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最新专利技术
  • 线缆束、线缆束的制造方法以及线缆束的制造装置
    线缆束、线缆束的制造方法以及线缆束的制造装置_株式会社藤仓_202380073046.3
    线缆束(1)具备多个单位束(10A～10C)，该多个单位束(10A～10C)在与作为线缆束(1)的周向(D1)的第一方向正交的第二方向(D3)上重叠，各个单位束(10A～10C)具备在第二方向(D...
    2025-06-23
  • 机动车
    机动车_奥迪股份公司_202380076101.4
    本发明涉及一种机动车（1），其包括：充电插座（4），该充电插座用于被安装在机动车（1）中的电池（2）、特别是动力电池；具有后车轮的后车轮罩（6）的车身，充电插座（4）在该后车轮罩上方被安装在车身中；充电盖模块（5），该充电盖模块具有向外遮盖...
    2025-06-23
  • 一种微型发光二极管阵列器件及其制备方法
    一种微型发光二极管阵列器件及其制备方法_星钥(珠海)半导体有限公司_202311555468.2
    本发明公开了一种微型发光二极管阵列器件及其制备方法，器件包括：驱动电路层以及设置于所述驱动电路层上方的介质层；所述介质层中设置有若干列的发光阵列带，每列所述发光阵列带包括P型电极层以及逐个排列设置于所述P型电极层上的若干个发光单元；每个所述...
    2025-06-23
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202311548145.0
    本揭示提供一种电子装置，包括基板以及电子元件。电子元件设置在基板上且包括第一栅极、半导体图案、源极、漏极以及第二栅极。半导体图案包括重叠区、第一侧边区和第二侧边区。半导体图案和第一栅极重叠的部分定义为重叠区。在第一方向上，第一侧边区和第二侧...
    2025-06-23
  • 微发光器件显示面板及其制备方法
    微发光器件显示面板及其制备方法_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202311560531.1
    本申请公开了一种微发光器件显示面板及其制备方法，包括基板、以阵列的方式设置在所述基板上的多个发光器件，多个所述发光器件包括第一发光器件、第二发光器件及第三发光器件，所述第一发光器件、所述第二发光器件及所述第三发光器件发出的光线的颜色均不相同...
    2025-06-23
  • 一种晶圆的制造方法及半导体集成电路芯片
    一种晶圆的制造方法及半导体集成电路芯片_格科半导体(上海)有限公司_202311551271.1
    本发明公开了一种晶圆的制造方法及半导体集成电路芯片，晶圆的制造方法包括：提供一衬底，将所述衬底送入炉管中；在所述衬底上形成正面膜层，利用所述正面膜层的形成以同步形成包括至少一层背面膜层的背封；转动所述衬底，使所述晶圆与所述炉管的接触位置不重...
    2025-06-23
  • 图片检索的方法、装置、终端设备及存储介质
    图片检索的方法、装置、终端设备及存储介质_深圳云天励飞技术股份有限公司_202311553073.9
    本申请适用于图片检索技术领域，提供一种图片检索的方法、装置、终端设备及存储介质，所述方法包括：获取待检索图片的检索语句和预设图片数据库；基于检索语句，通过已构建的联合语义预测模型预测检索语句对应的检索要素，检索要素包括检索意图、操作符、待检...
    2025-06-23
  • 大语言模型生成方法、问答知识校验方法、装置、车辆
    大语言模型生成方法、问答知识校验方法、装置、车辆_北京罗克维尔斯科技有限公司_202311551027.5
    本公开涉及一种大语言模型生成方法、问答知识校验方法、装置、车辆；方法包括：获取从多个数据来源收集的目标专业领域知识数据，构建第一训练数据集；所述目标专业领域知识数据为文本数据；基于所述第一训练数据集，对初始大语言模型进行预训练，得到预设大语...
    2025-06-23
  • 前端页面的自动化操作方法、装置、设备及存储介质
    前端页面的自动化操作方法、装置、设备及存储介质_中国联合网络通信集团有限公司_202311551373.3
    本申请提供一种前端页面的自动化操作方法、装置、设备及存储介质，可用于自动化测试领域。在该方案中，包括自动化操作处理平台和前端页面的服务端。自动化操作处理平台基于用户所输入的自动化操作信息生成可执行自动化操作的json文件，并与前端页面建立连...
    2025-06-23
  • 一种三脚架及其云台
    一种三脚架及其云台_影石创新科技股份有限公司_202311554534.4
    本申请实施例涉及摄影辅助设备技术领域，公开了一种三脚架及云台。该三脚架包括：基座；所述基座上开设有支脚安装孔；所述支脚安装孔连通所述基座的内部空间和外部空间；刮擦部件；所述刮擦部件包覆所述支脚安装孔的至少一部分边缘；若干个支脚；所述支脚装配...
