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一种酸菜促生乳杆菌CZ25、菌剂、菌剂制备方法及其应用
本发明涉及微生物技术领域,具体公开了一种酸菜促生乳杆菌CZ25、菌剂、菌剂制备方法及其应用,于2024年9月18日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,其保藏编号为:CGMCC NO.31988,酸菜促生乳杆菌CZ25具有序列表...
产新型IIa类细菌素戊糖片球菌、其应用及分泌型工程菌构建
本发明提供了一种戊糖片球菌(
Pediococcus pentosus
)ZPP083菌株,该戊糖片球菌保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为:CGMCC No.31944。本发明提供的戊糖片球菌抑菌效果较强...
一种用于发酵生产D-泛醇的重组菌及其应用
本发明公开了一种用于发酵生产D‑泛醇的重组菌及其应用。本发明涉及生物技术领域,提供了一种用于发酵生产D‑泛醇的重组菌,其为在底盘宿主菌中表达酪氨酸脱羧酶和D‑泛酸合成酶后所得;所述底盘宿主菌为能够利用葡萄糖合成D‑泛解酸和L‑高丝氨酸的大肠...
PagSIZ1基因在调控杨树生长发育中的应用
本发明公开了PagSIZ1基因在调控杨树生长发育中的应用,属于基因工程技术领域,本发明提供了PagSIZ1基因在调控杨树生长发育中的应用,PagSIZ1基因的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。一种包含PagSIZ1基因的载体。及载体在...
棉花GhDRP2基因在负调控棉花抗旱性中的应用
本发明公开了一种棉花
GhDRP2
基因在负调控棉花抗旱性中的应用,属于基因工程技术领域,本发明通过病毒诱导的基因沉默技术(VIGS)对棉花中
GhDRP2
基因进行干涉,干涉掉
GhDRP2
基因后显著增强棉...
一种工程化外泌体的制备方法及应用
本发明公开了一种工程化外泌体的制备方法及应用,涉及生物技术领域。本发明提供了一种工程化外泌体的制备方法,包括载体构建步骤,为将CD63‑VEGF构建到FUGW载体中,并将FUGW载体中的Ubc启动子替换为EF1a,得到FUGW(EF1a)‑...
R-(-)-3-(氨甲酰甲基)-5-甲基己酸合成蛋白及其突变体与应用
本发明公开了R‑(‑)‑3‑(氨甲酰甲基)‑5‑甲基己酸合成蛋白及其突变体与应用。本发明涉及生物技术领域,提供了一种制备R‑(‑)‑3‑(氨甲酰甲基)‑5‑甲基己酸的方法,包括:以3‑异丁基戊二酰亚胺为底物,以特定蛋白或能够表达所述特定蛋白...
一种玉米低聚肽的生产方法
本发明提供了一种玉米低聚肽的生产方法,属于玉米低聚肽技术领域;所述生产方法包括预处理、制备酶载体、制备功能酶和酶解步骤;所述预处理步骤为,向玉米黄粉中加入50‑90wt%的乙醇溶液浸提处理或者是加入10‑60wt%的碳酸氢钠溶液搅拌处理,处...
一种与猪肌肉中乙偶姻含量相关的分子标记及其应用
本发明属于酶、核酸或微生物的测定或检验方法技术领域中一种与猪肌肉中乙偶姻含量相关的分子标记及其应用。本发明所要解决的技术问题是提供与猪肌肉中乙偶姻含量相关的分子标记。为解决该技术问题,本发明提供了通过全基因组关联(GWAS)分析得到的分子标...
一种高炉出铁口的三维定位方法及堵口路径生成方法
本申请提供一种高炉出铁口的三维定位方法及堵口路径生成方法,所述方法包括:采用端面为第一形状的铁口本体,铁口本体上设置有出铁口,出铁口设置在铁口本体的端面中心;基于激光测距模块建立第一三维坐标系,并获取端面在第一三维坐标系中的第一位置信息;基...
