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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_瑞萨电子株式会社_202410885853.1
    本公开涉及半导体器件。根据实施例的半导体器件包括具有在半导体衬底的第一区域中形成的第一MOSFET的半导体芯片；在第一区域内的第二区域中形成的检测元件；在第一区域之上形成并且与第一MOSFET的源极连接的源极电极；以及被布置为覆盖检测元件并...
    2025-06-30
  • 制造和使用虚拟过孔以减少焊料凸块之间短路的半导体器件和方法
    制造和使用虚拟过孔以减少焊料凸块之间短路的半导体器件和方法_星科金朋私人有限公司_202410884890.0
    一种半导体器件具有半导体管芯和沉积在半导体管芯上方的密封剂，以形成重构晶片。在重构晶片上方形成第一绝缘层。在第一绝缘层中形成第一虚拟开口。第一导电层形成在第一绝缘层上，包括第一虚拟开口上方的第一接触焊盘。
    2025-06-30
  • 立绕式电感及其制造方法
    立绕式电感及其制造方法_奇力新电子股份有限公司_202410891295.X
    本发明公开一种立绕式电感及其制造方法。立绕式电感包括电感本体、线圈本体、第一外电极、第二外电极及中间层。电感本体由第一磁性材料制成。线圈本体包括相对设置的第一线圈部及第二线圈部，且其间具有第一间隙。第一外电极及第二外电极设置在电感本体的外表...
    2025-06-30
  • 科技辨识管理癌症药品调配装置及方法
    科技辨识管理癌症药品调配装置及方法_大仁科技大学_202410893142.9
    一种科技辨识管理癌症药品调配装置及方法，所述调配装置包括一备药模块及一药品调配模块。所述备药模块包含一第一扫描单元、一第一显示单元、一备药单元及一传送柜。所述药品调配模块包含一操作台、一第二扫描单元、一第二显示单元及一签核单元。利用所述备药...
    2025-06-30
  • 树脂封装装置
    树脂封装装置_朝日科技股份有限公司_202410897838.9
    本发明提供了一种树脂封装装置，其能够使用较少的部件及制造工序得到电子元件的外部连接端子暴露的树脂封装产品。树脂封装装置(1A)具有模具(2)，模具(2)分别通过具有模腔凹部(3A、3B)的上模具(2A)和下模具(2B)对电子元件(10)进行...
    2025-06-30
  • 一种可避免食品与输送带粘结的输送装置
    一种可避免食品与输送带粘结的输送装置_江苏汇荣达生物工程有限公司_202411368832.9
    本发明公开了一种可避免食品与输送带粘结的输送装置，涉及食品运输技术领域，一种可避免食品与输送带粘结的输送装置，包括挡板，所述挡板的表面固定安装有电机，所述挡板之间设置有输送装置，所述输送装置包括皮带，所述支撑柱固定安装在挡板的顶部，所述支撑...
    2025-06-30
  • 可扩展地制造高性能光学相干断层扫描内窥镜系统和方法
    可扩展地制造高性能光学相干断层扫描内窥镜系统和方法_香港中文大学_202410901042.6
    内窥镜光学相干断层扫描(OCT)提供内脏器官的诊断图像，并实时指导介入治疗。本发明提供了一种液体成型制造高性能光学相干断层扫描内窥镜方法和系统，用于快速和可扩展地制造在不同波长范围工作的高性能OCT内窥镜。所述方法和系统通过调节润湿性改善的...
    2025-06-30
  • 一种氯/溴掺杂石墨烯纳米片构筑高性能柔性叉指超级电容器及集成电路的方法
    一种氯/溴掺杂石墨烯纳米片构筑高性能柔性叉指超级电容器及集成电路的方法_济南大学_202410902322.9
    本发明公开了一种氯/溴掺杂石墨烯纳米片构筑高性能柔性叉指超级电容器及集成电路的方法，采用一步石墨电腐蚀技术制备超稳定氯/溴掺杂石墨烯纳米片，通过优化卤化铵浓度可以调节氯/溴在石墨烯纳米片中的掺杂比例，减压过滤石墨烯纳米片水溶液在金属模板镂空...
    2025-06-30
  • 航空电子装备全寿命周期质量与可靠性评价方法及系统
    航空电子装备全寿命周期质量与可靠性评价方法及系统_空军装备部驻成都地区军事代表局驻绵阳地区第一军事代表室_202410906564.5
    本发明涉及电子信息技术领域，尤其涉及航空电子装备全寿命周期质量与可靠性评价方法及系统，通过搭建航空电子装备的质量与可靠性评价数据库，并进行更新迭代；获取评估对象的质量与可靠性评价数据，与所述质量与可靠性评价数据库进行数据量匹配，确定所述评价...
