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  • 本申请实施例提供了一种IPSec混合抗量子计算安全方法及电子设备,涉及通信安全技术领域,该方法包括:当接收到发起方发送的密钥协商请求时向发起方发送第一密钥协商报文;接收发起方发送的第二密钥协商报文;利用响应方的加密证书对应的私钥对所接收的第...
  • 本申请公开了一种可变数据的验证方法及其系统,其中可变数据的验证方法包括以下步骤:获取可变数据;获取可变数据后,进行多个传输链路的构建;根据可变数据对传输链路进行传输验证;若传输验证通过,使用所述传输链路进行可变数据的传输;对传输中的可变数据...
  • 本发明涉及分布式检测的技术领域,公开了一种安全态势感知AI大模型的分布式异常检测方法,本发明采集分布式安全态势感知AI大模型的模型架构网络信息,获取指定拓展层级的关联特性地图,构建流处理框架的异常检测框架,指定异常检测层级构建异常检测框架进...
  • 本发明公开了基于以太网电缆数据传输的POE交换机网络管理方法,涉及交换机技术领域,包括:得到冗余端口和非冗余端口;对异常端口形成修复方案;当异常端口的总数据量不超过总流量上限时,则使用目标冗余端口进行异常端口的数据传输,否则,得到特征流量;...
  • 本发明提供了一种基线漂移校正电路、基线漂移校正方法及通信系统,涉及通信技术领域,该基线漂移校正电路能够根据判决器输出的判决信号和高通滤波器输出的初始接收信号,获取期望补偿信号;对期望补偿信号进行指数曲线拟合,得到信号增益值和增长率;根据增长...
  • 本发明公开了一种基于大数据的数据传输线路优化系统及方法,属于数据传输线路优化技术领域。本发明提取元数据,建立元数据索引,利用数据挖掘算法,挖掘不同档案信息的元数据之间的频繁项,得到频繁项集;基于频繁项集,进行内容相似性分析,得到相似度集;根...
  • 本发明公开了一种融合通信方法,包括协议融合层、信号处理层、适配层和融合通信系统;其融合通信方法包括a、通过协议融合层识别和转换不同的通信协议,协议融合层包括协议识别与转换和数据封装与解封装,b、通过信号处理层对通信信号进行优化处理,信号处理...
  • 本发明涉及图像处理技术领域,公开了一种基于现实增强的投影图像处理方法、装置、终端及介质,包括:获取当前投影空间信息、当前环境状态信息和待投影光学相关信息;根据当前投影空间信息和待投影光学相关信息,确定参考投影图像信息;根据当前环境状态信息和...
  • 本发明提出一种基于多尺度参考的JPEG无损重压缩方法,本发明方法包括:输入当前JPEG图像和参考JPEG图像,进行相应的处理,最终得到当前JPEG编码数据,并输出当前JPEG图像,所述相应的处理包括:下采样、上采样、条件编码、条件解码和特征...
  • 本申请实施例提供了一种曝光参数调整方法及装置,通过比较第一图像与第二图像中对应位置图像块的亮度差异,精准识别出亮度变化显著的区域。确定由这些图像块组成的连通域,若不存在位置相匹配的一对连通域,则证明不存在机动车辆,将曝光参数调整为第三曝光参...
  • 一种基于导航仪的蓝牙通信方法、系统、电子设备及介质,涉及通信技术领域。该方法包括:建立第一蓝牙模块、第二蓝牙模块以及第三蓝牙模块之间的通信连接;接收驾驶员的手机来电信号,并通过第一蓝牙模块将手机来电信号发送至车载导航仪以进行来电提示;响应于...
  • 本发明提供了一种基于多模态特征融合的隐式身份认证方法,该方法将获取到的传感器数据的离散信号转换成为灰度图像,然后,使用预训练好的卷积神经网络进行特征提取,结合GRU提取触摸屏序列数据特征,然后将两种模态的特征送入多模态融合网络进行特征融合,...
  • 本申请涉及LED灯的智能控制技术领域,具体涉及一种LED照明灯智能控制方法及系统,该方法包括:在对LED照明灯的亮度进行调控过程中,通过带有定时器输入捕获功能的微控制器在LED照明灯的驱动电路上捕获PWM信号,计算各时刻的PWM频率和PWM...
  • 本发明公开了一种高铁客室照明自调光控制系统,涉及高铁客室电照明技术领域,该系统的组成部分包括:乘客流量监测模块、中央控制模块、照明分区模块、记忆与存储模块,本发明通过中央控制模块根据乘客流量的变化趋势和各区域的个性化照明设置情况,不断优化照...
  • 本发明提供一种半导体器件的形成方法,通过在去除所述中压区的垫氧化层的同时去除高压区的源区和漏区的垫氧化层,而非在刻蚀第二栅氧层时一并去除垫氧化层造成的垫氧化层残留,从而去除了具有鸟嘴缺陷的垫氧化层,即后续在形成栅极结构的刻蚀中在高压区的源区...
  • 本发明涉及MOS半导体技术领域,且公开了一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构,包括金属漏极、半导体外延层、金属源极、栅极,以及覆盖在栅极表面的栅氧化层,所述半导体外延层包括有N衬底层、扩散层、P阱层、掺杂P层以及N阱层;所述栅极...
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构,涉及半导体制造技术领域。该半导体结构的制造方法包括:提供基底;其中,基底包括衬底和间隔设置于衬底上的至少两个栅极结构;栅极结构凸出衬底的表面;相邻的两个栅极结构在衬底上的投影之间的间隔...
  • 本发明给出一种碳化硅MOSFET版图结构及制作方法,且碳化硅MOSFET版图结构经碳化硅MOSFET元胞结构周期性阵列形成,该元胞结构包括四个方形碳化硅MOSFET元胞,四个方形碳化硅MOSFET元胞整齐排列成方形,且每两个方形碳化硅MOS...
  • 本发明公开了一种基于新型渐变势垒结构的三色红外探测器,涉及半导体技术领域,该三色红外探测器包括短波、中波、长波三通道区及渐变势垒层,仅设置上电极与下电极,通过在下电极施加不同偏压分别开启或关闭各通道;各通道的吸收层均采用InAs/GaSb超...
  • 本申请涉及一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法,涉及芯片封装技术领域,该芯片封装结构包括衬底、支撑胶层、感应芯片、布线层、处理芯片、塑封体和第一导电柱,处理芯片贴装在布线层上,并连接至第二焊盘,实现了与感应芯片之间的电连接,能够将感应芯...
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