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最新专利技术
  • 一种搜网模式的控制方法、装置、终端设备及存储介质
    一种搜网模式的控制方法、装置、终端设备及存储介质_OPPO广东移动通信有限公司_202311179641.3
    本申请公开了一种搜网模式的控制方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括：监测终端设备是否进入漫游状态；在确定终端设备进入漫游状态时，监测终端设备是否满足自动搜网条件；确定终端设备满足自动搜网条件时，将终端设备的搜网模式切换到自动搜网模式；...
    2025-06-09
  • 一种通信方法及装置
    一种通信方法及装置_华为技术有限公司_202311172390.6
    本申请涉及一种通信方法及装置，在该通信方法中，第一终端设备进入空闲态或非激活态之前，第一终端设备可以获取到在时域上位于第二资源之前的第一资源，第二资源包括寻呼时机。这样，在第一终端设备进入空闲态或非激活态时，被遮挡(如满足第一条件)的第一终...
    2025-06-09
  • 寻呼方法和寻呼装置
    寻呼方法和寻呼装置_华为技术有限公司_202311177649.6
    本申请提供了一种寻呼方法和寻呼装置，该寻呼方法包括：网络设备向终端设备指示该终端设备在一个或多个追踪区域TA内的标识，并在寻呼该终端设备时在寻呼消息中携带该终端设备在一个或多个追踪区域TA内的标识。通过本申请实施例的方法，由于一个或多个追踪...
    2025-06-09
  • 通信方法及相关装置
    通信方法及相关装置_华为技术有限公司_202311178980.X
    一种通信方法及相关装置，该方法包括：接收第一指示信息，第一指示信息指示第一位置信息所属的第一地理区域的索引，第一位置信息为终端设备所在的位置信息；基于第一地理区域的索引确定第一PO。其中，第一地理区域小于SSB波束的空间覆盖范围。采用本申请...
    2025-06-09
  • 频谱资源调度方法、设备和系统
    频谱资源调度方法、设备和系统_华为技术有限公司_202311172354.X
    本申请提供了一种频谱资源调度方法、设备和系统，包括向第一基站发送第一申请消息，第一申请消息用于请求第一基站授权使用第一频谱资源，第一频谱资源根据业务调度诉求和第一基站支持的频段确定；接收第一授权消息，第一授权消息用于指示第一基站授权使用的第...
    2025-06-09
  • 逻辑信道优先级的调整方法及装置
    逻辑信道优先级的调整方法及装置_大唐移动通信设备有限公司_202311172465.0
    本申请提供了一种逻辑信道优先级的调整方法及装置，以解决相关数据流的传输时间差较大，难以保证业务质量的问题。本申请实施例的方法包括：在满足触发条件的情况下，调整多个逻辑信道中至少一个逻辑信道的优先级；其中，所述多个逻辑信道的数据对应同一个业务...
    2025-06-09
  • 会话建立方法、注册方法、装置及相关设备
    会话建立方法、注册方法、装置及相关设备_维沃移动通信有限公司_202311174198.0
    本申请公开了一种会话建立方法、注册方法、装置及相关设备，属于通信技术领域，本申请实施例的会话建立方法包括：若第一网络的终端进入双注册模式，则所述终端在第二网络建立第一IMS会话，所述双注册模式为所述终端在所述第一网络和所述第二网络均注册的模...
    2025-06-09
  • 网络连接方法、装置、终端设备及存储介质
    网络连接方法、装置、终端设备及存储介质_广东小天才科技有限公司_202311172134.7
    本申请实施例公开一种网络连接方法、装置、终端设备及存储介质，应用于第一终端设备，该方法包括：接收服务器发送的连接指令；连接指令由第二终端设备上传至服务器，连接指令包括一个或多个目标无线网络的网络信息；根据连接指令对连接范围内的无线网络进行搜...
    2025-06-09
  • 三维存储器及其制备方法
    三维存储器及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202311172129.6
    本公开涉及一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器具有阵列区及位于阵列区旁侧的周边区，包括：至少一个阶梯结构和多个信号线引线。阶梯结构位于周边区，包括：沿垂直衬底方向交替层叠的多个导电台阶和多个绝缘台阶。信号线引线位于对应导电台阶的表面并与...
    2025-06-09
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202311187067.6
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体柱、栅极结构和隔离结构，其中半导体柱包括在第一方向相对的两个侧壁；栅极结构位于相对的两个侧壁中的一个；以及隔离结构至少位于相对的两个侧壁中的另一个，其中隔离结构...
