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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本申请提供一种声表面波器件、滤波器和射频前端模组,声表面波器件包括压电基底和叉指换能器,叉指换能器包括电极单元和两个沿第一方向间隔排列的汇流条;电极单元包括第一连接条和两个谐振单元,两个谐振单元沿第一方向排列设置,两个谐振单元通过同一个连接...
  • 本发明涉及电子元器件领域,公开了一种耐高温高精度石英晶体谐振器。所述耐高温高精度石英晶体谐振器包括基座、耐高温石英晶体振子、耐高温导电胶和密封盖片。其中,所述耐高温石英晶体振子具有在超宽工作范围内保持高精度的工作特性,所述耐高温导电胶将耐高...
  • 本申请公开了一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法。涉及滤波技术领域。其中,半导体射频滤波器包括作为载体的第一衬底、位于第一衬底上的体声波谐振器以及立体电感结构,立体电感结构包括第二衬底和布置于第二衬底内的立体电感,并且第二衬底...
  • 本申请涉及一种弹性波器件及其使用弹性波器件的模块,该弹性波器件具备支撑基板;介质层,介质层形成于所述支撑基板上;绝缘层,绝缘层形成于所述介质层上;压电层,压电层形成于所述绝缘层上;谐振器,谐振器包括IDT电极,且形成于所述压电层上;其中,介...
  • 本申请公开了一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器及电子设备,涉及射频技术领域,该声表面波谐振器中其电极指包括第一金属层和第二金属层,第二金属层包括沿背离第一金属层的方向层叠的第一子金属层至第五子金属层,其中,第三子金属层为Ti金属层,第四...
  • 一种体声波(BAW)器件包括层堆叠(102),层堆叠包括第一电极(104A)和第二电极(104B),电极之间的第一压电层(106A),以及第一压电层与第二电极之间的第二压电层(106B)。第二压电层的晶体结构的极化(P2)与第一压电层的晶体...
  • 本发明提供一种弹性波装置以及多工器。滤波器具备具有压电性基板和IDT电极的弹性波谐振子,压电性基板具有压电层、低声速层和高声速层,IDT电极的交叉区域具有中央区域和边缘区域,IDT电极具有配置在边缘区域内的质量附加膜,IDT电极的占空比D以...
  • 本申请涉及一种弹性波装置和滤波器。弹性波装置包括压电基板和设于压电基板上的第一汇流条、第二汇流条、多个电极指和绝缘层,绝缘层位于第一汇流条和第二汇流条之间,多个电极指位于第一汇流条和第二汇流条之间,多个电极指沿第一汇流条的延伸方向间隔排列,...
  • 本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器和电子设备,涉及射频技术领域,包括:衬底;位于所述衬底一侧的叠层结构,所述叠层结构包括至少两层二氧化硅层以及位于相邻两层二氧化硅层之间的高声速层,任意相邻两层二氧化硅层的密度不同,且位于该相邻两层二氧化...
  • 本公开的各方面涉及在堆叠式电声设备中实现体波抑制的设备、无线通信装置、方法和电路。一个方面包括:第一基板(420),该第一基板包括第一表面和第二表面,其中该第二表面与该第一表面相对;第一AW谐振器电路(450),该第一AW谐振器电路定位在该...
  • 本申请揭示了一种上变频器,包括:腔体,所述腔体的第一侧设置有第一射频连接器和第二射频连接器,所述腔体的第二侧设置有第三射频连接器和第四射频连接器,所述腔体内设置有第一电路板,所述第一电路板上设置有上变频电路,所述上变频电路包括预处理模块、第...
  • 本申请提供了一种滤波器封装方法及滤波器,涉及封装技术领域。本申请在进行滤波器的封装时,并非是在滤波器晶圆本身进行作业,而是在玻璃盖板上进行作业,这使得本申请可在将多颗滤波器芯片倒贴于玻璃盖板上之前,先分别对多片滤波器晶圆进行裁切得到多颗滤波...
  • 本申请提供一种智能电子开关、集成电路芯片、芯片产品和汽车,智能电子开关能够工作在不同的工作模式,并根据其所处的工作模式,控制内部功能电路的工作状态,例如,智能电子开关可以包括控制电路和保护电路,这样在正常工作模式,控制电路控制保护电路工作在...
  • 本发明实施例提供一种锁相环电路及其设置方法、通信设备,锁相环电路包括锁相环主体电路以及相位温度补偿电路,可根据锁相环主体电路随温度变化所产生的相位偏移,设置相位温度补偿电路的至少一个相位延时单元接入锁相环主体电路,利用接入相位温度补偿电路的...
  • 本发明公开了一种相位噪声可调的晶体三极管宽动态输出放大电路,包括有三极管集电极放大窄带带通电路和三极管射极跟随驱动电路;三极管集电极放大窄带带通电路包括有输入匹配单元、三极管放大单元和第一LC谐振单元;三极管射极跟随驱动电路包括有三极管射随...
  • 本发明适用于无线通讯技术领域,尤其涉及一种低噪声放大器及射频芯片。所述低噪声放大器包括输入匹配电路、偏置电路、放大电路、输出匹配电路、衰减器以及防失真增益抑制电路。与现有技术相比,本发明通过在放大电路的第一MOS管和第二MOS管的连接处,添...
  • 本发明提供一种USB TYPE‑C接口下拉电阻控制电路,其包括下拉电阻模块,用于提供TYPE‑C接口的下拉电阻;下拉电阻控制逻辑模块,用于在Sink端未通电时控制下拉电阻模块开启,以及在Sink端通电时根据控制指令控制下拉电阻模块的开启或关...
  • 本发明公开了一种音频设备及其放大器供电电压的控制方法,该方法包括如下步骤:S110,所述音频设备的处理单元检测所述数字音频信号的幅度,并获取所述音频设备的音质参数;S120,所述处理单元根据所述幅度和音质参数计算所述音频设备的音频功率放大器...
  • 本发明涉及电子元器件领域,公开了一种耐高温高精度石英晶体谐振器的制作方法。耐高温高精度石英晶体谐振器的制作方法包括以下阶段:耐高温石英晶片的制作;耐高温石英晶体振子的制作;耐高温高精度石英晶体谐振器的组装;耐高温高精度石英晶体谐振器的钝化。...
  • 本发明公开了一种基于串联电感补偿的超宽带低附加相移数控衰减器,包括:第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、输入端口、输出端口、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电感和第二电感,第一开关晶体管的源极连接输入端口,第一开关晶体管的漏极...
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