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  • 本申请公开了一种电池管理方法、系统、终端及计算机可读存储介质,该电池管理方法,包括:获取电池单体的状态信息;响应于电池单体处于存储状态,控制电池单体以小于或等于阈值的电流放电。本申请的实施例通过在电池单体的存储阶段主动放电的方法,将电池单体...
  • 本公开公开了电芯组件及锂离子电池,属于化学电池技术领域。该电芯组件包括:隔膜、负极极片和正极极片,负极极片和正极极片通过隔膜相隔离;隔膜包括隔膜本体和边缘部,正极极片在隔膜上的投影与隔膜本体相重合,边缘部位于隔膜本体的侧部且暴露于负极极片和...
  • 本发明提供了一种电池组电池,其包括A个阳极电极、C个阴极电极以及布置在A个阳极电极和C个阴极电极之间的S个隔离件,其中A、C和S为大于1的整数。S个隔离件包括复合凝胶膜,其使用紫外光原位固化并且包括聚合物、占复合凝胶膜的大于20重量%的固体...
  • 本发明提供了一种电池组电池,其包括A个阳极电极、C个阴极电极以及S个隔离件,每个阳极电极包括阳极活性材料层和阳极集流体,所述阳极活性材料层包含阳极活性材料,所述阴极电极包括阴极集流体和包含阴极活性材料的阴极活性材料层,其中A、C和S是大于1...
  • 本发明提供了一种固态电池组电池,其包括A个阳极电极和C个阴极电极,阳极电极包括布置在阳极集流体上的阳极活性材料层,阴极电极包括布置在阴极集流体上的阴极活性材料层。阴极活性材料层包含阴极活性材料,所述阴极活性材料包含粒子,所述粒子包括选自Li...
  • 本发明提供了一种电池组电池,其包括:C个阴极电极,包括布置在阴极集流体上的阴极活性材料层;A个阳极电极,包括布置在阳极集流体上的阳极活性材料层;以及S个隔离件,其中A、C和S是大于1的整数。阳极活性材料层包含共溅射的硅和金属。金属与硅不同。
  • 本发明提供了一种适用于锂离子电池石墨负极的电解液及制备方法和锂离子电池应用。该电解液由锂盐、有机溶剂和添加剂组成。本发明制备的电解液与石墨负极具有很好的兼容性,同时提高了锂离子电池的倍率性能。本发明制备方法简单有效,易于大规模生产,具有商业...
  • 本申请实施例公开了一种提供一种正极材料、正极极片、电池单体、钠离子电池及用电装置。该正极材料包括正极活性材料和添加剂,添加剂包括可以与正极活性材料中的碱性钠盐反应的无机盐;添加剂在正极活性材料中的质量含量a满足:0.05%≤a≤2.0%。该...
  • 本申请涉及一种负极添加剂、负极极片、二次电池和用电装置。所述负极添加剂包括聚合物A或聚合物B中的至少一种,聚合物A包括A1和A2的共聚物,A1包括含丙烯酸酯结构的均聚物,A2包括含环状碳酸酯结构的均聚物,或A2包括含环状硫酸酯结构的均聚物,...
  • 本申请提供一种正极活性材料及其制备方法、正极极片、电池和用电装置,涉及电池领域。正极活性材料包括层状过渡金属氧化物、包覆于层状过渡金属氧化物的表面的第一包覆层,以及包覆于第一包覆层的表面的第二包覆层;其中,第一包覆层包括Mx
  • 本申请实施例提供一种负极活性材料、负极极片、电池及用电装置,涉及电池领域。负极活性材料包括负极活性材料颗粒和包覆于负极活性材料颗粒表面的包覆层,包覆层含有聚碳酸亚乙烯酯。负极极片包括负极集流体和设置于负极集流体至少一侧表面上的负极活性材料层...
  • 本公开涉及一种干法电极及其制备方法和应用。制备方法包括以下步骤:S1、将活性物质、导电剂和粘结剂进行混合处理和均匀化处理,得到原料混合物;其中所述导电剂包含自支撑材料;S2、将所述原料混合物进行辊压处理。本公开可以解决孔隙率低和电子的长程传...
  • 本申请涉及一种提供一种正极极片、电池和用电装置。正极极片包括正极集流体和设置于所述正极集流体至少一侧的正极膜层,所述正极膜层包括正极活性物质和亲液聚合物,所述正极膜层的涂布重量≥300mg/1540.25mm2
  • 本申请实施例公开了一种负极活性材料、负极极片、钠离子电池及用电装置,负极活性材料包括:硬碳,硬碳的真密度ρ满足:1.3g/cm3≤ρ≤1.8g/cm3;嵌入型储钠材料,嵌入型储钠材料的晶面间距d满...
  • 本申请涉及一种电极极片、电池和用电装置。电极极片包括集流体和设置于集流体至少一侧的膜层,膜层包括活性物质和多种氟代聚合物,多种氟代聚合物中其中一种氟代聚合物的结晶度记为Xc1%,冷结晶温度记为Tc1
  • 本申请涉及一种电池和用电装置,所述电池包括电极极片,电极极片包括集流体和设置于集流体至少一侧上的膜层,膜层包括活性物质和亲液聚合物,其中,电池的能量密度≥300Wh/Kg。
  • 本申请提供一种芯片封装结构及电子设备,涉及芯片技术领域,能够在支持异质芯片(die)集成的基础上,满足芯片间的高带宽密度需求。该芯片封装结构中包括第一芯片、电子元件以及一种新型结构的混合转接板。该混合转接板包括硅中介层和重布线层,硅中介层的...
  • 本申请提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括:基片(1);通孔(4),其在厚度方向上贯穿所述基片;第一聚合物层(2),其至少连续地覆盖所述通孔(4)的内壁;第一导体层(3),其至少连续地覆盖所述第一聚合物层(2)的内壁;以及第一电...
  • 本申请提供一种深孔填充方法、半导体器件的制备方法及半导体工艺设备,该深孔填充方法包括:将设置有深孔的半导体结构置于工艺腔室的内部;向工艺腔室的内部通入辅助气体;在半导体结构设置有深孔的一侧表面上溅射沉积热铝至完全填充深孔;辅助气体用于提高热...
  • 本发明提供一种半导体工艺腔室以及排液方法。其中,半导体工艺腔室包括设置于腔室主体外壁上的第一控温主体;第一控温主体中具有用于供热交换液流动的控温通道,且控温通道具有多条第一管段和第二管段,第一管段的两端分别与高于其端部的管段连接,第二管段位...
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