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申请/专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日：2007-11-22
公开（公告）日：2008-09-24
公开（公告）号：CN201122096Y
专利技术分类：
专利摘要：本实用新型公开了一种观察硅片样品断面的样品台，包括底座和与底座相配合的放置样品的平台，其中，放置样品的平台表面设有活动槽，每条活动槽设有调节活动槽宽度的活动槽宽度调节装置。本实用新型通过在样品台的平台上开设可调节宽度的活动槽，可以在一个样品台平台上同时放置不同厚度的样品进行断面观察，节省了工作时间，提高工作效率。
专利权项：1.一种观察硅片样品断面的样品台，包括底座和与底座相配合的放置样品的平台，其特征在于，放置样品的平台表面设有活动槽，每条活动槽设有调节活动槽宽度的活动槽宽度调节装置。
百度查询： 上海华虹NEC电子有限公司 观察硅片样品断面的样品台
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