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最新专利技术
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202311187747.8
    本申请公开一种继电器，包括动簧组件、推动杆组件、限位组件和弹性组件。动簧组件包括动簧片；推动杆组件用于推动动簧组件移动，以使动簧片与静触点引出端接触或分离；限位组件与动簧组件和推动杆组件连接，用于限制动簧组件相对于推动杆组件绕推动杆组件的轴...
    2025-06-24
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202311187759.0
    本申请公开一种继电器，包括一对静触点引出端、动簧组件、推动杆组件和防转机构。动簧组件包括动簧片，动簧片沿第一方向的两端用于分别与一对静触点引出端接触或分离。第一方向为一对静触点引出端的布置方向。推动杆组件用于推动动簧组件运动，以使动簧片与静...
    2025-06-24
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202311187787.2
    本申请公开一种继电器，包括一对静触点引出端、动簧组件、推动杆组件和防转结构。动簧组件包括动簧片，动簧片沿第一方向两端用于分别与一对静触点引出端接触或分离；第一方向为一对静触点引出端的布置方向，动簧片的运动方向定义为第二方向；动簧组件具有沿第...
    2025-06-24
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202311189290.4
    本申请公开一种继电器，包括静触点引出端、动簧组件、推动杆组件、第一防转组件和第二防转组件。动簧组件包括动簧片，动簧片沿第一方向的两端用于分别与一对静触点引出端接触或分离；第一方向为一对静触点引出端的布置方向，动簧片的运动方向定义为第二方向；...
    2025-06-24
  • 继电器
    继电器_厦门宏发电力电器有限公司_202311189746.7
    本申请公开一种继电器，包括动簧组件、推动杆和弹性组件。推动杆组件用于推动动簧组件移动，以与静触点引出端接触或分离；弹性组件通过第一防转结构连接于推动杆组件，且通过第二防转结构连接于动簧组件，弹性组件用于提供触点压力，且用于限制动簧组件相对于...
    2025-06-24
  • 一种断路器的连锁装置
    一种断路器的连锁装置_云南特固电气有限公司_202311187068.0
    本发明涉及连锁装置技术领域，且公开了一种断路器的连锁装置，包括螺纹式定向驱动结构，随驱动电机的转子旋转的螺纹杆以及在螺纹杆中的螺纹结构的配合下产生定向移动的水平移动板；以及伸缩式从动结构，在水平移动过程中对空开断路器的闸板进行抵触带动的棍子...
    2025-06-24
  • 离心弯曲设备，弯曲型通道微通道板及其制备方法和应用
    离心弯曲设备，弯曲型通道微通道板及其制备方法和应用_中国建筑材料科学研究总院有限公司_202311181659.7
    本发明是关于一种离心弯曲设备，弯曲型通道微通道板及其制备方法和应用。该离心弯曲设备包括：高温炉，为包括腔室和炉壁的圆柱形腔体结构，以轴线竖直方向设置；炉壁内设置加热体；离心加速系统，包括旋转托盘；旋转托盘上设置有离心弯曲卡具；旋转托盘和离心...
    2025-06-24
  • 一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法
    一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311185219.9
    本申请提供了一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法，应用于半导体器件，该方法包括：将半导体器件置于载台上，半导体器件中具有开口，开口的侧壁表面镀有预设膜层；在预设膜层表面形成覆盖层；利用离子束对覆盖层进行刻蚀，去除覆盖层的部分区域，裸露预设膜...
    2025-06-24
  • 一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法
    一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311188612.3
    本申请提供了一种位于开口侧壁表面的膜层的刻蚀方法，应用于半导体器件，半导体器件中具有开口，开口的侧壁表面镀有预设膜层，该方法包括：将半导体器件置于基台上，预设膜层的待刻蚀区域包括沿第一方向排布的多个子区域；利用离子束对位于半导体器件中开口侧...
    2025-06-24
  • 对向式多轴作业设备
    对向式多轴作业设备_均华精密工业股份有限公司_202311188924.4
    本发明公开一种对向式多轴作业设备，其包含一第一作业机构、与所述第一作业机构间隔开的一第二作业机构及位于第一作业机构与第二作业机构之间的一指示器。第一作业机构包含一第一轨道及安装于所述第一轨道的一承载台。第二作业机构包含一第二轨道及安装于所述...
    2025-06-24
  • 电子产品用微型超薄单向高结温交直流转换器件
    电子产品用微型超薄单向高结温交直流转换器件_常州市朗捷电子有限公司_202311180987.5
    本发明属于微型超薄单向高结温交直流转换器件的技术领域，具体涉及电子产品用微型超薄单向高结温交直流转换器件，其中包括四个组成整流桥电路的整流芯片、上料片单元、下料片单元和封装体，所述整流芯片设置于所述上料片单元和所述下料片单元之间，所述上料片...