    2025-06-23
  • 转炉烟气全干法净化系统及方法
    转炉烟气全干法净化系统及方法_中冶京诚工程技术有限公司_202311545992.1
    本发明为一种转炉烟气全干法净化系统及方法，该转炉烟气全干法净化系统包括：第一烟气降温装置，第一烟气降温装置用于将回收自转炉的烟气降温至第一预设温度并分离烟气中的第一杂质；至少一个袋式除尘装置，袋式除尘装置的烟气进口与第一烟气降温装置的烟气出...
    2025-06-23
  • 汽车座椅横梁加强结构焊接设备
    汽车座椅横梁加强结构焊接设备_安徽成飞集成瑞鹄汽车模具有限公司_202311576139.6
    本发明公开了一种汽车座椅横梁加强结构焊接设备，包括料架、夹具、用于带动夹具在第一上料工位、第二上料工位、焊接工位和下料工位之间进行切换的旋转台、用于将料架上摆放的加强盒放置在位于第一上料工位的夹具上的第一上料机械手、用于将固定板放置在位于第...
    2025-06-23
  • 用于气溶胶产生制品的加热单元
    用于气溶胶产生制品的加热单元_日本烟草国际股份公司_202380074956.3
    本发明涉及一种用于气溶胶产生制品的加热单元，该加热单元包括：加热炉，该加热炉包括炉部件，加热炉被配置为至少在加热模式和非加热模式下操作，该加热模式用于在气溶胶产生制品被接纳在加热炉内时加热气溶胶产生制品的气溶胶形成基质；炉支架，该炉支架被配...
    2025-06-23
  • 具有高配置性的定子或转子绕组，以及使用这种绕组的定子或转子
    具有高配置性的定子或转子绕组，以及使用这种绕组的定子或转子_泰克马奇有限公司_202380014873.5
    本发明涉及一种具有高配置性的定子或转子绕组，以及使用这种绕组的定子或转子，其中，使用了具有不同节距的单层发夹，以至少区别狭槽中的两个位置。这种排布允许获得更宽的绕组族，从而获得电平衡的定子或转子，优选地保持气隙处的直径、狭槽的数量和导体的尺...
    2025-06-23
  • 液相色谱用检测器
    液相色谱用检测器_东曹株式会社_202380072953.6
    本公开的目的在于提供一种抑制在设置有液相色谱用检测器的环境的气压变动时产生的噪声的液相色谱用检测器。液相色谱用检测器具有：壳体；检测元件，其配置于壳体内；导入配管，其用于将流体向检测元件导入；导入侧热交换部，其配置于壳体内，且使导入配管中的...
    2025-06-23
  • 用于燃料电池和电解槽的膜组分的再循环
    用于燃料电池和电解槽的膜组分的再循环_庄信万丰股份有限公司_202380073462.3
    一种从废膜中再循环氟化聚合物的方法，该氟化聚合物包含氟化聚合物主链和多个由式‑SO3Z表示的基团，其中Z是氢或阳离子，该方法包括：使该废膜与液体溶剂接触，以将该废膜分散在该溶剂中，从而形成该氟化聚合物在该液体溶剂中的分...
    2025-06-23
  • 用于显示动力工具误用的方法
    用于显示动力工具误用的方法_喜利得股份公司_202380072941.3
    一种用于以开环和闭环控制动力工具、特别是手持式动力工具的方法，该动力工具包括动力工具壳体、控制单元、驱动装置、工具配件、以及输出装置，该方法步骤为：‑经由至少一个加速度传感器检测至少一个加速度值；‑如果检测到的加速度值达到保存在存储器装置中...
    2025-06-23
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311561013.1
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，将现有技术中在形成PMOS区的锗硅源漏之后打开NMOS区的第二硬掩膜层的步骤，调整到用于形成PMOS区的锗硅源漏的光刻工艺之前，并采用化学机械抛光CMP的方法一道去除NMOS区和PMOS区的栅极顶部上的第...
    2025-06-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311560079.9
    本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。所述制造方法中，利用对器件区进行的第一导电类型离子注入在各多晶硅电阻内形成相同掺杂剂量的第一导电类型离子，并利用对器件区进行的第二导电类型离子注入在各多晶硅电阻内形成不同掺杂剂量的第二导电类型离子，经过...
    2025-06-23
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311561018.4
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法基于同一光罩形成中压区N阱及高压区N型调节区于半导体层中，其中，中压区N阱位于中压器件区域，高压区N型调节区位于第一N型漂移区中并位于高压区栅介质层远离第二N型漂移区的一侧，高压区N型调节区的底面...
    2025-06-23
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