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最新专利技术
  • 一种锁定结构及具有该锁定结构的CT扫描架
    一种锁定结构及具有该锁定结构的CT扫描架_安络杰医疗器械(上海)有限公司_202510438248.4
    本申请公开了一种锁定结构及具有该锁定结构的CT扫描架，涉及CT扫描器械领域，其包括安装板、驱动杆、抵紧板和驱动驱动杆滑移的驱动组件，所述驱动杆与安装板滑移配合，所述抵紧板与驱动杆的端部固定连接。本申请有助于保证安装维护工作的效率，并提高安全...
    2025-07-28
  • 一种集成食管反流与呕吐反射检测的套管装置及应用方法
    一种集成食管反流与呕吐反射检测的套管装置及应用方法_深圳市中医院_202510436902.8
    本发明涉及集成食管反流与呕吐反射检测的套管装置及应用方法，包括套管，套管的前端设置有环形的检测头；检测头的外侧表面分布设置有多个呈瓣状分布的气囊，多个气囊通过导气管连通，导气管的另一端延伸至套管外；装置还包括充放气单元以及气压传感器；检测头...
    2025-07-28
  • 一种冷调腌制蚝油牛柳加工系统及加工工艺
    一种冷调腌制蚝油牛柳加工系统及加工工艺_福建易太食品发展有限公司_202510437451.X
    本发明涉及牛肉腌制技术领域，具体是一种冷调腌制蚝油牛柳加工系统及加工工艺，包括底座，所述底座的底部内壁安装有电机，所述电机输出轴的一端通过联轴器连接有转动杆，所述转动杆的一侧外壁固定连接有主齿轮，还包括；腌制机构，所述腌制机构设置于底座内壁...
    2025-07-28
  • 基于睡眠剥夺联合跑台实验的小鼠脑体失能模型构建方法
    基于睡眠剥夺联合跑台实验的小鼠脑体失能模型构建方法_中国人民解放军军事科学院军事医学研究院_202510438623.5
    本申请涉及脑体失能模型构建技术领域，公开了一种基于睡眠剥夺联合跑台实验的小鼠脑体失能模型构建方法。该方法包括：随机分组小鼠并安装传感器采集基础值；进行三天跑台适应训练记录参数；确定个体化造模方案；按周期结构造模并实时调整速度；通过行为学测试...
    2025-07-28
  • 一种林业育苗培育用的灌溉装置
    一种林业育苗培育用的灌溉装置_国有息县林场_202510439866.0
    本发明公开了一种林业育苗培育用的灌溉装置，涉及林业育苗灌溉技术领域。包括基板，混合搅拌组件，设置在基板顶端，用于对林业育苗用的肥料与水进行混合，根部截取组件，设置在基板一侧的辅板顶端，用于调节林业育苗的灌溉深度，以对不同深度层次的树苗根部进...
    2025-07-28
  • 一种油用牡丹种子消毒装置
    一种油用牡丹种子消毒装置_成武县林业发展服务中心_202510437765.X
    一种油用牡丹种子消毒装置，包括后机架，所述后机架上转动连接一组链轮，一组链轮外侧转动连接链条，链条呈连续方波形状布置,链条上均匀分布一组存种装置，后机架前侧设有机架,机架前侧设有前槽,后机架、机架、前槽之间形成封闭相互独立的三个空间，存种装...
    2025-07-28
  • 一种压电结构及其制备方法
    一种压电结构及其制备方法_成都纤声科技有限公司_202510443521.2
    本申请提供一种压电结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。压电结构包括基底层、基底层上的至少两层电极层，以及设置在相邻的两层电极层之间的压电层，电极层和其上的压电层之间设有保护层，保护层一个表面与电极层贴合、另一个表面与压电层贴合；刻蚀压电层...
    2025-07-28
  • N型碳基场效应晶体管及其制备方法
    N型碳基场效应晶体管及其制备方法_山东省科学院激光研究所_202510442438.3
    本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种N型碳基场效应晶体管及其制备方法。N型碳基场效应晶体管的制备方法包括：制备底栅结构的基础碳基场效应晶体管，底栅结构包括导电沟道层，导电沟道层为碳基材料；对基础碳基场效应晶体管进行洁净化处理并加热，以...
    2025-07-28
  • 显示模组及其制备方法
    显示模组及其制备方法_惠科股份有限公司_202510445514.6
    本申请公开了一种显示模组及其制备方法。显示模组包括：发光基板，包括依次设置的衬底、第一驱动电路层和发光层，发光层包括多个发光单元，发光单元与第一驱动电路层电连接；微流控功能层，设置于发光层远离衬底的一侧，微流控功能层包括多个发光像素区和多个...
