底硅层、第一硅基层和第二硅基层。衬底硅层耦合到第一硅基层。预基硅层形成在衬底硅层和第二硅基层之间。第二硅基层耦合到预基硅层。预基层的极性不同于第二硅基层的极性。
    2025-06-30
  • 半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法
    半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法_长江存储科技有限责任公司_202311450067.0
    本申请实施方式提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：多个半导体柱，沿第一方向和第二方向阵列排布，并且每个半导体柱沿第三方向延伸；屏蔽结构，位于相邻的半导体柱之间，并沿第一方向延伸；第一连接结构，位于屏蔽...
    2025-06-30
首页 上一页 111 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证