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最新专利技术
  • 一种新型加氢催化剂及其制备方法
    一种新型加氢催化剂及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202311420249.3
    一种新型加氢催化剂及其制备方法，属于催化剂技术领域。包括如下步骤：1）取海泡石于去离子水中浸泡，沉降，除杂，得物质a；2）将物质a与偏钛酸混匀，加扩孔剂、粘合剂和水，成型，干燥，焙烧，得载体b；3）配制钴盐和镍盐的混合溶液，加钼盐、络合剂和...
    2025-06-29
  • 一种双轨道式焊接装置
    一种双轨道式焊接装置_合肥常青机械股份有限公司_202311417323.6
    本发明提供一种双轨道式焊接装置，涉及焊接技术领域，包括整体结构和辅助结构，所述辅助结构位于整体结构的底部两侧前后位置；所述整体结构包括底板，所述底板的顶部固定连接有若干个均匀分布的第一框架，所述第一框架的内表面中心处固定安装有电动滑台，所述...
    2025-06-29
  • 一种分体式井下供电电缆输送结构
    一种分体式井下供电电缆输送结构_中国石油集团渤海钻探工程有限公司_202311417076.X
    本发明涉及井下供电电缆输送技术领域，尤其涉及一种分体式井下供电电缆输送结构，旨在解决因电缆表面附着泥沙、杂质导致电缆出现打滑的现象，影响电缆正常输送的问题。本发明包括输送单元和清理单元；输送单元包括电缆盘，电缆盘可绕自身轴线转动以释放电缆；...
    2025-06-29
  • 一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法
    一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法_有研稀土新材料股份有限公司_202311422377.1
    本发明公开了一种减少离子型稀土矿中杂质铝浸出的方法，包括如下步骤：依次采用第一浸取剂溶液和第二浸取剂溶液对离子型稀土矿进行浸出，得到稀土浸出液；采用有机萃取剂对稀土浸出液进行离心萃取，得到负载稀土有机相和含铝萃余液；对含铝萃余液进行调配，得...
    2025-06-29
  • 一种门玻璃冲洗装置及滚筒洗衣机
    一种门玻璃冲洗装置及滚筒洗衣机_苏州三星电子有限公司_202311422218.1
    一种门玻璃冲洗装置，包括有进水阀、冲洗管路和喷嘴，进水阀与喷嘴通过冲洗管路连通，并以进水阀至喷嘴方向定义为进水方向，反之则为回流方向，还包括有防回流料盒和单向阀，防回流料盒设置在进水阀和喷嘴之间且具有一与冲洗管路连通的冲洗管道，冲洗管道内沿...
    2025-06-29
  • 一种BM-less面板制作方法及显示面板
    一种BM-less面板制作方法及显示面板_成都九天画芯科技有限公司_202311419246.8
    本发明公开了一种BM‑less面板制作方法，包括：在玻璃基板上依次形成金属膜层和整面阻挡层；在所述阻挡层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成多晶硅有源层图形，得到第一晶体管的沟道区、第一源漏极和第二源漏极；在有源层上整面形成栅极绝缘层；在所述栅...
    2025-06-29
  • 一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备
    一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备_上海山科机器人有限公司_202311422465.1
    本发明实施例提供了一种自主作业设备的控制方法及自主作业设备，涉及自主作业设备技术领域领域。控制方法包括：基于接收到的来源于目标控制器的故障信号和/或检测到出现的故障，确定所述自主作业设备所发生故障的当前故障类型，所述目标控制器至少包括：自主...
    2025-06-29
  • 自动驾驶冗余控制系统及方法
    自动驾驶冗余控制系统及方法_苏州挚途科技有限公司_202311425996.6
    本申请公开了一种自动驾驶冗余控制系统及方法。其中，该系统包括：互为冗余的第一主控制单元和第二主控制单元，多组互为冗余的第一子控制单元和第二子控制单元，以及仲裁单元，第一主控制单元控制所有第一子控制单元构成第一控制链路，控制所有第二子控制单元...
    2025-06-29
  • 一种工控协议漏洞自动模糊测试方法
    一种工控协议漏洞自动模糊测试方法_成都易书桥科技有限公司_202311420714.3
    本发明针对传统的基于生成的模糊测试依赖人工提取协议规范、测试用例通过率低等问题，提出了一种自动的高效率模糊测试模型GRU‑SACNNFuzzer。针对现有的模糊测试方法在提取协议规范时仅仅考虑了协议字段的局部特征，本发明在生成对抗网络的生成...
