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  • 本发明提供的一种蓄冷装置及空调系统,属于空调系统技术领域,包括:保温外壳和蓄冷换热结构;蓄冷换热结构在保温外壳内部并储存有大量的冷量,保温外壳具有开启和关闭状态,当保温外壳处于关闭状态时,蓄冷换热结构工作并存储大量的冷量,当保温外壳处于开启...
  • 本发明公开了一种蓄冷箱及蓄冷放冷系统,所述蓄冷箱包括:箱体,内部为空腔状;若干蓄冷袋,内部充装有蓄冷介质;翅片组件,设置在箱体的空腔内,并将箱体的空腔划分为若干蓄冷介质盛放腔,每一蓄冷介质盛放腔内至少盛放一个蓄冷袋;翅片组件分别与制冷组件及...
  • 本发明涉及半导体空调技术领域,具体涉及一种半导体制冷装置及其运行方法。半导体制冷装置,包括:半导体组件,其包括单级半导体和多级半导体,单级半导体与多级半导体之间并联设置;蓄冷组件,其用于容纳蓄冷件,半导体组件的冷端与蓄冷组件配合连接;用户端...
  • 本发明公开了一种空调室内机和具有其的空调器,空调室内机包括底盘组件、换热器、导流件和冷媒检测装置,底盘组件形成有接水槽;换热器设于底盘组件且位于接水槽上侧;导流件设于换热器的长度一端,且用于将自换热器的长度一端泄漏的冷媒导引至接水槽;冷媒检...
  • 本发明设计建筑领域;具体为一种深基坑中心岛斜抛撑体装置,包括固定座,所述固定座的上表面开设有调节槽,所述调节槽的内部转动连接有横杆,所述横杆的外侧壁开设有螺旋槽,所述横杆的外侧壁设有横块,所述横块与所述螺旋槽滑动连接,所述固定座的上方设有调...
  • 本发明涉及隐藏式晾衣架技术领域,具体涉及一种双线隐藏式晾衣架,包括:固定组件,适于安装在天花板上方;晾衣组件,其上滑动安装有主体晾衣部,主体晾衣部的滑动方向与晾衣组件的长度方向垂直;双线升降组件,其一端安装在固定组件上,另一端安装在晾衣组件...
  • 本发明涉及洗涤设备技术领域,具体提供一种内衣支架及应用其的内衣洗涤护理机,旨在解决两个容纳槽之间的距离固定不便,对不同尺寸的内衣进行限位时适配性较差,影响内衣的清洁效果的问题。为此目的,本发明的内衣支架包括底座、两个定位凸起和调节组件,所述...
  • 本申请实施例提供的障碍车轨迹预测方法和装置、车辆、存储介质,涉及自动驾驶技术领域。该方法通过获取障碍车的纵向初始状态信息、障碍车的纵向行驶意图、与纵向行驶意图对应的纵向终末状态信息;根据纵向初始状态信息、纵向行驶意图、纵向终末状态信息,确定...
  • 本发明公开了一种有限空间塔器逆作法施工器械加工操作台,具体涉及机械加工领域,包括所述出气腔体的内部通过电机转动连接有凸轮,所述出气腔体的内部位于所述所述凸轮的下方滑动连接有活塞板,所述活塞板与所述出气腔体之间固定连接有多个弹簧四所述出气腔体...
  • 本申请公开了一种冲击工具及其控制方法。该冲击工具包括:马达;输出轴,用于输出扭矩;冲击机构,用于向输出轴施加冲击力;电源开关,用于接收用户的操作指令,并根据操作指令控制马达与供电电源之间的电流;控制器,用于控制马达的运行占空比;控制器被配置...
  • 本发明公开了一种气泡鼓动式摇床,属于实验摇床技术领域,摇床主体的内底部固定安装的气泡鼓动囊,气泡鼓动囊的顶部安装有对容器限位腔限位的下限位件,限位腔限位板的两侧分别安装有导液的注入管,气泡鼓动囊与注入管连通,注入管的外侧安装有与气泡鼓动囊和...
  • 本发明涉及一种CpG ODN纳米免疫复合物的的制备方法,所述方法包括以下步骤:(1)按照一定比例将一定浓度的鱼精蛋白溶液与一定浓度的含有CpG基序的寡聚脱氧核苷酸CpG ODN水溶液混合均匀,在室温下通过静电复合组装形成混悬液;(2)对混悬...
  • 本申请公开了一种后走式自推工作机,包括主机和把手装置,主机包括行走组件和驱动行走组件的马达;把手装置连接至主机;把手装置还包括操作件、连接杆组件、感测装置、第一连接件和第二连接件,操作件包括用于供用户握持的握持部;连接杆组件包括连接至主机的...
  • 本公开的实施例提供了一种显示面板及其制备方法、拼接显示装置,涉及显示技术领域,用于提升连接引线的稳定性和可靠性,提高显示面板的制备效率及良品率。该显示面板包括:第一基板、设置于基板第一表面的第一电极和第二基板。第二基板的一端与基板的第一表面...
  • 本发明涉及红光LED芯片组件及其制作方法;其中,所述制作方法包括:提供一红光外延,所述红光外延包括依次堆叠的P型半导体层、发光层以及N型半导体层;在所述N型半导体层上形成金属层;对具有所述金属层的红光外延进行退火处理,以在所述N型半导体层靠...
  • 本发明公开了一种等离激元增强型紫外光电探测器及其制作方法,等离激元增强型紫外光电探测器包括:半导体材料层以及纳米结构层,所述半导体材料层具有3.2ev‑8.0ev的宽带隙;所述纳米结构层形成于所述半导体材料层表面,所述纳米结构层的材料选自铍...
  • 本发明提供一种沟槽、锗硅外延层及PMOS器件的形成方法,其中,沟槽的形成方法包括:提供一基底;对基底进行干法刻蚀以形成一沟槽;以及,对基底进行湿法刻蚀以对沟槽进行调整,在湿法刻蚀过程中,对湿法刻蚀的工艺条件进行调整。通过在湿法刻蚀的过程中调...
  • 本发明公开了一种半导体装置,包含:第一导电型的磊晶层设置于第一导电型的基底上,第二导电型的第一井区设置于磊晶层内,闸极设置于第一井区上,源极接触区和汲极接触区均具有第一导电型,设置于第一井区内,分别位于闸极的两侧,第一导电型的第二井区设置于...
  • 本发明涉及一种多功能器件的研发与应用领域,具体为一种基于石墨烯/锗肖特基结的多功能热发射极晶体管及构筑方法。该晶体管自上而下包括顶部金属电极、氧化铝绝缘层、具有纳米间隙的石墨烯沟道、氧化铪绝缘层和锗衬底,以及位于石墨烯沟道两侧且与石墨烯沟道...
  • 本公开涉及电子设备技术领域,具体提供了一种图像处理方法、装置、终端设备及存储介质。一种图像处理方法,包括获取通过相机模组的感光元件采集得到的图像数据,基于异型镜片的畸变比例对图像数据进行畸变校正,得到目标图像。本公开实施方式中,通过设置异型...
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