    2025-07-28
  • 显示模组及其制备方法
    显示模组及其制备方法_惠科股份有限公司_202510445520.1
    本申请公开了一种显示模组及其制备方法，显示模组包括：驱动基板，包括衬底和驱动电路层，驱动电路层包括多个薄膜晶体管；微流控功能层设于驱动电路层一侧，包括电极层、绝缘层和疏水层；微流控功能层包括多个发光像素区和多个通道像素区，均呈多行分布，每行...
    2025-07-28
  • 显示模组及其制备方法
    显示模组及其制备方法_惠科股份有限公司_202510445516.5
    本申请公开了一种显示模组及其制备方法。显示模组包括：发光基板，包括依次设置的衬底、第一驱动电路层和发光层，发光层包括多个发光单元，发光单元与第一驱动电路层电连接，发光单元为有机发光二极管，衬底为透明衬底；微流控功能层，设置于衬底远离发光层的...
    2025-07-28
  • 驱动基板、显示面板、显示面板的制备方法
    驱动基板、显示面板、显示面板的制备方法_惠科股份有限公司_202510445513.1
    本申请公开了一种驱动基板、显示面板、显示面板的制备方法，驱动基板包括多个第一发光像素区和多个第一通道像素区，每个第一发光像素区与至少一个第一通道像素区相邻设置；驱动基板包括依次设置的第一衬底、驱动电路层和第一电极层，第一电极层包括多个阳极电...
    2025-07-28
  • 一种氮化镓剥离方法及装置
    一种氮化镓剥离方法及装置_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202510446615.5
    本发明公开了一种氮化镓剥离方法及剥离装置。所述方法包括：使第一激光和第二激光合束并照射氮化镓外延片，且使第一激光及第二激光的聚焦光斑在氮化镓外延片的氮化镓层与衬底的界面处重合，从而将氮化镓层与衬底分离。本发明利用飞秒脉冲辅助纳秒脉冲对氮化镓...
    2025-07-28
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202510446529.4
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，其中，太阳能电池包括：基底；在第一表面交替排布的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层与相邻的第二掺杂层之间由隔离区间隔；第一掺杂层的导电类型和基底的导电类型不同；第一掺杂层包括第一掺杂部；隔离区...
    2025-07-28
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202510445493.8
    本发明适用太阳能电池技术领域，提供一种太阳能电池组件及光伏系统，太阳能电池组件包括第一盖板、第一胶膜、电池串、第二胶膜和第二盖板，电池串包括：若干个电池片，电池片包括第一表面、第二表面、侧表面；若干根焊带，相邻两个电池片通过焊带连接，焊带包...
    2025-07-28
  • 太阳能电池及其制造方法
    太阳能电池及其制造方法_晶科能源(海宁)有限公司_202510445235.X
    本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池的制造方法包括：提供基底，所述基底具有第一导电类型；在所述基底的一侧表层内掺杂具有第二导电类型的掺杂元素，以形成发射极，所述第二导电类型与所述第一导电类型的导电类型相反；在所述发射极的表面上进...
    2025-07-28
  • 半导体器件及制备方法
    半导体器件及制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510444324.2
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及制备方法，该制备方法包括：提供一衬底，于所述衬底的一侧形成埋氧层；在所述埋氧层朝向所述衬底的一侧进行离子注入；于所述埋氧层背离所述衬底的一侧形成外延层和硬掩模层；对所述硬掩模层和所述外延层进行...
    2025-07-28
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510443713.3
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底内包括阱区、漂移区、漏区及源区，漂移区位于阱区内，漏区位于漂移区内，漏区的外侧壁包括沿第二方向分布的两个第一侧壁和沿第一方向分布的两个第二侧壁；源区位于第一侧壁一侧的阱区内；浅沟槽...
    2025-07-28
  • 一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备
    一种增强型氮化镓功率晶体管及电子设备_顶诺微电子(北京)有限公司_202510445178.5
    本申请涉及半导体领域中一种增强型氮化镓功率晶体管，其特征在于包括缓冲层；位于所述缓冲层上方的势垒层；位于所述势垒层上方的源电极和漏电极；位于所述势垒层上方的至少一个第一栅极，其中所述第一栅极包括P型氮化镓；位于所述势垒层上方并包围所述第一栅...
    2025-07-28
  • 一种新型GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构
    一种新型GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构_江苏镓宏半导体有限公司_202510444368.5
    本发明涉及一种新型GaN高阻层设计的GaN基HEMT外延结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底，缓冲层，位于衬底之上，高阻层，位于缓冲层之上，所述高阻层包括第一功能子层、第二功能子层和第三功能子层，沟道层位于高阻层之上，势垒层位于高阻层之上...
    2025-07-28
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