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最新专利技术
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202311589319.8
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，包括衬底及垂直传输场效应晶体管，垂直传输场效应晶体管中，垂直沟道结构包括沿垂直方向依次设置的第一源漏扩展区、沟道区及第二源漏扩展区，堆叠结构包括沿垂直方向依次设置的第一侧墙隔离层、栅极结构及第二侧墙...
    2025-06-24
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311573623.3
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法基于高压器件第一导电类型轻掺杂源漏光罩形成第一导电类型掺杂区于P型半导体层中，其中，该光罩在本征器件区域增设有窗口，形成的第一导电类型掺杂区包括位于高压器件区域的第一导电类型轻掺杂源漏区与位于本征...
    2025-06-24
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202311577133.0
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的鳍部结构，衬底包括沿鳍部结构延伸方向排列的器件区和隔离区，鳍部结构内具有第一离子；形成横跨鳍部结构的栅极结构和位于衬底上的介质结构，栅极结构位于介质结构内；去除隔离区上的介质结构以...
    2025-06-24
  • 沟槽型半导体功率器件
    沟槽型半导体功率器件_达尔科技股份有限公司_202311575226.X
    本申请涉及沟槽型半导体功率器件。沟槽型半导体功率器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；体掺杂区，位于外延层中；源极掺杂区，位于体掺杂区中；沟槽结构，在从源极掺杂区往衬底延伸的第一方向上具有第一深度，并包括沿第二方向延伸的第一半导体层。第一半导...
    2025-06-24
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法
    一种N型TOPCon电池及其制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202311576586.1
    本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池及其制备方法，其中，本发明实施例所提供的N型TOPCon电池的制备方法中，在硼扩散及激光掺杂后，采用氧气和水蒸汽的混合气体对硅片进行氧化，增加了氧化速率，可以有效降低工艺温度和时间，不仅使得硅片表面...
    2025-06-24
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_成都辰显光电有限公司_202311593370.6
    本申请提供一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列基板和设置于阵列基板上的多个发光单元和多个阻挡件，多个发光单元间隔设置，每相邻两个发光单元之间设置有遮光层；多个发光单元与多个阻挡件一一对应地设置，阻挡件位于发光单元和遮光层背离阵列基板的一...
    2025-06-24
  • 发光组件及其制备方法、显示面板
    发光组件及其制备方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202311571987.8
    本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。该发光组件包括基底，驱动单元，发光单元以及封装结构。基底的目标区域包围驱动单元在基底上的正投影以及发光单元在基底上的正投影。封装结构的第一部分和发光单元远离基底的一侧连接，第...
    2025-06-24
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202311576427.1
    本申请实施例提供一种显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。在显示面板中，隔离结构在第一显示区形成第一隔离开口和第二隔离开口，对光线有阻挡作用的子像素器件只设置在第二隔离开口内，第一隔离开口内不设置透光率较差的子像素器件，相对于第二隔离开口，...
    2025-06-24
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202311590653.5
    本申请实施例提供一种显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。隔离结构在第一显示区包括第一隔离开口和第二隔离开口，对光线有阻挡作用的子像素器件只设置在第二隔离开口内，相对于第二隔离开口，第一隔离开口具有更强的光透过率，如此可以提升第一显示区的光...
    2025-06-24
  • 一种测试系统及测试方法
    一种测试系统及测试方法_北京罗克维尔斯科技有限公司_202311566789.2
    本申请涉及一种测试系统及测试方法，涉及测试技术领域，其中方法包括：获取测试工况信息；将测试工况信息通过预设工具生成测试用例；基于测试用例调用Lauterbach仿真器的用于实现边界扫描测试的API接口，读取被测设备相关的芯片引脚和上位机模块...
    2025-06-24
  • 应用程序的劣化检测方法、装置、电子设备以及存储介质
    应用程序的劣化检测方法、装置、电子设备以及存储介质_北京字跳网络技术有限公司_202311569955.4
    本公开实施例提供了一种应用程序的劣化检测方法、装置、电子设备以及存储介质。所述方法包括：确定目标应用程序运行时的目标运行状态信息，所述目标运行状态信息用于指示在不同检测阶段目标应用程序进行函数调用时的CPU耗时、函数调用次数以及目标应用程序...