    2025-06-30
  • 一种城际铁路高架桥桥墩-支座-梁轨一体结构低周往复荷载抱杆试验装置及其使用方法
    一种城际铁路高架桥桥墩-支座-梁轨一体结构低周往复荷载抱杆试验装置及其使用方法_南昌铁路勘测设计院有限责任公司_202410908877.4
    本发明公开一种城际铁路高架桥桥墩‑支座‑梁轨一体结构低周往复荷载抱杆试验装置及其使用方法，包括实验平台、自升降反力架、反力墙背墙、纵向施力系统、横向施力系统和用于实验的桥墩‑支座‑梁轨一体结构；所述桥墩‑支座‑梁轨一体结构包括桥墩、支座、和...
    2025-06-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202410917340.4
    本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：提供基底，基底具有第一区域和第二区域，第二区域设置于第一区域的外围；在第一区域的基底内形成第一隔离槽，以及在第二区域的基底内形成第二隔离槽；其中，沿平行于基底的表面方向，第二隔离槽的开口尺寸...
    2025-06-30
  • 安装有环状毛刷支撑机构的小杆径长喷杆喷砂头
    安装有环状毛刷支撑机构的小杆径长喷杆喷砂头_北京溢流流体科技有限公司_202410913555.9
    本发明公开了一种安装有环状毛刷支撑机构的小杆径长喷杆喷砂头。采用安装有环状毛刷辅助支撑机构的小杆径长喷杆喷砂头，既能保障喷砂头位于工件内腔中心部位顺利喷砂作业，又可以只占用更小的径向空间尺寸，所以不降低用于工件小尺寸长管孔内部喷砂作业的优越...
    2025-06-30
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202410921682.3
    提供了显示装置。显示装置包括发光元件层、在发光元件层上并且包括间隔开的多个阻光膜和在多个阻光膜之间的透光膜的光控制层、以及第一发射区域和第二发射区域，多个阻光膜包括隔着第一发射区域的第一边分别在该第一边的两侧上的第一百叶和第二百叶、以及隔着...
    2025-06-30
  • 立体视频舒适度提示方法、装置、设备、介质及程序产品
    立体视频舒适度提示方法、装置、设备、介质及程序产品_深圳实域科技有限公司_202410920665.8
    本申请公开了一种立体视频舒适度提示方法、装置、设备、介质及程序产品，涉及立体视觉技术领域，该提示方法包括：利用立体视频拍摄设备拍摄立体视频；在立体视频的拍摄过程中，根据单帧画面立体舒适度评估算法，计算立体视频的每帧画面的单帧画面立体舒适度；...
    2025-06-30
  • 电池组及其制造方法
    电池组及其制造方法_三星SDI株式会社_202410921791.5
    本公开涉及一种电池组及其制造方法，该电池组能够允许顺利组装并提高电池单体的寿命。为此，本公开的电池组包括外壳、设置在外壳内并包括沿第一方向布置的多个电池单体的单体堆叠、以及设置在外壳和单体堆叠之间的端板，该端板包括：第一板，配置为与外壳接触...
    2025-06-30
  • 液晶显示装置
    液晶显示装置_夏普显示科技株式会社_202410923059.1
    提供一种在反射显示和透射显示的两者中能够以低施加电压得到明亮的显示，并且能够实现较广的颜色再现范围的液晶显示装置。液晶显示装置具有矩阵状排列的多个像素，且具备液晶面板，该液晶面板具有第一基板、与上述第一基板相对的第二基板以及设置在上述第一基...
    2025-06-30
  • 配送机器人
    配送机器人_LG电子株式会社_202410919943.8
    本发明提供一种配送机器人，其包括：主体罩体，在内部包括收纳部(storage)并且在前方包括主体开口部；门，以覆盖所述主体开口部的关闭状态或开放所述主体开口部的打开状态驱动；控制部，根据控制命令驱动所述门；中间隔板，能够装卸于所述主体罩体，...
    2025-06-30
  • 显示方法和电子设备
    显示方法和电子设备_华为技术有限公司_202480003142.5
    本申请提供了一种显示方法和电子设备，该方法可以应用于电子设备，该电子设备的第一显示界面中包括调用AI服务的入口标识，该方法包括：检测对入口标识的第一操作；响应于第一操作，显示与AI服务交互的第二显示界面。该技术方案中，电子设备的显示界面中可...
    2025-06-30
  • 基于硫代的戊二酰亚胺基异吲哚啉酮骨架的化合物及其应用
    基于硫代的戊二酰亚胺基异吲哚啉酮骨架的化合物及其应用_标新生物医药科技(上海)有限公司_202480001641.0
    提供一种式(I)的化合物或其盐、对映异构体、立体异构体、溶剂化物、多晶型物，包含作为活性成分的式(I)的化合物或其盐、对映异构体、立体异构体、溶剂化物、多晶型物的药物组合物，及所述的化合物或组合物的应用。所述的化合物能有效地预防或治疗包括肿...
    2025-06-30
  • 双极晶体管
    双极晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202410941943.8
    本公开涉及半导体结构，更具体地涉及双极晶体管和制造方法。该结构包括：集电极；基极区，其位于集电极上方；发射极，其横向地连接到基极区；以及外部基极，其连接到基极区。
    2025-06-30
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