一种钢管退火炉
本发明涉及一种钢管退火炉,包括炉体、移料装置和控制装置,炉体下方设置有机台,炉体内依次设置有升温区、保温区、冷却区和出料区,相邻区位之间设置有保温层,保温层下方设置有移料通道,炉体上方设置有控温装置,炉体包括工作腔和控温腔,控温装置包括气体...
一种高性能铝合金和制备方法
本发明属于铝合金制备技术领域,具体涉及一种高性能铝合金和制备方法,包括如下重量百分含量组分:Si:0.8~1.1%,Cu:4.2~4.7%,Mn:0.8~1.0%,Mg:0.45~0.75%,Zr:0.03~0.05%,Er:0.01~0....
采用电炉冶炼的汽车转向节用40CrH钢生产工艺
本发明涉及钢材生产技术领域,尤其涉及一种采用电炉冶炼的汽车转向节用40CrH钢生产工艺,钢的化学成分按重量百分比计为C:0.385%~0.410%,Si:0.20%~0.32%,Mn:0.73%~0.77%,P≤0.022%,S≤0.020...
一种钇基涂层
本发明提供了一种钇基涂层,所述钇基涂层包括大气等离子喷涂底层;所述大气等离子喷涂涂层通过大气等离子喷涂的方法将球状钇基材料喷涂至基材表面;所述球状钇基材料的制备方法包括:(1)混合钇基复合粉末、溶剂、粘结剂与分散剂,得到钇基复合浆料;(2)...
一种空间型原子层沉积设备
本发明公开了一种空间型原子层沉积设备,所述空间型原子层沉积设备包括:反应腔室,所述反应腔室包括第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁上设置有载盘入口(10a),所述第二侧壁上设置有载盘出口(10b),承载有基片的载盘能够穿过所述载盘入口进入所述反...
一种连续镀膜装置及方法
本发明公开了连续镀膜装置,包括:至少一个第一镀膜腔,第一镀膜腔的底部设置有材料源,第一镀膜腔包括第一侧壁和第二侧壁,第一侧壁上设置有第一入口,第二侧壁上设置有第一出口;原子层沉积腔,包括设置在原子层沉积腔的底部的喷淋模块,喷淋模块包括出气面...
镀锡板及其制造方法
本申请提供一种镀锡板及其制造方法,制造方法采用基板依序进行电镀、软熔、淬水、钝化得到镀锡板,采用锡作为阳极,在基板表面形成锡层,控制电镀液温度为35~55℃,电镀液中Fe
2+
浓度不高于10g/L;控制软熔温度为240~...
一种PCB板电镀用可调式电镀夹具
本发明公开了一种PCB板电镀用可调式电镀夹具,属于PCB板电镀技术领域,包括电镀加工座和用于夹持PCB板的夹板平台,夹板平台底端分别通过多个吊柱固定连接有多个工形板,工形板两平行底端均通过安装板固定连接有调整电机。本发明通过齿轮组件和凸轮板...
一种拉制矩形硅单晶用的非矩形或非圆形横截面的石英坩埚及用直拉法生长矩形硅单晶锭的方法
本发明涉及硅单晶制备技术领域,提供了一种拉制矩形硅单晶用的非矩形或非圆形横截面的石英坩埚及用直拉法生长矩形硅单晶锭的方法,在所述凸出部顶端与所述图形对称中心连线左右对称的2×42°范围内的石英坩埚内侧表面,围绕z轴旋转布置有4u条或2n+2...
一种直拉硅单晶用石英坩埚及用直拉法生长硅单晶锭的方法
本发明涉及硅单晶制备技术领域,提供了直拉硅单晶用石英坩埚及生长硅单晶锭的方法,在石英坩埚内腔侧表面,布置有一条或多条相对石英坩埚内腔侧表面凸起的第一凸棱,具有第一凸棱压制角10°≤α
1
≤85°;第一凸棱的高度大于石英坩...
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