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申请/专利权人：高通MEMS科技公司
申请日：2008-09-08
公开（公告）日：2010-08-11
公开（公告）号：CN101802677A
专利技术分类：
专利摘要：一种微机电MEMS装置800包含衬底802、所述衬底802上的激活电极804、所述激活电极804上的反射层810，和所述激活电极804与所述反射层810之间的支撑层808。所述反射层810包含穿过所述反射层810的至少一个孔814。所述支撑层808包含在所述激活电极804与所述至少一个孔814之间的凹进812。在将控制信号施加到所述装置800后，所述反射层810的至少第一部分816经配置以移动到所述凹进812中，且所述反射层810的至少第二部分818经配置以保持静止。所述MEMS装置800的反射性主要通过改变从所述第一部分816反射的光与从所述第二部分818反射的光之间的相位差来调制。
专利权项：一种微机电MEMS装置，其包括：衬底；所述衬底上的激活电极；所述激活电极上的反射层，所述反射层包含穿过所述反射层的至少一个孔；以及所述激活电极与所述反射层之间的支撑层，所述支撑层包含在所述激活电极与所述至少一个孔之间的凹进，其中在将控制信号施加到所述装置后，所述反射层的至少第一部分经配置以移动到所述凹进中，且所述反射层的至少第二部分经配置以保持静止，其中所述MEMS装置的反射性主要通过改变从所述第一部分反射的光与从所述第二部分反射的光之间的相位差来调制。
百度查询： 高通MEMS科技公司 周期性波纹阵列
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