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最新专利技术
  • 车用移动组件
    车用移动组件_伊利诺斯工具制品有限公司_202311167574.3
    本申请公开了一种车用移动组件，包括可移动部件、驱动装置以及轨道。其中，所述驱动装置的所述齿轮和所述轨道的所述齿条部啮合，以使得所述驱动装置能够沿着所述轨道运动，从而带动所述可移动部件在所述第一位置和所述第二位置之间运动。本申请的车用移动组件...
    2025-05-25
  • 洗衣机控制方法
    洗衣机控制方法_青岛海尔洗护电器有限公司_202311163827.X
    本发明属于智能家电技术领域，具体提供一种洗衣机控制方法。旨在解决用户远程启动洗涤程序时，如何优化洗涤程序的开始执行时间，并使洗衣进程的提示信息不会打扰到人员休息的问题。为此目的，本发明的方法包括：基于用户选择的操控模式、洗涤程序、当前时间、...
    2025-05-25
  • 改性复合导热填料及其制备方法、聚合物复合导热材料
    改性复合导热填料及其制备方法、聚合物复合导热材料_中国石油天然气股份有限公司_202311166135.0
    本发明提供了一种改性复合导热填料的制备方法，先在惰性气氛下，将表面包覆氧化锌的石墨烯与氮化硅混合进行热处理，利用Si3N4与石墨烯表面的ZnO形成液相，将石墨烯表面的氧化膜去掉，降低表面热阻，得到...
    2025-05-25
  • 一种含氮杂环类化合物及其晶型和用途
    一种含氮杂环类化合物及其晶型和用途_南京施江医药科技有限公司_202311173525.0
    本发明涉及一种含氮杂环类化合物及其晶型和用途。具体地，本发明提供一种式I化合物、或其药学上可接受的盐。本发明所述的化合物对线粒体膜通透性转换孔低表达、无表达、低活性或无活性、肽基脯氨酰异构酶F低表达、无表达、低活性或无活性、NNMT基因低表...
    2025-05-25
  • 端密封组件、非金属托辊及组装方法
    端密封组件、非金属托辊及组装方法_国能科技成果转化(北京)有限公司_202311168285.5
    本申请公开了一种端密封组件、非金属托辊及组装方法，端密封组件包括：轴承；轴承座，所述轴承座上设置有同心设置且依次连通的安装腔、轴承腔和辊轴孔；所述轴承设置在所述轴承腔内；两个相对设置的密封件，两个所述密封件分别设置在所述轴承的相对两侧，所述...
    2025-05-25
  • 车辆控制方法、装置、车辆及存储介质
    车辆控制方法、装置、车辆及存储介质_深圳市卓驭科技有限公司_202311175949.0
    本申请提供一种车辆控制方法、装置、车辆及存储介质。所述方法包括：获取车辆前方环境的多帧深度影像；基于每一帧所述深度影像，统计所述车辆前方环境中的水平方向上不同位置的深度分布信息；基于多帧所述深度影像对应的所述水平方向上不同位置的深度分布信息...
    2025-05-25
  • 制动踏板总成、控制方法、车载控制器和控制系统
    制动踏板总成、控制方法、车载控制器和控制系统_广州汽车集团股份有限公司_202311171839.7
    本发明公开了一种制动踏板总成、控制方法、车载控制器和控制系统。该制动踏板总成包括：制动踏板、推杆、推杆电机、弹簧模拟器和液压调节机构；所述弹簧模拟器的第一端与所述液压调节机构的第一端相连，所述弹簧模拟器的第二端通过所述推杆与所述液压调节机构...
    2025-05-25
  • 座椅调整方法及交通工具
    座椅调整方法及交通工具_深圳引望智能技术有限公司_202311170407.4
    一种座椅调整方法及交通工具，涉及人工智能技术领域，在保证前排座椅上的第二用户舒适性的同时，也可以考虑到后排座椅上的第一用户的乘坐体验。该座椅调整方法中，首先获取第一座椅的第一座椅信息，当第一座椅信息指示第一座椅上存在第一用户时，获取第二座椅...
    2025-05-25
  • 光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法
    光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法_日产化学株式会社_202380057869.7
    一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，该剥离剂组合物含有：具有下述式(1)所示的结构、碳含量为80％以下的化合物和聚合物中的至少任意种；以及溶剂。(式(1)中，R1和R2各自独立地表示...
    2025-05-25
  • 通过热脱氢使烃脱氢的方法
    通过热脱氢使烃脱氢的方法_陶氏环球技术有限责任公司_202380058200.X
    本发明涉及一种用于使烃脱氢的方法，该方法可包括将包含一种或多种烷烃或烷基芳族化合物的烃进料传递到流化床反应器中。在该流化床反应器中，至少95wt％的该烃进料的常压沸点可低于或等于300℃。该方法可包括在该流化床反应器中热裂解该烃进料，以产生...