    2025-06-24
  • 封装结构及其制法
    封装结构及其制法_青岛新核芯科技有限公司_202311183893.3
    一种封装结构及其制法，包括于一配置定位层的第一电子元件上堆叠一具有多个导电凸块的第二电子元件，以令该些导电凸块插入该定位层的多个定位孔中，使该第二电子元件接合于该定位层上并通过该多个导电凸块电性连接该第一电子元件，以通过该定位孔与该导电凸块...
    2025-06-24
  • 电子封装件及其制法
    电子封装件及其制法_青岛新核芯科技有限公司_202311188847.2
    一种电子封装件及其制法，包括将一天线模块堆叠于一封装模块上，该封装模块包含一电子元件及多个电性连接该电子元件的电性接点，且该天线模块包含一板体、分别结合于该板体相对表面上的线路部及天线部，其中，该线路部接置于该多个电性接点上，且该天线部与该...
    2025-06-24
  • Ni2+掺杂的Na2Ti6O13纳米管材料的合成方法及其在钠离子电池中的应用
    Ni<Sup>2+</Sup>掺杂的Na<Sub>2</Sub>Ti<Sub>6</Sub>O<Sub>13</Sub>纳米管材料的合成方法及其在钠离子电池中的应用_南京大学_202311223620.7
    Ni2+掺杂的Na2Ti6O13纳米管材料的合成方法及其在钠离子电池中的应用，所属领域：钠离子电池负极材料。本发明通过水热、超声法相结合的方法合成Ni<...
    2025-06-24
  • 一种正极活性材料、其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置
    一种正极活性材料、其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202311186588.X
    本申请提供一种正极活性材料、其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置。正极活性材料，包括第一正极活性材料和第二正极活性材料，第一正极活性材料为镍铁锰铜四元钠电正极活性材料；第二正极活性材料的化学式为Naa2[Ni
    2025-06-24
  • 燃料电池催化剂活性中心镶嵌制备方法
    燃料电池催化剂活性中心镶嵌制备方法_苏州康连新能源科技有限公司_202311186529.2
    本发明提供了燃料电池催化剂活性中心镶嵌制备方法，在通过以Fe/Co@rGO@s‑C3N4在水热条件下，利用硫脲加热分解生成的s‑C3N4作为前驱体，在掺杂氧化石墨烯与铁盐、钴盐，形成将MOFs金属源、Co源、Ni源和Fe源为基础的网片高温焙...
    2025-06-24
  • 用于燃料电池系统的冷启动方法和燃料电池系统
    用于燃料电池系统的冷启动方法和燃料电池系统_罗伯特·博世有限公司_202311188155.8
    本发明涉及一种用于燃料电池系统的冷启动方法，包括以下步骤：判断所述燃料电池系统是否应以冷启动模式运行；在所述冷启动模式中，使所述燃料电池系统的电堆中的冷却剂具有第一流速；估算出所述电堆的内部温度，并将所述内部温度与预设定的第一目标温度进行比...
    2025-06-24
  • 添加剂、电解液及电池
    添加剂、电解液及电池_香港理工大学_202311188884.3
    本申请公开了一种添加剂、电解液及电池，添加剂为丙烷磺酸吡啶鎓盐。本申请提供的添加剂可调控电解液的物理化学性质。在锌负极与电解质界面处，极性官能团吡啶和磺酸根离子吸附在电池的负极表面，一方面，可阻挡电解液中水分子与锌电极相接触，从而抑制了水分...
    2025-06-24
  • 一种电池、中框及电子设备
    一种电池、中框及电子设备_北京小米移动软件有限公司_202311191297.X
    本公开是关于一种电池、中框及电子设备，电池和中框安装于电子设备，电池包括电芯和提拉部，提拉部中设置有压电膜层，压电膜层与电子设备的电路板电连接，压电膜层向电路板发送第一电信号，用于表示压电膜层受到物理挤压。本公开中，电池的至少一个提拉部中设...
    2025-06-24
  • 基于混合异构集成的有源相控阵收发前端封装结构
    基于混合异构集成的有源相控阵收发前端封装结构_中国科学院空天信息创新研究院_202311182155.7
    本公开提供一种基于混合异构集成的有源相控阵收发前端封装结构，包括厚薄膜混合集成电路板，包括：多层厚膜电路板，用于传输电磁波信号，厚膜电路板的表面设置有盲腔，盲腔用于埋置化合物芯片，化合物芯片用于对电磁波信号进行放大和移相控制；多层薄膜电路，...
    2025-06-24
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