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最新专利技术
  • 凸轮离合器
    凸轮离合器_株式会社椿本链条_202410715593.3
    本发明提供一种结构简单，准确性、稳定性、耐久性优异，能够实现小型化及长寿化，具备还能够应对高转矩的转矩限制器功能的凸轮离合器。具体而言，具备：多个凸轮(130)，被设置在至少1组内圈(110)及外圈(120)之间的周向上，所述至少1组内圈(...
    2025-03-19
  • 一种特异性的检测DNA甲基化的分子锁及应用
    一种特异性的检测DNA甲基化的分子锁及应用_苏州海苗生物科技有限公司_202410724255.6
    本发明提供了一种用于DNA片段甲基化检测的DNA分子锁，所述DNA分子锁的与DNA片段中胞嘧啶替换为尿嘧啶的序列同向互补，且DNA分子锁中的胞嘧啶碱基被替换为异胞嘧啶碱基。本发明基于DNA分子锁还提供了简单高效的有助于检测微量目的基因甲基化...
    2025-03-19
  • Micro OLED的Pad露出方法、Micro OLED及其制造方法
    Micro OLED的Pad露出方法、Micro OLED及其制造方法_安徽熙泰智能科技有限公司_202410736850.1
    本发明公开了一种Micro OLED的Pad露出方法，包括步骤：在驱动电路衬底上制备阳极材料层；在阳极材料层上涂覆光刻胶；掩模版曝光并显影光刻胶；制备Pad刻蚀阻挡层；去除光刻胶；OC胶图案化；Pad介电质刻蚀露出。本发明的Micro OL...
    2025-03-19
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202410740602.4
    本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括基板以及位于基板上的显示功能层和隔离结构。显示功能层包括多个发光器件，发光器件包括在基板上依次叠置的第一电极、发光功能层和第二电极。隔离结构具有分别限位发光器件的多个隔离开口，发光...
    2025-03-19
  • 基于虚拟现实技术的手术室消防应急预案考核方法及系统
    基于虚拟现实技术的手术室消防应急预案考核方法及系统_浙江大学医学院附属邵逸夫医院_202410743250.8
    本发明公开了基于虚拟现实技术的手术室消防应急预案考核方法及系统，涉及虚拟消防考核技术领域，本发明包括手术室的场景模型搭建、实时体征数据获取和分析、考核和消防数据获取、考核和灭火数据分析、显示终端，获取考核人员的实时体征数据并进行分析，避免考...
    2025-03-19
  • 一种可控ON/OFF的跟随器
    一种可控ON/OFF的跟随器_陈启星_202311870204.6
    一种可控ON/OFF的跟随器(简称跟随开关)，在基本跟随器中增加了两个控制ON/OFF的模块，一个是控制输出管T1&T2置ON/OFF状态控制模块13，另一个是控制短接支路14置ON/OF...
    2025-03-19
  • 监测软硬煤分层变形的煤与瓦斯突出预警方法及系统
    监测软硬煤分层变形的煤与瓦斯突出预警方法及系统_北京科技大学_202311856306.2
    本发明在煤矿井下领域中，提供一种监测软硬煤分层变形的煤与瓦斯突出预警系统及方法，包括测试光源、相机和声波雷达；测试光源安装在三角支架上，测试光源向工作面发出光束；相机安装在三角支架上，相机拍摄被光束照亮的工作面区域；声波雷达向工作面发出声波...
    2025-03-19
  • 一种晶圆载片、晶圆载片制备方法和晶圆处理方法
    一种晶圆载片、晶圆载片制备方法和晶圆处理方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202410038568.6
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆载片、晶圆载片制备方法和晶圆处理方法，所述载片包括：载片本体，所述载片本体具有相对设置的第一表面和第二表面；至少一个第一导电部件，沿第一表面和所述第二表面的相对方向贯穿设置在所述载片本体中，且每个所...
    2025-03-19
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410075318.X
    本发明提供了一种LDMOS器件及其制备方法。该制备方法中，通过在衬底中形成凹槽，以将栅极结构设置在衬底的凹槽内，从而使得场板结构可以形成在凹槽内并由凹槽向上延伸出凹槽，有利于增加场板结构的纵向尺寸，从而可提高器件的击穿电压，实现了在不影响器...
    2025-03-19
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_深圳市昇维旭技术有限公司_202410117657.X
    本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种化学气相沉积方法，用于形成目标膜层，所述化学气相沉积方法包括：在基底上以第一沉积速度沉积基础层，所述基础层的厚度小于所述目标膜层的厚度，所述第一沉积速度小于预设值；在所述基础层远离所述基底一侧，以第二沉...