    2025-06-24
  • 基于多轮对话的评测方法、装置、设备及存储介质
    基于多轮对话的评测方法、装置、设备及存储介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202311572749.9
    本申请公开了一种基于多轮对话的评测方法、装置、设备及存储介质，属于人工智能领域。该方法包括：获取大语言模型的多轮对话文本；多轮对话文本中的每轮对话文本包括提问文本和回答文本，提问文本是输入至大语言模型的文本，回答文本是大语言模型基于提问文本...
    2025-06-24
  • 随机接入方法、装置、终端及网络侧设备
    随机接入方法、装置、终端及网络侧设备_维沃移动通信有限公司_202311567554.5
    本申请公开了一种随机接入方法、装置、终端及网络侧设备，属于通信技术领域，本申请实施例的随机接入方法，包括：终端接收网络侧设备发送的目标消息，所述目标消息携带物理随机接入信道传输机会RO调度信息；所述终端基于所述RO调度信息确定目标RO，并基...
    2025-06-24
  • 一种MOS器件及其制作方法
    一种MOS器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311567622.8
    本发明提供一种MOS器件的制作方法，该方法依次形成第一氧化硅侧墙、牺牲侧墙及第二氧化硅侧墙于栅极结构的Y方向两侧，牺牲侧墙的顶面低于第一氧化硅侧墙的顶面，第二氧化硅侧墙的顶端与第二氧化硅侧墙的顶端相接，后续通过去除位于栅极结构的X方向两端的...
    2025-06-24
  • 垂直式半导体器件及其制造方法
    垂直式半导体器件及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202311579690.6
    本申请涉及垂直式半导体器件及其制造方法。垂直式半导体器件包括：半导体材料层；第一屏蔽结构，位于半导体材料层，包括第一屏蔽介电层，以及被第一屏蔽介电层围绕的第一屏蔽电极；第一掺杂区，位于半导体材料层，第一掺杂区具有第一导电型；以及第一栅极结构...
    2025-06-24
  • 用于电连接器的接头组件的两件式直角的公端子及其电连接器
    用于电连接器的接头组件的两件式直角的公端子及其电连接器_莫列斯有限公司_202380071653.6
    一种电连接器的直角的公端子具有压配在一起以形成一过盈配合的分体的第一、第二插针。一个插针具有一无螺纹插口而另一个插针具有对接突部。一个插针的对接突部通过一过盈配合连结于另一个插针的一插口，且两插针的轴向中心线垂直。这种结构优化平直度和孔的真...
    2025-06-24
  • 保存液、保存方法以及没食子酸烷基酯在保存液中的应用
    保存液、保存方法以及没食子酸烷基酯在保存液中的应用_国科宁波生命与健康产业研究院_202311562547.6
    本申请提供了保存液、保存方法以及没食子酸烷基酯在保存液中的应用。保存液成分中包含胶体物质和没食子酸烷基酯，所述保存液中所述没食子酸烷基酯的浓度为0.1μmol/L～299μmol/L。该保存液可以用于保存细胞、组织、器官，能够使细胞、组织、...
    2025-06-24
  • 程序调试方法、系统、存储介质及设备
    程序调试方法、系统、存储介质及设备_中车株洲电力机车研究所有限公司_202311559284.3
    本发明提供一种程序调试方法、系统、存储介质及设备，该方法包括如下步骤：将调试插件导入所述编程工具以获取所述编程工具的编译环境信息；解析所述编译环境信息并提取出所述编程工具中的程序信息；基于所述程序信息生成调试工程；通过所述编程工具将所述调试...
    2025-06-24
  • 一种信息处理方法、系统、设备及介质
    一种信息处理方法、系统、设备及介质_北京字跳网络技术有限公司_202311562594.0
    本申请提供了一种信息处理方法、系统、设备及介质，应用于数字助手的服务端，该方法包括：接收数字助手的客户端发送的与第一任务主题关联的第一请求；根据第一请求，确定第一任务主题的元信息，其中，第一任务主题的元信息存储在数字助手的服务端中；根据第一...
    2025-06-24
  • 钴硅化物的制造方法及半导体器件的制造方法
    钴硅化物的制造方法及半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202311559721.1
    本发明提供一种钴硅化物的制造方法及半导体器件的制造方法，在对沉积有金属钴的硅衬底进行第一温度下的快速热处理并去除未反应的钴以及进行第二温度下的快速热处理之后，沉积至少一层介电材料层，并在部分层或全部层的所述介电材料层沉积完成之后的任意合适节...
    2025-06-24
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