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最新专利技术
  • 电源模块
    电源模块_株式会社爱信_202380072831.7
    本发明涉及电源模块。电源模块(100)具备：驱动基板(20、30)，其驱动由高度不同的多个电子部件构成的电子电路；控制基板(40)，其控制驱动基板；以及外壳(10)，其收纳驱动基板以及控制基板，外壳的内部空间(11)相对于虚拟基准面(50)...
    2025-06-20
  • 一种捕食螨驯化种群的扩增方法
    一种捕食螨驯化种群的扩增方法_华中农业大学_202311510492.4
    本发明涉及一种捕食螨驯化种群的扩增方法，具体是在不同规格的饲养容器中添加捕食螨的基础饲料，基础饲料的厚度占饲养盒总高度的10％‑80％。同时，在基础饲料中额外添加疏松介质：棉籽壳、开心果壳、瓦楞纸等；产卵介质：羊毛、棉线、聚酯纤维等，可在3...
    2025-06-20
  • 功能性油脂及其制备方法
    功能性油脂及其制备方法_广东省农业科学院蚕业与农产品加工研究所_202311518776.8
    本发明公开了一种功能性油脂及其制备方法，包括以下步骤：在酸价低于1.0mgKOH/g的功能性油脂的原料油中添加桑叶粉，氮气保护下保温孵育后，进行脱色处理，过滤回收，即得功能性油脂。本发明通过在原料油中添加适量的桑叶粉，于合适的温度下孵育一定...
    2025-06-20
  • 一种高摩擦系数线型低密度聚乙烯及其制备方法
    一种高摩擦系数线型低密度聚乙烯及其制备方法_中国石油天然气股份有限公司_202311514233.9
    本发明涉及聚乙烯制备技术领域，特别涉及一种高摩擦系数线型低密度聚乙烯及其制备方法。该聚乙烯以质量份数计，由以下组分组成：线型低密度聚乙烯10000份，抗氧剂3‑7份，吸酸剂3‑7份，抗滑剂20‑100份，分散剂20‑100份。本发明实现了通...
    2025-06-20
  • 一种低熔垂高密度聚乙烯厚壁管材树脂及其制备方法
    一种低熔垂高密度聚乙烯厚壁管材树脂及其制备方法_中国石油天然气股份有限公司_202311514234.3
    本发明涉及高分子聚合物树脂技术领域，特别涉及一种低熔垂高密度聚乙烯厚壁管材树脂及其制备方法。该聚乙烯厚壁管材树脂包含以下重量份的原料：乙烯/1‑丁烯共聚物粉料：100份，抗氧剂：0.30‑0.50份，除酸剂：0.10‑0.20份，含氟聚合物...
    2025-06-20
  • 一种耐候地膜用聚乙烯组合物及其制备方法和应用
    一种耐候地膜用聚乙烯组合物及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311514649.0
    本发明公开了一种耐候地膜用聚乙烯组合物及其制备方法和应用，该聚乙烯组合物，含有聚乙烯、抗氧剂、光稳定剂、复合助剂和碳酸钙；其中，所述复合助剂为由聚乙烯成核剂负载于球形或近似球形的交联橡胶粒子表面复合而成的复合助剂，所述聚乙烯选自线性低密度聚...
    2025-06-20
  • 一种棉花包装膜用树脂组合物及其制备方法和应用
    一种棉花包装膜用树脂组合物及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311514691.2
    本发明涉及聚烯烃薄膜领域，公开了一种棉花包装膜用树脂组合物及其制备方法和应用。该树脂组合物含有LLDPE树脂、光稳定剂、紫外光交联剂、成核剂、具有交联结构的橡胶粒子，和任选的助剂；以质量份计，相对于100份的LLDPE树脂，所述树脂组合物含...
    2025-06-20
  • 一种复合光稳定剂及其制备方法和应用
    一种复合光稳定剂及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311516626.3
    本发明涉及一种复合光稳定剂及其制备方法和应用，该复合光稳定剂，包括光稳定剂、紫外光交联剂、成核剂和具有交联结构的橡胶粒子，以质量份计，相对于1份的光稳定剂，所述复合光稳定剂中成核剂和具有交联结构的橡胶粒子的总量为0.2～2份，紫外光交联剂的...
    2025-06-20
  • 一种耐候地膜用的线性低密度聚乙烯组合物及其制备方法和应用
    一种耐候地膜用的线性低密度聚乙烯组合物及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311517386.9
    本发明提供了一种耐候地膜用的线性低密度聚乙烯组合物及其制备方法和应用，该组合物含有LLDPE树脂、无机粒子/橡胶粒子复合物和任选的助剂；其中，所述无机粒子/橡胶粒子复合物含有无机粒子和覆于所述无机粒子表面的橡胶粒子，所述无机粒子的目数为80...
    2025-06-20
  • 一种耐酸聚乙烯组合物、薄膜及其制备方法和应用
    一种耐酸聚乙烯组合物、薄膜及其制备方法和应用_中国石油化工股份有限公司_202311518295.7
    本发明涉及一种耐酸聚乙烯组合物、薄膜及其制备方法和应用，耐酸聚乙烯组合物包括树脂基体、抗氧剂，还包含水滑石和光稳定剂和任选的成核助剂，以树脂基体的的重量百分含量为1000份计，水滑石含量为0.5～5份，光稳定剂的含量为0.5～3份，水滑石的...