    2025-06-29
  • 串扰补偿效果的确定方法、装置、电子设备以及存储介质
    串扰补偿效果的确定方法、装置、电子设备以及存储介质_OPPO广东移动通信有限公司_202311426307.3
    本申请公开了一种串扰补偿效果的确定方法、装置、电子设备以及存储介质，涉及电子设备技术领域。该方法包括：获取已补偿图像，其中，已补偿图像通过对存在串扰跳变的图像进行串扰补偿获得，将已补偿图像中产生串扰跳变的区域确定为第一区域，并将已补偿图像中...
    2025-06-29
  • 一种柔性显示面板以及显示装置
    一种柔性显示面板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202311424425.0
    本申请提供一种柔性显示面板以及显示装置，涉及显示技术领域，柔性显示面板包括背膜以及设置在背膜一侧的基板；柔性显示面板具有主体结构区、绑定区以及位于主体结构区与绑定区之间的弯折区，主体结构区包括显示区以及围绕显示区的封装区；基板包括第一金属层...
    2025-06-29
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_宁波比亚迪半导体有限公司_202311440389.7
    本发明公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述半导体器件的制备方法包括：在碳化硅衬底上生长栅氧膜层；通过氮化退火工艺对所述栅氧膜层进行第一次退火处理；通过惰性气体退火工艺对所述栅氧膜层进行第二次退火处理。采用该制备方法可以有效减低界...
    2025-06-29
  • 一种包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法与应用
    一种包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法与应用_天津国安盟固利新材料科技股份有限公司_202311427132.8
    本发明提供了一种包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将富锂锰基前驱体与锂源进行混合和一次焙烧、粉碎过筛，得到富锂锰基一次粉碎料；将富锂锰基一次粉碎料与共沉淀反应原料液相混合，进行共沉淀反应，共沉淀反应原料包括...
    2025-06-29
  • 一种调试方法及终端设备
    一种调试方法及终端设备_大唐移动通信设备有限公司_202311419670.2
    本发明实施例提供了一种调试方法及终端设备，包括：调试端设备向运维平台发送针对终端设备的调试开启指令，调试信息代理服务器建立连接，订阅与调试响应相关的消息主题；应用管理服务器向终端设备转发调试开启指令；终端设备响应于调试开启指令，与调试信息代...
    2025-06-29
  • 下行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质
    下行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质_维沃移动通信有限公司_202311428999.5
    本申请公开了一种下行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质，属于通信技术领域，本申请实施例的下行波束管理方法包括：终端接收网络侧设备发送的N个第一信号，该第一信号用于确定目标下行传输的目标波束，N为正整数；其中，第一信号包括以下至少一项：第...
    2025-06-29
  • 上行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质
    上行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质_维沃移动通信有限公司_202311429084.6
    本申请公开了一种上行波束管理方法、装置、通信设备及存储介质，属于通信技术领域，本申请实施例的上行波束管理方法包括：终端向网络侧设备发送N个第一信号，第一信号用于确定目标上行传输的波束，N为正整数；其中，第一信号包括以下任一项：第一上行信号；...
    2025-06-29
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202311417376.8
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供一基底，在基底的表面自下而上依次形成栅氧化层和栅极结构，栅极结构暴露出栅氧化层的周边区域；对栅氧化层两侧的基底刻蚀以形成沟槽；对周边区域执行离子注入形成防扩散区域以防...
    2025-06-29
  • 具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法
    具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311428324.0
    本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，位于衬底上，掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结隔离结构，包括第一埋藏区和与第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，第一埋藏区位于第一掺杂区上，第二埋藏区位...
    2025-06-29
  • 电力半导体装置及相关方法
    电力半导体装置及相关方法_安世有限公司_202311433891.5
    一种半导体电力装置，包括有源区，有源区包括第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区，其中第二导电类型与第一导电类型相反；超级结区，其至少部分地布置在漂移区与体区之间，超级结区包括：第一导电类型的第一柱，第二导电类型的第二柱的至少一部分，第一...
    2025-06-29
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_安世半导体科技(上海)有限公司_202311422812.0
    本公开提出一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体层。半导体层具有相对的第一表面和第二表面。半导体层包括：源极区和栅极区。源极区包括N型源区、第一P型体层和载流子存储层。栅极区包括栅氧化层和多晶硅。多晶硅的侧壁和底部被栅氧化层包围。...
    2025-06-29
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