    2025-03-19
  • 功率半导体器件及其制作方法
    功率半导体器件及其制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410158004.6
    本发明涉及一种功率半导体器件及其制作方法。所述功率半导体器件中，衬底的芯片区内，栅极沟槽布满用于设置场环的边缘区包围的器件区，栅极结构形成于栅极沟槽内，源区对应于器件区要形成元胞的区域形成于栅极结构侧面，器件区还具有位于要形成元胞的区域外且...
    2025-03-19
  • 矿井地热热泵驱动的潜/显热分离式除湿制冷制淡系统
    矿井地热热泵驱动的潜/显热分离式除湿制冷制淡系统_中国科学院广州能源研究所_202410177205.0
    本发明公开了一种矿井地热热泵驱动的潜/显热分离式除湿制冷制淡系统，包括喷射式热泵系统、矿井空气除湿系统、吸收喷射制冷系统和淡水收集系统；喷射式热泵包括热泵低温蒸发器、压缩机、热泵喷射器、热泵冷凝器和热泵高温蒸发器；热泵低温蒸发器、压缩机、热...
    2025-03-19
  • 一种矿井地热和太阳能供暖、制冷、二氧化碳捕获系统
    一种矿井地热和太阳能供暖、制冷、二氧化碳捕获系统_中国科学院广州能源研究所_202410177203.1
    本发明涉及二氧化碳捕获技术领域，特指一种矿井地热和太阳能供暖、制冷、二氧化碳捕获系统。在本发明中，把低品位的矿井水地热能作为低温热源，利用高温热泵系统和太阳能系统制取高温热水，制取的热水可供热用户取暖，可驱动回热式收喷射制冷系统进行制冷，且...
    2025-03-19
  • 热介质改性装置、热介质改性方法以及热介质使用设备
    热介质改性装置、热介质改性方法以及热介质使用设备_株式会社力援申_202410222427.X
    本发明提供一种热介质改性装置、热介质改性方法以及热介质使用设备。本发明的热介质改性装置具备生成部200，其基于商用电源6，生成脉冲宽度为5nsec～100nsec、频率为5kHz～50kHz的激励热介质的激励信号；以及供给部120，其将由生...
    2025-03-19
  • 一种O3相铁锰镍基高熵钠电层状氧化物及其制备方法和应用
    一种O3相铁锰镍基高熵钠电层状氧化物及其制备方法和应用_万向一二三股份公司_202410313073.X
    本发明涉及电池材料领域，针对O3相氧化物用作正极材料倍率性能和阻抗不佳的问题，提供一种O3相铁锰镍基高熵钠电层状氧化物及其制备方法和应用。O3相铁锰镍基高熵钠电层状氧化物，化学通式为：Na(FeMnNiXYZ)1/6O...
    2025-03-19
  • 一种无烟柴窑及烧制方法
    一种无烟柴窑及烧制方法_中国美术学院_202410326741.2
    本发明公开了一种无烟柴窑及烧制方法，旨在解决传统的柴烧窑在烧制陶瓷时产生大量烟雾，对环境造成污染的不足。该发明包括窑炉，窑炉包括烧制腔以及和烧制腔连通的柴烧腔和排烟腔，排烟腔上安装烟囱，排烟腔和烧制腔之间设置二次燃烧单元，二次燃烧单元包括间...
    2025-03-19
  • 一种彩色微晶玻璃及制备方法
    一种彩色微晶玻璃及制备方法_重庆鑫景特种玻璃有限公司_202410409557.4
    本发明公开了一种彩色微晶玻璃及制备方法，所述彩色微晶玻璃是由彩色基材玻璃进行热处理得到；所述彩色基材玻璃包括将多种不同色彩的玻璃组合物熔化成多种不同色彩的玻璃液同时进行成型为一体得到，所述彩色基材玻璃具有不同色彩区域。
    2025-03-19
  • 防水结构及其制造方法
    防水结构及其制造方法_张御琦_202410434966.X
    本发明公开了一种防水结构及其制造方法，其中制造方法包含提供生物可分解混合物、加入天然添加剂、喷涂、移除水分的步骤，是应用天然植物纤维原料和多糖体(例如藻胶、植物胶、动物胶)为主的生物可分解混合物为材料，且应用的天然添加剂和制造方法都是无毒安...
    2025-03-19
  • 一种织物防水剂及其制备方法
    一种织物防水剂及其制备方法_明仁精细化工(嘉兴)有限公司_202410499228.3
    本发明提供了一种织物防水剂及其制备方法，织物防水剂包括以下原料：聚丙烯酸酯核壳乳液、改性二氧化硅；聚丙烯酸酯核壳乳液、改性二氧化硅的重量比为100：2.5‑3.8；聚丙烯酸酯核壳乳液包括以下重量份的原料：纳米二氧化钛0.3‑0.6份、无氟核...
    2025-03-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202410511083.4
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底的电流泄漏。可以在替换栅极顺序之前或之后在栅极结构中形成隔离结构。
    2025-03-19
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