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  • 本申请提供一种电容器件及其制作方法、电子设备,涉及电容器领域,能够提升MIM电容的电容密度。该电容器件包括基底、设置在基底上的第一电极层、第二电极层、第一介质层。其中,第一电极层呈沟槽结构,沟槽结构的开口朝向远离基底的一侧,沟槽结构的底部设...
  • 本发明公开一种芯片封装结构,包括第一芯片及第一导电夹片。第一芯片具有彼此相对的第一表面及第二表面。第一导电夹片通过导电材料与第一芯片的第一表面连接。第一导电夹片包括平坦区、阶梯状结构及第一接触区。阶梯状结构位于平坦区与第一接触区的交界且阶梯...
  • 本申请实施例公开一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域。该芯片封装结构包括封装基板、第一元器件、第二元器件和架高组件。封装基板具有第一表面和第二表面。第一元器件连接于第一表面上。第二元器件和架高组件连接于第二表面上。其中...
  • 搭配特有的芯片基底材料及特性,开发一种新的封装结构,包含导线架、晶粒、接合线、第一焊料以及模封材料。晶粒包含基底,接合垫设置于基底的第一表面之上,以及背面金属层设置于基底的第二表面上。导线架包含凹槽,晶粒设置于凹槽内。接合线电连接晶粒的接合...
  • 本发明提供了一种在晶圆上切割基板的方法以及基板,其中在晶圆上设计切割基板的方法,通过将矩形切割轨迹中与晶圆边缘之间的距离最小的一个或多个角设计为第一倒角,并使第一倒角与晶圆边缘外切线之间的最小距离不小于相邻的两个切割轨迹单元之间的最小距离;...
  • 本发明公开了一种基板夹具及基板处理设备,该基板夹具包括:若干支撑构件,设置于所述固定环,沿所述开口周向依次排布,所述支撑构件包括导电连接的连接部和触头,所述连接部表面设有绝缘层,所述触头用以与所述基板电接触;其中,所述触头通过所述连接部以预...
  • 本发明提供一种基板处理方法,包括以下步骤:基板保持持续旋转;第一喷嘴在基板中心区域的上方持续喷吐水;在基板清洗过程中,第一喷嘴开始从基板中心区域的第一中心位置向基板边缘区域的第一边缘位置移动,第二喷嘴开始向旋转的基板喷吐化学液并自基板边缘区...
  • 本发明提供一种负载锁定组件及半导体工艺设备,负载锁定组件,用于半导体工艺设备,包括:负载锁定腔室;预调压腔室;控制阀,控制阀连接在负载锁定腔室与预调压腔室之间;在控制阀的关闭状态,预调压腔室内部预先调节至与负载锁定腔室不同的气压状态,形成压...
  • 本申请公开一种半导体清洗设备,其中,支撑座安装于清洗腔内,且支撑座用以支撑待清洗件,输入管路的一端与清洗液源连通,喷淋头安装于输入管路的另一端,且喷淋头安装于清洗腔内;排液组件包括排液缸和排液活塞,排液活塞活动设置于排液缸之内,且排液活塞和...
  • 本发明提供一种刷轮结构,包含一发泡体、一中央通道、一微孔区,以及多个通孔。发泡体中包含多个孔洞交错形成的流道,且该些孔洞的平均孔径介于300μm至500μm。中央通道设置于该发泡体中,并与该些流道连通。微孔区位于该发泡体的表层,并具有多个微...
  • 本发明公开了一种金属栅极填充金属铝的温度稳定性的监控方法及装置,应用于半导体制备领域,该方法包括:获取标准叠层电阻值,若校验标准叠层电阻值合理,则将标准叠层电阻值作为第一标准叠层电阻值;第一标准叠层电阻值为工艺温度是第一预设温度时,对应的叠...
  • 本发明提供了静电阱离子注入装置和方法,所述静电阱离子注入装置包括电源和多极杆,所述电源为所述多极杆施加射频电压;多个环形电极设置在所述多极杆的外侧,并沿着平行于多极杆内离子传输方向依次设置;所述环形电极内侧的部分进入相邻极杆之间的区域;入口...
  • 本发明提供了一种直线静电阱及其工作方法,所述直线静电阱包括电源,所述电源为电极施加射频电压和直流电压;多组电极包括中心组电极和外围组电极,所述中心组电极具有离子出射孔,所述外围组电极关于所述中心组电极对称设置;每组电极围出离子通道,依次设置...
  • 本发明提供了一种控制静电阱离子动能色散的装置和方法,所述控制静电阱离子动能色散的装置包括电源以及连通的第一真空腔和第二真空腔,所述第一真空腔内设置用于离子压缩的第一透镜组,所述第二真空腔内设置检测器;静电阱包括第二透镜组,所述第二透镜组设置...
  • 本发明提供了一种数字静电阱质谱仪及其工作方法,所述数字静电阱质谱仪包括包括电源、检测器和静电阱;内电极的外轮廓面是圆柱面,所述圆柱面的直径D2与外电极内径D1之比大于0.45,且小于0.75;外电...
  • 本发明提供了一种提高静电场轨道阱质谱仪离子存储和弹射效率的装置和控制方法,所述装置包括电源,所述电源为电极施加射频电压和直流电压;多组电极包括中心组电极和外围组电极,所述中心组电极具有离子出射孔,所述外围组电极关于所述中心组电极对称设置;每...
  • 本申请实施例提供了一种上电极组件及半导体工艺设备,涉及半导体工艺技术领域,其中,所述上电极组件包括:中心电极、边缘电极、第一驱动装置和第二驱动装置;边缘电极套设于中心电极外,第一驱动装置与中心电极驱动连接,以驱动中心电极升降,第二驱动装置与...
  • 本发明提供了一种断路器,至少包括绝缘外壳及内部元件,内部元件至少包括灭弧室、静触头、动触头、接线端子、操作机构、引弧片,灭弧室有多片金属灭弧栅片叠加组成,引弧片与静触头一体化设置,静触头与接线端子之间的连接导体上设置有至少一个磁轭,磁轭呈U...
  • 本发明提供了一种断路器,至少包括绝缘外壳及内部元件,所述内部元件至少包括引弧片、静触头、动触头、操作机构、连接导体、至少一个呈U形或凵形的磁轭;所述连接导体与动触头之间电连接,所述呈U形或凵形磁轭套设在连接导体上,所述呈U形或凵形磁轭的开口...
  • 本公开提出一种电磁脱扣装置,包括:壳体;静触头导电排,固定在所述壳体上并具有在第一方向延伸的延伸段;磁轭,邻近所述延伸段地固定在所述壳体上;衔铁,设置为能够在垂直第一方向的第二方向上运动;拉杆,设置为在第二方向上延伸并能够在所述第二方向上运...
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