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  • 本公开涉及一种车辆控制方法、装置、钥匙、电子设备及车辆。方法包括:获取目标钥匙在预设时间段内连续发送的多个车辆解锁信号;获取目标钥匙在预设时间段内连续发送的多个车辆解锁信号;根据多个车辆解锁信号,获取验证信息;在根据验证信息对目标钥匙验证不...
  • 本发明公开了一种车辆信号告警方法、装置、设备及存储介质,方法包括:获取车辆信号;生成所述车辆信号的当前信号特征信息;基于预设的信号特征信息与告警规则的对应关系,获取与所述当前信号特征信息对应的目标告警规则;利用所述目标告警规则进行告警。本发...
  • 本公开是关于一种屏幕模组及其加工方法、电子设备,其中,屏幕模组的加工方法包括:提供显示面板母板,显示面板母板包括多个显示面板;于显示面板母板的第一表面形成具有光学胶材料的母膜,得到层叠结构,母膜覆盖各显示面板;对层叠结构进行切割,得到子层叠...
  • 本发明公开了一种基于双线性非线性声子晶体实现二次谐波聚焦和曲线传播的方法。基于双线性非线性声子晶体,我们通过一定的参数设计实现了二次谐波增强,并通过改变双线性非线性材料的参数,得到其与二次谐波相位的对应关系,从而能够实现对二次谐波相位的调控...
  • 本公开的实施例提供了一种语音识别方法、装置、设备及计算机可读存储介质。所述方法包括:获取语音指令;通过预设声学模型对所述语音指令进行识别,得到对应的拼音以及所述拼音的得分;判断所述拼音的得分是否大于预设得分阈值;若所述拼音的得分大于所述预设...
  • 本申请涉及智能设备技术领域,公开一种用于语音唤醒的方法,包括:在检测到声音的情况下,根据声源与智能设备的相对位置信息和声音的音量,分析声源是否为待验证声源;在声源为待验证声源的情况下,检验声源的声纹;在声纹通过检验的情况下,唤醒智能设备。通...
  • 本公开提供一种语音增强算法的评估方法、装置、电子设备、芯片及存储介质,该方法包括:使用语音增强算法对带噪语音进行降噪处理,得到降噪语音;通过多个评价指标对降噪处理的过程进行评估,得到多个评价结果,其中,评价结果与评价指标相对应,多个评价指标...
  • 本申请涉及一种音频处理方法、装置、电子设备及车辆。包括:获取第一音量幅值和第二音量幅值;将第一音量幅值和第一声相系数代入第一算式以获取第一运算结果;第一运算结果与第一音量幅值和第一声相系数均正相关;将第二音量幅值和第一声相系数代入第二算式以...
  • 本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法以及可读存储介质,所述存储器装置包括:第一存储区域和第二存储区域,均包括多个存储单元;外围电路,与所述第一存储区域和所述第二存储区域耦合且被配置为:将数据写入所述第一存储区域时,采用逐次增大的第一...
  • 本申请提供了一种业务事件数据管理方法及系统、存储介质,涉及医疗健康技术领域,该业务事件数据管理方法包括:获取业务事件数据,提取所述业务事件数据中包含的关键字词;依据预先设置的各子业务事件映射的事件处理逻辑与提取的关键字词,确定所述业务事件数...
  • 本申请涉及一种医学设备的检查方案生成方法、装置和医学设备,其中,该方法包括:获取待检查对象的初始检查信息和待检查对象的实时信息;所述实时信息通过所述医学设备的传感器采集;根据所述初始检查信息和所述实时信息,生成所述待检查对象的关键词标签;根...
  • 本申请实施例适用于医学技术领域,提供了一种体内装置植入仿真方法及装置,该方法包括:确定血流导向装置的结构模型,血流导向装置由多根金属丝相互缠绕形成;根据结构模型中金属丝相交形成的质点对,建立血流导向装置的质点模型;质点对包括两个质点,分别表...
  • 本发明公开了一种非能动核蒸汽供应系统,其中的热段主管道的两端分别连接反应堆压力容器和蒸汽发生器,主泵立式地连接蒸汽发生器,冷段主管道的两端分别连接压力容器和主泵,热段主管道设有第一液位取压口和第二液位取压口,第一液位取压口位于热段主管道的底...
  • 本发明提供了一种SmFeN材料及其制备方法,所述SmFeN材料包括内核和包覆层,所述内核包括SmFeN,包覆层包括聚偏磷酸盐。本发明所述SmFeN材料通过包覆层的包覆,提升了SmFeN材料的稳定性,使其不易氧化,在保证SmFeN材料活性和磁...
  • 本申请提供一种电连接结构,涉及低压电气技术领域,包括:设置于断路器本体的接触组件,以及设置在底座上的导电部件,通过所述接触组件和所述导电部件的一侧导电,以使所述断路器本体和所述底座插拔电连接。导电的电路连接方式,能够使断路器本体和底座之间、...
  • 本公开的实施例提供了用于开关装置的断点机构和开关装置。该断点机构包括触头驱动组件,包括被驱动部,并且耦合至动触头,以驱动动触头在分闸位置和合闸位置之间运动;手柄组件,适于绕枢转轴转动并且包括关联驱动部以及可伸缩的伸缩驱动部,伸缩驱动部在随手...
  • 本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括:腔室本体,其顶部设有开口;上电极组件,包括封盖在开口处的上电极盖板,以及设置于上电极盖板的底面的电极组件,电极组件与腔室本体的侧壁之间设有环形间隙;阻抗环组件,套设在电极组件的外侧,阻...
  • 本发明涉及一种金刚石复合衬底的制备方法,包括以下步骤:提供基片;对基片进行离子注入,将基片分隔成依次层叠设置的衬底、离子注入层以及剥离层,衬底的厚度为h,0<h≤100nm;在衬底背离离子注入层的表面制备碳基缓冲层;在碳基缓冲层上制备金刚石...
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。所述制备方法包括:提供含硅衬底;通入预处理气体,在所述含硅衬底表面诱导形成预处理层,所述预处理层包括若干个成核点;采用物理气相沉积工艺,沿所述若干个成核点在所述含硅衬底表面生长形成第一缓冲层。本发明中...
  • 本发明提供一种封装基板结构及其制备方法,制备方法包括:于芯板层的上下表面分别设置图形导电层,于图形导电层上设置介质增层,于介质增层上设置硅基中间层增层,于形成结构的上下表面均设置图形化的阻焊层以引出导电连接。本发明通过在封装基板的介质增层上...
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