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  • 本申请的一种废旧锂电池正极材料的原位修复方法。该原位修复方法包括:在真空条件和惰性气氛下,使正极材料、锂源化合物和沉积促进剂在原子层沉积装置或分子层沉积装置中沉锂,得到沉锂材料;将沉锂材料进行有氧烧结,得到修复后的正极材料。通过上述方法能够...
  • 本发明涉及钠离子电池电解液、钠离子电池及其析钠判定方法。所述钠离子电池电解液包括:钠盐、碳酸酯类有机溶剂以及包括短链醇醚、无机钠盐、芳香化合物的协同添加剂。
  • 本发明提供一种燃料电池电堆巡检装置及方法,装置包括:n个级联的采集模组,采集模组与电堆模型连接,第1个采集模组、第n个采集模组与隔离通讯模组连接,隔离通讯模组与MCU单元连接,MCU单元与存储单元、CAN接口连接;与电堆模型、MCU单元连接...
  • 本发明提供一种广谱燃料电池燃料进料系统及其工作方法,涉及燃料电池发电系统技术领域,包括燃料进料器、燃料导管、泵体总成和燃料箱;燃料输出管的另一端与泄压阀相连,泄压阀与泵出穿板管的下端相连,所述泵出穿板管穿过泵体盖板,泵出穿板管的上端与泵出管...
  • 本申请公开了一种高温燃料电池热管理系统及其运行方法,包括电动三通球阀、与电动三通球阀的进口相连通的电堆导热油出口管路I、与电动三通球阀的第一可控出口连通的油箱出油管路、与电动三通球阀的第二可控出口连通的换热器进口管路;还包括油箱、油泵、压力...
  • 本发明公开了一种基于碳化硅新材料的新型燃料电池催化剂及其制备方法,涉及电催化领域。本发明的电催化剂结构为SixC‑Ni碳化硅新材料表面均一分散Pt纳米颗粒,归功于载体新材料与活性中心Pt纳米颗粒间的相互作用,其在甲醇阳...
  • 本申请涉及正极材料及正极浆料、锂离子电池,正极材料的化学通式为LiσNiaCobMncM1xM2yM3
  • 本发明实施例涉及一种复合负极材料及其制备方法和应用。制备方法包括:称取适量含铋化合物在有机溶剂中进行超声分散形成第一混合溶液,在持续搅拌的条件下,向第一混合溶液中加入有机配体、含硒化合物,得到第二混合溶液;将第二混合溶液转移至高温高压反应釜...
  • 本发明公开了一种像素掺杂扩散的测试结构及测试方法、校准方法,测试方法适用于CMOS图像传感器,测试方法包括:提供测试晶片;在测试晶片的正面形成测试调制结构,以对测试晶片的掺杂进行调制;从测试晶片的正面对测试晶片进行掺杂处理,并在测试晶片内形...
  • 本申请提供了一种封装结构、测试方法及电子设备,该封装结构包括:至少两个芯片,分别为第一芯片和第二芯片,第一芯片具有N个第一引脚,第二芯片具有N个第二引脚,第一引脚和第二引脚一一对应电连接,N≥1。第一芯片还包括与N个第一引脚一一对应电连接的...
  • 本公开的实施例提供了用于缺陷检测的半导体装置及其设计和制造方法,以及对应的检测系统、设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品,涉及半导体装置的缺陷检测领域。该半导体装置包括:衬底以及缺陷结构区,缺陷结构区位于所述衬底上。其中所述缺陷结构区中...
  • 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该半导体元件包含绝缘结构、第一电熔丝元件、第二电熔丝元件、第一间隙壁、第二间隙壁以及外延结构。绝缘结构设置于基底中。第一电熔丝元件及第二电熔丝元件分别设置于绝缘结构的二侧,其中第一电熔丝元件及第二电...
  • 本申请涉及电子封装技术领域,特别涉及一种电子器件及其制备方法、电子设备。本申请的电子器件包括依次层叠的芯片和基板,芯片和基板通过焊球阵列电连接;焊球阵列包括第一焊球部和第二焊球部;其中,第一焊球部中各第一焊球被化学胶水包裹,第二焊球部中各第...
  • 一种半导体器件的形成方法,包括:提供基底,所述基底上形成有图形化的第一掩膜层;依次在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层以及图形化的光刻胶层;以所述图形化的光刻胶层为掩膜,对所述第二掩膜层进行第一等离子体刻蚀,以得到图形化的第二掩膜层,所述图形化...
  • 本申请提供一种剥离材料的方法,所述方法包括:在衬底的表面形成光刻胶图形;在从所述光刻胶图形中露出的所述衬底的表面以及所述光刻胶图形的表面形成预定材料层;将所述衬底加热到预定温度,并在所述预定材料层的表面施加有粘性的薄膜;以及移除所述薄膜,其...
  • 本申请提供一种烘箱装置,用于半导体产品的制备,其包括烘箱本体及排气组件。烘箱本体具有第一容设腔,用于容设半导体结构并进行高温烘烤;排气组件设于烘箱本体的顶部外侧,具有与第一容设腔连通的排气管,排气管包括连接于烘箱本体顶部并呈竖向延伸的连接管...
  • 本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构。制造方法包括:将包括至少一个第一电气元件的第一待封装结构贴装在载板上,第一待封装结构包括至少两个间隔设置的电极,电极的功能引出端远离载板;形成至少包封所述第一待封装结构侧面的第一塑封层;去除载...
  • 本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备,该方法包括提供待刻蚀膜层;待刻蚀膜层包括基底以及位于基底一侧表面上的掩膜层,掩膜层设置有掩膜开口,掩膜开口暴露基底的部分区域;向工艺腔室的内部通入刻蚀气体,以激发刻蚀气体产生等离子体;依次向工...
  • 本发明提供一种半导体工艺设备,涉及半导体制造设备的技术领域。该设备包括连通的等离子体生成腔和工艺腔,等离子体生成腔内设置有功率电极和接地电极,接地电极接地;功率电极沿其高度方向间隔设有多个第一端子,多个第一端子并联且每个第一端子均能够与射频...
  • 本发明公开一种屏蔽装置及其控制方法、工艺腔室及半导体工艺设备,所公开的屏蔽装置包括第一环状基部(01)和多个活动扇叶(40),所述多个活动扇叶(40)转动地设于所述第一环状基部(01)上,且沿所述第一环状基部(01)的圆周方向分布,相邻的两...
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