    2025-06-20
  • 处理字节码文件的方法、装置及存储介质
    处理字节码文件的方法、装置及存储介质_华为云计算技术有限公司_202311514749.3
    本申请公开了一种处理字节码文件的方法、装置及存储介质，属于计算机领域。所述方法包括：获取第一字节码BC文件，所述第一BC文件是源程序编译过程中的中间表示形态；基于所述第一BC文件获取多个第一函数调用图，所述第一函数调用图包括所述源程序中的多...
    2025-06-20
  • 源文件处理方法、装置、设备、介质和程序产品
    源文件处理方法、装置、设备、介质和程序产品_北京京东乾石科技有限公司_202311518410.0
    本公开的实施例公开了源文件处理方法、装置、设备、介质和程序产品。该方法的一具体实施方式包括：获取从目标页面对应的源文件中选取的源文件片段；确定该源文件片段对应的处理提示信息；利用源文件处理语言模型，对该源文件片段执行该处理提示信息对应的处理...
    2025-06-20
  • 车辆诊断27服务安全性的检测方法、装置、设备及介质
    车辆诊断27服务安全性的检测方法、装置、设备及介质_北京梆梆安全科技有限公司_202311512656.7
    本申请公开了一种车辆诊断27服务安全性的检测方法、装置、设备及介质，涉及信息安全技术领域。其中，该方法包括：检测27服务的27认证功能是否实现；检测所述27认证功能是否有效；若所述27认证功能未实现，或者所述27认证功能无效，则确定所述27...
    2025-06-20
  • 设备测试方法、装置和可读存储介质
    设备测试方法、装置和可读存储介质_宁德时代未来能源(上海)研究院有限公司_202311515584.1
    本申请提供了一种设备测试方法、装置和可读存储介质，涉及设备测试技术领域。该方法包括：获取待测设备在测试过程中的测试参数，根据测试参数和脚本模版生成测试脚本，然后通过测试脚本对待测设备进行测试。在本申请实施例提供的设备测试方法中，在生成测试脚...
    2025-06-20
  • 应用程序的接口测试方法、装置、车辆和存储介质
    应用程序的接口测试方法、装置、车辆和存储介质_小米汽车科技有限公司_202311517409.6
    本公开关于一种应用程序的接口测试方法、装置、车辆和存储介质，属于程序测试、车辆技术领域。其中，该方法包括：获取待测试的应用程序的第一信号矩阵；基于所述第一信号矩阵，生成所述应用程序的测试脚本；基于所述测试脚本，对所述应用程序进行接口测试。由...
    2025-06-20
  • 一种面向油气田地面工程案例的智能搜索方法及系统
    一种面向油气田地面工程案例的智能搜索方法及系统_中国石油天然气股份有限公司_202311518723.6
    本发明公开了一种面向油气田地面工程案例的智能搜索方法及系统，本发明提出的智能搜索方法基于知识图谱技术，建立涵盖多模态的油气田地面工程案例库，为智能搜索系统提供资源支撑，同时本发明还通过对用户的检索信息进行建模和分析，采用基于决策树的推荐算法...
    2025-06-20
  • 一种碱抛前返工片的清洗工艺及清洗机
    一种碱抛前返工片的清洗工艺及清洗机_横店集团东磁股份有限公司_202311511071.3
    本发明提供一种碱抛前返工片的清洗工艺及清洗机。所述清洗工艺包括以下步骤：对碱抛前返工片依次进行前清洗处理、单面抛光处理、后清洗处理、酸洗处理和烘干处理。本发明提供了一种工艺简单的清洗方法，通过对碱抛前返工片的进行清洗，有效地削除了返工片表面...
    2025-06-20
  • 一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制造方法
    一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202311523884.4
    本发明涉及一种沟槽型肖特基势垒二极管及其制造方法，所述沟槽型肖特基势垒二极管包括：衬底，具有第一导电类型；第一导电类型层，位于衬底上，第一导电类型层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；沟槽结构，从第一导电类型层的正面向衬底延伸；沟槽结构包括导电材...
    2025-06-20
  • 高压器件的制造方法
    高压器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311516178.7
    本发明提供一种高压器件的制造方法，先通过热氧化形成牺牲氧化层并去除牺牲氧化层，一方面降低基底的表面高度，另一方面使得高压区周围的器件隔离结构在横向上变薄，从而可以保证后续形成的高压栅氧化层能够自对准地形成在器件隔离结构限定的高压区的基底表面...
    2025-06-20
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_成都紫光半导体科技有限公司_202311526342.2
    本公开涉及一种半导体器件的形成方法，所述形成方法包括：步骤S10：提供衬底(70)和层叠于所述衬底(70)的具有多层薄膜的材料层，用于形成栅极结构；步骤S21：在所述材料层上定义第一PMOS区(11)和第一NMOS区(21)的同时，定义第一...
    2025-06-20
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