    2025-05-25
  • 一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法
    一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法_重庆康佳光电科技有限公司_202311176291.5
    本申请涉及一种发光芯片的外延层转移方法及制作方法，发光芯片的外延层转移方法包括：在承载基板上形成半固态的第一蚀刻型胶层，并在衬底承载的外延层上形成半固态的第二蚀刻型胶层；通过刻蚀减薄第一蚀刻型胶层和第二蚀刻型胶层中的至少之一的厚度；将减薄处...
    2025-05-25
  • ESD保护器件
    ESD保护器件_无锡华润上华科技有限公司_202311172562.X
    本发明涉及一种ESD保护器件，包括：N阱；P阱；第一P型区，位于所述N阱中；第二P型区，位于所述N阱中；第一栅极，位于所述第一P型区和第二P型区之间的所述N阱的上方；第一N型区，位于所述P阱中；第二N型区，位于所述P阱中；第二栅极，位于所述...
    2025-05-25
  • 图像处理方法、装置、设备及计算机存储介质
    图像处理方法、装置、设备及计算机存储介质_OPPO广东移动通信有限公司_202311185594.3
    本申请公开了一种图像处理方法、装置、设备及计算机存储介质，其中，该方法包括：对获取的第一图像进行降噪处理，得到第二图像；对所述第一图像和所述第二图像进行融合，得到第三图像；对所述第三图像进行细节增强处理，得到第四图像；对所述第三图像/所述第...
    2025-05-25
  • 显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
    显示面板、显示面板的制备方法和显示装置_成都辰显光电有限公司_202311183019.X
    本申请公开了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。显示面板包括基板、发光器件层、第一遮光层、封装层和第二遮光层；发光器件层包括设置在基板的一侧的多个LED芯片，LED芯片包括发光主体以及分别设置于发光主体的第一电极与第二电极，第一电极...
    2025-05-25
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311183078.7
    一种半导体的结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括相邻器件区，器件区的基底上形成有沟道凸起部、以及横跨相邻器件区的沟道凸起部的栅极结构，栅极结构覆盖沟道凸起部的部分顶部和部分侧壁，栅极结构两侧的沟道凸起部中形成有源漏掺杂层，栅极结构露...
    2025-05-25
  • 高电子迁移率晶体管器件及其制备方法
    高电子迁移率晶体管器件及其制备方法_中兴通讯股份有限公司_202311182369.4
    本申请提供了高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。该器件包括衬底、衬底上的沟道层、沟道层上的势垒层、势垒层上的源极和漏极、势垒层上的应力调制层、以及栅极。源极和漏极在第一水平方向上延伸，并且在与第一水平方向相交的第二水平方向上相对。栅极在第二...
    2025-05-25
  • 数字信号传输媒介及电子设备
    数字信号传输媒介及电子设备_奥特埃克斯科技(新加坡)有限公司_202311182871.5
    本申请实施例提供一种数字信号传输媒介。所述数字信号传输媒介包括相互运动的第一信号传输模组和第二信号传输模组，所述第一信号传输模组包括第一圆环导体，所述第二信号传输模组包括第二圆环导体，所述第一圆环导体和所述第二圆环导体分别为非闭合环形导体，...
    2025-05-25
  • 用于加工电机铁芯冲片的方法及装置、电子设备、存储介质
    用于加工电机铁芯冲片的方法及装置、电子设备、存储介质_青岛海尔空调器有限总公司_202311178082.4
    本申请涉及电机技术领域，公开一种用于加工电机铁芯冲片的方法，电机铁芯冲片包括转子冲片。该方法包括：获取电机极数和外圆切边类型，根据电机极数和外圆切边类型确定转子冲片的外圆切边端点。根据外圆切边类型对外圆切边端点进行连接，获得第一目标切边。按...
    2025-05-25
  • 定子及定子的制造方法
    定子及定子的制造方法_本田技研工业株式会社_202311177623.1
    本发明所要解决的问题在于，提供一种定子，能够将定子绕组、绝缘纸或树脂模具等绝缘构件稳定地固定在固定位置，而不会有产生冷媒泄露的风险。为了解决上述问题，定子包括：定子铁芯6，具有分别以沿径向延伸的形态沿周向排列的多个插槽7；定子绕组9，电连接...
    2025-05-25
  • 自支撑纳米多孔Ⅲ族氮化物薄膜及其制备方法与应用
    自支撑纳米多孔Ⅲ族氮化物薄膜及其制备方法与应用_南京晓庄学院_202311183518.9
    本发明公开了自支撑纳米多孔Ⅲ族氮化物薄膜及其制备方法与应用，其中制备方法包括在衬底上依次生长n‑GaN层、n+‑GaN层、u‑Ⅲ族氮化物层，形成三层外延结构；以n‑GaN层作为导电层、u‑Ⅲ族氮化物层为目标层，利用紫外...
    2025-05-25
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