    2025-06-09
  • MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构
    MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构_无锡华润微电子有限公司_202311176028.6
    本申请提供了一种MOSFET结构的制作方法和MOSFET结构，该方法包括：提供基底结构，基底结构包括基底区、位于基底区内的两个第一掺杂区以及位于两个第一掺杂区之间的第二掺杂区，两个第一掺杂区的裸露表面为基底区的裸露表面的部分，且两个第一掺杂...
    2025-06-09
  • 单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电探测器
    单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电探测器_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202311176807.6
    本发明公开一种单光子雪崩二极管及其制备方法以及光电探测器，单光子雪崩二极管包括器件主体和反射结构，器件主体形成相对设置的入光表面和出光表面，器件主体内的中心位置还形成有光敏区，光敏区设有自出光表面向下层叠设置的第一半导体区和第二半导体区，器...
    2025-06-09
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯北方集成电路制造(北京)有限公司_202311174526.7
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底中形成有光电器件单元；在基底中同时形成第一隔离开口和第二隔离开口，第一隔离开口位于光电器件单元侧部的基底中，第二隔离开口位于光电器件单元顶部的基底中，且第一隔离开口的底部低于光电器件单元的顶部，...
    2025-06-09
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202311175183.6
    本申请提供一种显示面板及显示装置，该显示面板包括驱动基板、像素单元，底层键合层以及层间键合层，像素单元设置于驱动基板的一侧，像素单元包括多个像素，像素包括层叠设置的多个发光器件，像素中靠近驱动基板的发光器件通过底层键合层与驱动基板键合，相邻...
    2025-06-09
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311170747.7
    本公开提供一种电子装置，包含基板、信号线、第一电子单元、导电结构以及光阻挡层。信号线设置于基板上。第一电子单元设置于基板上且包含第一电极。导电结构设置于基板上且包含第一导电图案、设置于第一导电图案上的绝缘层以及设置于绝缘层上的第二导电图案。...
    2025-06-09
  • 包含芳香剂和气味控制组合物的吸收制品
    包含芳香剂和气味控制组合物的吸收制品_宝洁公司_202380059771.5
    本申请整体涉及包含以基本上不重叠的图案施加的水基气味控制组合物和非络合香料组合物的吸收制品及其制备方法。
    2025-06-09
  • 一种基于DSA视频图像的出血点检测方法、系统和装置
    一种基于DSA视频图像的出血点检测方法、系统和装置_上海联影医疗科技股份有限公司_202311168485.0
    本说明书实施例提供一种基于DSA视频图像的出血点检测方法、系统和装置，该方法包括：获取目标对象在被注射造影剂过程中的DSA视频图像；通过出血点检测模型对DSA视频图像的多帧图像进行出血点检测，得到多个检测结果，每个检测结果对应DSA视频图像...
    2025-06-09
  • 模拟瓣膜组件展开的方法及瓣膜组件释放评估系统
    模拟瓣膜组件展开的方法及瓣膜组件释放评估系统_上海联影医疗科技股份有限公司_202311169859.0
    本申请涉及一种模拟瓣膜组件展开的方法及瓣膜组件释放评估系统，模拟瓣膜组件展开的方法包括：S1、基于瓣膜组件的瓣膜支架和患者的血管的图像建立瓣膜支架模型和血管模型；S2、获取瓣膜支架模型在展开状态下支架控制点的第一坐标，并基于第一坐标与瓣膜支...
    2025-06-09
  • 一种整体式贵金属催化剂及其制备方法和应用
    一种整体式贵金属催化剂及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311165148.6
    本发明涉及催化剂制备技术领域，公开了一种整体式贵金属催化剂及其制备方法和应用。该整体式贵金属催化剂包括多孔规整载体以及负载在所述多孔规整载体上的活性贵金属组分和助剂，所述活性贵金属组分的颗粒尺寸为2‑3nm。该方法包括：(1)将规整载体依次...
    2025-06-09
  • 一种三维石墨烯/金属氧化物复合小球及其制备方法和应用
    一种三维石墨烯/金属氧化物复合小球及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311168214.5
    本发明涉及材料领域，公开了一种三维石墨烯/金属氧化物复合小球及其制备方法和应用领域，所述三维石墨烯/金属氧化物复合小球包括石墨烯小球以及负载在所述石墨烯小球上的金属氧化物；其中，所述三维石墨烯/金属氧化物复合小球的比表面积为50‑500m<...
    2025-06-09
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