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一种在硫酸锌中稳定ZnOHF保护层的方法及其在水系锌离子电池中的应用
本发明公开了一种在硫酸锌中稳定ZnOHF保护层的方法及其在水系锌离子电池中的应用,只引入一种外来离子,即通过电解液调控,在2M ZnSO
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中稳定ZnOHF的存在,从而使其协同作用,达到均匀化电场,锌均匀沉积的目的,同时...
一种水系碱性锌碘电池及其制备方法
本发明涉及一种水系碱性锌碘电池及其制备方法,属于水系锌碘电池技术领域。所述电池包括:正极;负极;以及水系碱性电解液;其中,所述正极包含集流体、正极活性材料、导电剂和粘合剂,所述正极活性材料为碘化物;所述水系碱性电解液包括含氯添加剂、锌盐电解...
电解液添加剂及其制备方法、二次电池和电子设备
本申请实施例提供了电解液添加剂及其制备方法、二次电池和电子设备,涉及电池技术领域。本申请实施例提供的电解液添加剂包括阳离子和环状阴离子,阳离子包括碱金属离子,环状阴离子包括磺酸基团、氟和硼,或者包括磺酸基团、磷和氟,或者包括磺酸基团和硼。在...
一种质子交换膜及其制备方法和应用
本发明提供了一种质子交换膜及其制备方法和应用。所述质子交换膜包括第一全氟磺酸树脂层、微孔增强层和第二全氟磺酸树脂层;所述微孔增强层的两侧均设置有第一全氟磺酸树脂层;其中,一侧的第一全氟磺酸树脂层的表面还设置由第二全氟磺酸树脂层;其中,所述第...
一种质子交换膜及其制备方法和应用
本发明提供了一种质子交换膜及其制备方法和应用。所述质子交换膜包括依次层叠的第一全氟磺酸树脂层、微孔增强层和第二全氟磺酸树脂层;其中,所述第一全氟磺酸树脂的EW值为600‑800,所述第二全氟磺酸树脂的EW值为900‑1100。本发明通过在微...
泡沫铜复合三维集流体及其制备方法与应用、复合锂金属负极、锂电池和用电设备
本发明涉及锂电池负极集流体领域,公开了一种泡沫铜复合三维集流体及其制备方法与应用、复合锂金属负极、锂电池和用电设备,用FeF
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溶液浸没泡沫铜,获得表面包裹有氧化亚铜层的泡沫铜复合三维集流体,本发明提供的制备方法采用Fe...
多孔碳骨架材料、锂碳复合材料及其制备方法和用途
本发明提供了多孔碳骨架材料、锂碳复合材料及其制备方法和用途。所述多孔碳骨架材料包括亲锂碳材料颗粒形成的内核,在所述内核表面设置有疏锂性多孔外壳,所述锂碳复合材料包括所述碳骨架材料和填充在碳骨架内表面、孔隙和外表面任意位置的金属锂。通过亲锂‑...
一种表面掺杂改性的钴酸锂材料及制备方法和在高电压锂电池中的应用
本发明公开了一种表面掺杂改性的钴酸锂材料及制备方法和在高电压锂电池中的应用。该材料是钴酸锂材料的表面掺杂钾元素、磷元素和氟元素。所述表面掺杂改性的钴酸锂材料在3.0~4.6V的电压区间内,在1C的倍率下的可逆比容量为200~230mAh/g...
一种表面改性的钴酸锂材料及其制备方法和在高电压锂电池中的应用
本发明公开了一种表面改性的钴酸锂材料及其制备方法和在高电压锂电池中的应用。该材料是经过氟化磷酸盐表面包覆改性的钴酸锂材料。所述表面改性的钴酸锂材料在3.0~4.6V的电压区间内,在0.2C的倍率下的可逆比容量为200~225mAh/g;在1...
