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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日：2016-05-20
公开（公告）日：2016-09-28
公开（公告）号：CN205609515U
专利技术分类：.加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案[2006.01]
专利摘要：本实用新型提供了一种可靠性测试结构，包括：设置有有源区和隔离结构的衬底，需覆盖于隔离结构上的阻挡层，形成于有源区的两端的导电插塞以及与导电插塞点连接的导电层，其中所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。当对本实用新型中可靠性测试结构的串联的结构进行电阻测试时，根据检测出的电阻值的大小即可判断出所述有源区与导电插塞的连接状况，从而确认在有源区上是否残留有阻挡层。同时使用本实用新型提供的可靠性测试结构，也可对阻挡层的形成过程进行异常监控。
专利权项：一种可靠性测试结构，用于监测阻挡层形成过程中的光刻胶残留情况，其特征在于，包括：衬底、阻挡层、导电层以及至少两个导电插塞，所述衬底中形成有至少一个有源区和位于每个所述有源区周边的隔离结构，所述阻挡层形成于所述隔离结构上，每个所述有源区的两端各形成有至少一个所述导电插塞，所述导电层形成于所述导电插塞的上方，位于同一有源区两端上导电插塞分别与两个不同的导电层连接，以使所述有源区、导电插塞及导电层形成串联的结构。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 可靠性测试结构
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