一种复合负极材料及其制备方法和用途
本发明提供了一种复合负极材料及其制备方法和用途。所述制备方法包括以下步骤:将单体、引发剂与溶剂混合,进行初步反应,得到齐聚物前驱体溶液;将齐聚物前驱体溶液、负极基体材料和交联剂混合交联,得到中间体,将中间体进行碳化,得到所述复合负极材料。本...
一种封装结构和电子设备
本发明提供一种封装结构和电子设备,该结构包括:多个芯片,所述多个芯片叠层且绝缘设置;封装件,用于封装所述多个芯片,所述封装件上开设有多个过孔;多个导电图形,所述多个导电图形分别填充于所述多个过孔内,其中,每个所述芯片与至少一个所述导电图形连...
浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件
本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件,通过在采用ISSG工艺形成氧化物修复层后及在形成氧化硅膜前采用非ISSG工艺形成一层绝缘阻断层,该绝缘材料的阻断层可阻断夹杂在氧化物修复层中的–OH及‑H离子,以避免浅沟槽中较多的–OH...
一种封装基板结构及其制备方法
本发明提供一种封装基板结构及其制备方法,制备方法包括:于芯板层的上下表面分别设置图形导电层,于图形导电层上设置介质增层,于介质增层上设置硅基中间层增层,于形成结构的上下表面均设置图形化的阻焊层以引出导电连接。本发明通过在封装基板的介质增层上...
半导体结构及其制备方法
本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。所述制备方法包括:提供含硅衬底;通入预处理气体,在所述含硅衬底表面诱导形成预处理层,所述预处理层包括若干个成核点;采用物理气相沉积工艺,沿所述若干个成核点在所述含硅衬底表面生长形成第一缓冲层。本发明中...
金刚石复合衬底及其制备方法和应用
本发明涉及一种金刚石复合衬底的制备方法,包括以下步骤:提供基片;对基片进行离子注入,将基片分隔成依次层叠设置的衬底、离子注入层以及剥离层,衬底的厚度为h,0<h≤100nm;在衬底背离离子注入层的表面制备碳基缓冲层;在碳基缓冲层上制备金刚石...
工艺腔室及半导体工艺设备
本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括:腔室本体,其顶部设有开口;上电极组件,包括封盖在开口处的上电极盖板,以及设置于上电极盖板的底面的电极组件,电极组件与腔室本体的侧壁之间设有环形间隙;阻抗环组件,套设在电极组件的外侧,阻...
用于开关装置的断点机构和开关装置
本公开的实施例提供了用于开关装置的断点机构和开关装置。该断点机构包括触头驱动组件,包括被驱动部,并且耦合至动触头,以驱动动触头在分闸位置和合闸位置之间运动;手柄组件,适于绕枢转轴转动并且包括关联驱动部以及可伸缩的伸缩驱动部,伸缩驱动部在随手...
一种电连接结构
本申请提供一种电连接结构,涉及低压电气技术领域,包括:设置于断路器本体的接触组件,以及设置在底座上的导电部件,通过所述接触组件和所述导电部件的一侧导电,以使所述断路器本体和所述底座插拔电连接。导电的电路连接方式,能够使断路器本体和底座之间、...
一种SmFeN材料及其制备方法
本发明提供了一种SmFeN材料及其制备方法,所述SmFeN材料包括内核和包覆层,所述内核包括SmFeN,包覆层包括聚偏磷酸盐。本发明所述SmFeN材料通过包覆层的包覆,提升了SmFeN材料的稳定性,使其不易氧化,在保证SmFeN材料活性和磁...
非能动核蒸汽供应系统
本发明公开了一种非能动核蒸汽供应系统,其中的热段主管道的两端分别连接反应堆压力容器和蒸汽发生器,主泵立式地连接蒸汽发生器,冷段主管道的两端分别连接压力容器和主泵,热段主管道设有第一液位取压口和第二液位取压口,第一液位取压口位于热段主管道的底...
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